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公开(公告)号：CN112420504B
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202010849483.8
申请日：2020-08-21
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: H01L21/304
Abstract: 公开了母衬底、晶片复合体以及制造晶体衬底和半导体器件的方法。提供了包括中心区(110)和边缘区(180)的母衬底(100)。边缘区(180)围绕中心区(110)。在中心区(110)中形成脱附层(150)。脱附层(150)与母衬底(100)的主表面(101、102)平行地延伸。脱附层(150)包括改性的衬底材料。在边缘区(180)中形成凹槽(190)。凹槽(190)在横向上包围中心区(110)。凹槽(190)对于脱附层(150)竖向地和/或倾斜地行进。
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公开(公告)号：CN119297156A
公开(公告)日：2025-01-10
申请号：CN202411380502.1
申请日：2019-03-22
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Inventor： H-J·舒尔策 , R·鲁普 , F·J·桑托斯罗德里格斯
IPC: H01L21/78 , H01L21/683 , H10D62/832
Abstract: 在碳化硅中形成半导体器件。一种方法包括提供由碳化硅衬底(130)支撑的外延的碳化硅的第一层(101)；以及在第一层(101)上提供外延的碳化硅的第二层(102)；以及在第二层(102)中形成多个半导体器件(105,105‑1,105‑2,105‑3)；以及在第一层(101)处将衬底(130)与第二层(102)分离。第一层(101)包括多个孔隙。
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公开(公告)号：CN108074995B
公开(公告)日：2021-02-23
申请号：CN201711098619.0
申请日：2017-11-09
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Inventor： R·鲁普 , F·J·桑托斯罗德里格斯 , H-J·舒尔策
IPC: H01L31/0224 , H01L31/0236 , H01L31/0745 , H01L31/18
Abstract: 切割半导体晶锭，以获得具有前侧表面和与所述前侧表面平行的后侧表面的半导体切片。钝化层直接形成在所述前侧表面和所述后侧表面中的至少一个上。由碳化硅、三元氮化物和三元碳化物中的至少一种形成的阻挡层形成在所述后侧表面上。
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公开(公告)号：CN106409669B
公开(公告)日：2020-06-30
申请号：CN201610824797.6
申请日：2016-07-29
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Inventor： W·莱纳特 , R·鲁普 , F·J·桑托斯罗德里格斯
IPC: H01L21/30 , H01L21/304 , H01L23/13
Abstract: 本发明涉及形成晶片结构的方法、形成半导体器件的方法和晶片结构。提供一种生产半导体器件和晶片结构的方法。该方法包括：将包括碳化硅的施主晶片(10)附着到包括石墨的载体晶片(20)；沿着内部剥离层(13)分离施主晶片(10)，使得形成包括碳化硅且附着到载体晶片(20)的分离层(1)；在分离层(1)的内部部分之上移除载体晶片(20)，同时留下附着到分离层(1)的载体晶片(20)的剩余部分(20’)以形成被部分支撑的晶片(100，200)；以及进一步处理被部分支撑的晶片(100，200)。
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公开(公告)号：CN106409669A
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201610824797.6
申请日：2016-07-29
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Inventor： W·莱纳特 , R·鲁普 , F·J·桑托斯罗德里格斯
IPC: H01L21/30 , H01L21/304 , H01L23/13
CPC classification number: H01L21/7813 , H01L21/02002 , H01L21/76254 , H01L21/78 , H01L29/1608 , H01L29/861 , H01L21/30 , H01L21/304 , H01L23/13
Abstract: 本发明涉及形成晶片结构的方法、形成半导体器件的方法和晶片结构。提供一种生产半导体器件和晶片结构的方法。该方法包括：将包括碳化硅的施主晶片(10)附着到包括石墨的载体晶片(20)；沿着内部剥离层(13)分离施主晶片(20)的分离层(1)；在分离层(1)的内部部分之上移除载体晶片(20)，同时留下附着到分离层(1)的载体晶片(20)的剩余部分(20’)以形成被部分支撑的晶片(100，200)；以及进一步处理被部分支撑的晶片(100，200)。(10)，使得形成包括碳化硅且附着到载体晶片
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118841319A
