公开(公告)号：CN112420504B

公开(公告)日：2025-03-28

申请号：CN202010849483.8

申请日：2020-08-21

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： R·里斯克 ,  A·宾特 ,  W·迪瓦尔德 ,  B·戈勒 ,  H·格拉夫 ,  G·拉克纳 ,  J·里希特 ,  R·鲁普 ,  G·沙格尔 ,  M·施沃博达

IPC: H01L21/304

Abstract: 公开了母衬底、晶片复合体以及制造晶体衬底和半导体器件的方法。提供了包括中心区(110)和边缘区(180)的母衬底(100)。边缘区(180)围绕中心区(110)。在中心区(110)中形成脱附层(150)。脱附层(150)与母衬底(100)的主表面(101、102)平行地延伸。脱附层(150)包括改性的衬底材料。在边缘区(180)中形成凹槽(190)。凹槽(190)在横向上包围中心区(110)。凹槽(190)对于脱附层(150)竖向地和/或倾斜地行进。

公开(公告)号：CN112420504A

公开(公告)日：2021-02-26

申请号：CN202010849483.8

申请日：2020-08-21

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： R·里斯克 ,  A·宾特 ,  W·迪瓦尔德 ,  B·戈勒 ,  H·格拉夫 ,  G·拉克纳 ,  J·里希特 ,  R·鲁普 ,  G·沙格尔 ,  M·施沃博达

IPC: H01L21/304

Abstract: 公开了母衬底、晶片复合体以及制造晶体衬底和半导体器件的方法。提供了包括中心区(110)和边缘区(180)的母衬底(100)。边缘区(180)围绕中心区(110)。在中心区(110)中形成脱附层(150)。脱附层(150)与母衬底(100)的主表面(101、102)平行地延伸。脱附层(150)包括改性的衬底材料。在边缘区(180)中形成凹槽(190)。凹槽(190)在横向上包围中心区(110)。凹槽(190)对于脱附层(150)竖向地和/或倾斜地行进。