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公开(公告)号：CN119069527A
公开(公告)日：2024-12-03
申请号：CN202410697737.7
申请日：2024-05-31
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Inventor： A·蒂尔克 , S·克劳斯 , T·艾兴格 , W·莱纳特 , F·J·桑托斯罗德里格斯
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/06
Abstract: 公开了包括高K栅极电介质多层层叠结构的半导体器件和用于制造该器件的方法。描述了一种包括SiC主体的半导体器件，其具有栅极结构，栅极结构包括栅极电介质，栅极电介质具有特定的多层层叠结构，多层层叠结构包括具有4或更高的介电常数的第一电介质材料和第二电介质材料的交替的层。进一步描述了用于制造如之前提及的这样的包括SiC主体的半导体器件的方法。
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公开(公告)号：CN111192834A
公开(公告)日：2020-05-22
申请号：CN201911111131.6
申请日：2019-11-14
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: H01L21/60 , H01L21/78 , H01L23/488
Abstract: 制造包含膏体层的半导体器件的方法，包括：将衬底附在载体上，其中衬底包含多个半导体管芯；将膏体的层施加到衬底上；构造衬底切割区域以上的层和沿着切割区域切割衬底。
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公开(公告)号：CN118140294A
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202280070972.0
申请日：2022-10-21
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Inventor： B·戈勒 , A·C·宾特 , T·F·W·霍克鲍尔 , M·胡贝尔 , I·莫德尔 , M·皮钦 , F·J·桑托斯罗德里格斯 , H-J·舒尔茨
IPC: H01L21/02 , H01L21/78 , H01L21/306 , H01L21/683
Abstract: 一种处理半导体晶片的方法包括：在所述半导体晶片的第一主表面之上形成一个或多个外延层；在所述半导体晶片中或在所述一个或多个外延层中形成一个或多个多孔层，其中所述半导体晶片、所述一个或多个外延层和所述一个或多个多孔层共同形成衬底；在所述一个或多个外延层中形成半导体装置的掺杂区；并且在形成所述半导体装置的所述掺杂区之后，沿着所述一个或多个多孔层将所述半导体晶片的非多孔部分与所述衬底的其余部分分离。
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公开(公告)号：CN108389787A
公开(公告)日：2018-08-10
申请号：CN201810111658.8
申请日：2018-02-05
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Inventor： A·布罗克迈耶 , F·希勒 , F·J·桑托斯罗德里格斯 , D·施勒格尔 , H-J·舒尔策
IPC: H01L21/22 , H01L29/739 , H01L21/331 , H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/36 , H01L21/782
CPC classification number: H01L29/0638 , H01L21/02378 , H01L21/02381 , H01L21/0243 , H01L21/02634 , H01L21/02658 , H01L21/2252 , H01L21/30608 , H01L21/78 , H01L21/7806
Abstract: 本发明涉及半导体器件及其制造方法。具体而言，外延槽形成在半导体衬底中，其中半导体衬底的矩阵区段横向地分隔外延槽并且包括第一半导体材料。晶体的第二半导体材料的外延区域在外延槽中形成，其中第二半导体材料与第一半导体材料的不同之处在于孔隙率和杂质含量中的至少一种。由外延区域形成半导体器件的半导体主体的至少主要主体部分。
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公开(公告)号：CN116031150A
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN202211326038.9
申请日：2022-10-27
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Inventor： D·施洛格 , H-J·舒尔茨 , M·杰利内克 , F·J·桑托斯罗德里格斯
IPC: H01L21/265 , H01L21/225
Abstract: 公开了包括离子注入的制造半导体器件的方法和半导体器件。提出了一种在具有第一表面(104)和第二表面(106)的半导体本体(102)中制造半导体器件的方法。方法包括通过第二表面(106)将质子(I1)注入到半导体本体(102)中。方法进一步包括通过第二表面(106)将离子(I2)注入到半导体本体(102)中。离子是具有至少为9的原子序数的非掺杂元素的离子。此后，方法进一步包括通过热退火对半导体本体(102)进行处理。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108074995B
公开(公告)日：2021-02-23