公开(公告)日：2024-10-25
申请号：CN202410827314.2
申请日：2020-03-06
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Inventor： I·莫德 , B·戈勒 , T·F·W·黑希鲍尔 , R·鲁普 , F·J·桑托斯罗德里格斯 , H-J·舒尔策
IPC: H01L21/3063 , H01L21/265 , H01L21/304 , H01L21/20 , H01L29/78 , H01L29/739
Abstract: 公开了具有多孔部分的半导体器件、晶片复合体和制造半导体器件的方法。一种半导体衬底(700)，包括基底部分(705)、辅助层(710)和表面层(720)。辅助层(710)形成在基底部分(705)上。表面层(720)形成在辅助层(710)上。表面层(720)与半导体衬底(700)的第一主表面(701)接触。辅助层(710)具有与基底部分(705)和表面层(720)不同的电化学溶解效率。辅助层(710)的至少一部分和表面层(720)的一部分被转换成多孔结构(820)。随后，在第一主表面(701)上形成外延层(730)。
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公开(公告)号：CN112420504A
公开(公告)日：2021-02-26
申请号：CN202010849483.8
申请日：2020-08-21
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: H01L21/304
Abstract: 公开了母衬底、晶片复合体以及制造晶体衬底和半导体器件的方法。提供了包括中心区(110)和边缘区(180)的母衬底(100)。边缘区(180)围绕中心区(110)。在中心区(110)中形成脱附层(150)。脱附层(150)与母衬底(100)的主表面(101、102)平行地延伸。脱附层(150)包括改性的衬底材料。在边缘区(180)中形成凹槽(190)。凹槽(190)在横向上包围中心区(110)。凹槽(190)对于脱附层(150)竖向地和/或倾斜地行进。
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公开(公告)号：CN106449507B
公开(公告)日：2020-01-14
申请号：CN201610848656.8
申请日：2016-07-29
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Inventor： W·莱纳特 , R·鲁普 , F·J·桑托斯罗德里格斯 , H-J·舒尔策
IPC: H01L21/683 , H01L21/78
Abstract: 本发明涉及用于形成半导体器件的方法以及半导体器件。提供了一种形成半导体器件的方法以及一种半导体器件。该方法包括：提供晶片堆叠(40)，该晶片堆叠(40)包括包含石墨的载体晶片(20)和包含宽带隙半导体材料且具有第一侧(21)和与第一侧(21)相对的第二侧(22)的器件晶片(1、2)，第二侧(22)附着到载体晶片(20)；限定晶片堆叠(40)的器件区(D)；部分地去除载体晶片(20)使得在布置于各自器件区(D)内的载体晶片(20)中形成开口(25)，且使得器件晶片(1、2)被载体晶片(20)的剩余部(20’)支撑；和进一步处理器件晶片(1、2)同时器件晶片(1、2)保持由载体晶片(20)的剩余部(20’)支撑。
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公开(公告)号：CN108074995A
公开(公告)日：2018-05-25
申请号：CN201711098619.0
申请日：2017-11-09
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Inventor： R·鲁普 , F·J·桑托斯罗德里格斯 , H-J·舒尔策
IPC: H01L31/0224 , H01L31/0236 , H01L31/0745 , H01L31/18
Abstract: 切割半导体晶锭，以获得具有前侧表面和与所述前侧表面平行的后侧表面的半导体切片。钝化层直接形成在所述前侧表面和所述后侧表面中的至少一个上。由碳化硅、三元氮化物和三元碳化物中的至少一种形成的阻挡层形成在所述后侧表面上。
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公开(公告)号：CN106449507A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201610848656.8
申请日：2016-07-29
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Inventor： W·莱纳特 , R·鲁普 , F·J·桑托斯罗德里格斯 , H-J·舒尔策
IPC: H01L21/683 , H01L21/78
Abstract: 本发明涉及用于形成半导体器件的方法以及半导体器件。提供了一种形成半导体器件的方法以及一种半导体器件。该方法包括：提供晶片堆叠(40)，该晶片堆叠(40)包括包含石墨的载体晶片(20)和包含宽带隙半导体材料且具有第一侧(21)和与第一侧(21)相对的第二侧(22)的器件晶片(1、2)，第二侧(22)附着到载体晶片(20)；限定晶片堆叠(40)的器件区(D)；部分地去除载体晶片(20)使得在布置于各自器件区(D)内的载体晶片(20)中形成开口(25)，且使得器件晶片(1、2)被载体晶片(20)的剩余部(20’)支撑；和进一步处理器件晶片(1、2)同时器件晶片(1、2)保持由载体晶片(20)的剩余部(20’)支撑。
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