申请号：CN201711098619.0
申请日：2017-11-09
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Inventor： R·鲁普 , F·J·桑托斯罗德里格斯 , H-J·舒尔策
IPC: H01L31/0224 , H01L31/0236 , H01L31/0745 , H01L31/18
Abstract: 切割半导体晶锭，以获得具有前侧表面和与所述前侧表面平行的后侧表面的半导体切片。钝化层直接形成在所述前侧表面和所述后侧表面中的至少一个上。由碳化硅、三元氮化物和三元碳化物中的至少一种形成的阻挡层形成在所述后侧表面上。
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公开(公告)号：CN111682007A
公开(公告)日：2020-09-18
申请号：CN202010305127.X
申请日：2017-05-19
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Inventor： M·鲍尔 , J·丹格尔迈尔 , R·恩格尔 , J·加特鲍尔 , F·希勒 , M·许廷格 , W·卡纳特 , H·克尔纳 , J·马勒 , B·吕勒 , F·J·桑托斯罗德里格斯 , A·韦莱伊
Abstract: 在各种实施例中，提供了芯片封装体。所述芯片封装体可包括：芯片；包括非贵金属并且电接触所述芯片的金属接触结构；封装材料；和保护层，所述保护层包括或基本上由在所述金属接触结构的一部分与所述封装材料之间的接合面处形成的部分组成，其中，所述保护层可包括贵金属，所述保护层的所述部分可包括多个不含所述贵金属的区域，所述不含所述贵金属的区域可提供所述封装材料与所述金属接触结构的非贵金属之间的接合面。
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公开(公告)号：CN106409669B
公开(公告)日：2020-06-30
申请号：CN201610824797.6
申请日：2016-07-29
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Inventor： W·莱纳特 , R·鲁普 , F·J·桑托斯罗德里格斯
IPC: H01L21/30 , H01L21/304 , H01L23/13
Abstract: 本发明涉及形成晶片结构的方法、形成半导体器件的方法和晶片结构。提供一种生产半导体器件和晶片结构的方法。该方法包括：将包括碳化硅的施主晶片(10)附着到包括石墨的载体晶片(20)；沿着内部剥离层(13)分离施主晶片(10)，使得形成包括碳化硅且附着到载体晶片(20)的分离层(1)；在分离层(1)的内部部分之上移除载体晶片(20)，同时留下附着到分离层(1)的载体晶片(20)的剩余部分(20’)以形成被部分支撑的晶片(100，200)；以及进一步处理被部分支撑的晶片(100，200)。
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公开(公告)号：CN106409669A
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201610824797.6
申请日：2016-07-29
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Inventor： W·莱纳特 , R·鲁普 , F·J·桑托斯罗德里格斯
IPC: H01L21/30 , H01L21/304 , H01L23/13
CPC classification number: H01L21/7813 , H01L21/02002 , H01L21/76254 , H01L21/78 , H01L29/1608 , H01L29/861 , H01L21/30 , H01L21/304 , H01L23/13
Abstract: 本发明涉及形成晶片结构的方法、形成半导体器件的方法和晶片结构。提供一种生产半导体器件和晶片结构的方法。该方法包括：将包括碳化硅的施主晶片(10)附着到包括石墨的载体晶片(20)；沿着内部剥离层(13)分离施主晶片(20)的分离层(1)；在分离层(1)的内部部分之上移除载体晶片(20)，同时留下附着到分离层(1)的载体晶片(20)的剩余部分(20’)以形成被部分支撑的晶片(100，200)；以及进一步处理被部分支撑的晶片(100，200)。(10)，使得形成包括碳化硅且附着到载体晶片
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公开(公告)号：CN119730320A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202411306830.7
申请日：2024-09-19
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Inventor： R·埃尔佩尔特 , F·J·桑托斯罗德里格斯 , B·齐佩利乌斯 , A·韦莱 , A·布雷梅瑟
Abstract: 本公开涉及具有碳化硅部分和玻璃结构的半导体装置以及制造的方法。一种半导体装置(500)包括单晶碳化硅部分(100)，所述单晶碳化硅部分(100)具有第一表面(101)、相对的第二表面(102)和在第二表面(102)的方向上从第一表面(101)延伸的第三表面(103)。沿着第三表面(103)，氢原子和/或除硅之外并且具有大于六的原子序数的一种或多种非金属元素的原子使碳化硅部分(100)的悬空键饱和，和/或钝化涂层(210)与第三表面(103)直接接触。半导体装置(500)还包括玻璃结构(250)以及第三表面(103)和玻璃结构(250)之间的界面层结构(220)。
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