公开(公告)号：CN112420504B

公开(公告)日：2025-03-28

申请号：CN202010849483.8

申请日：2020-08-21

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： R·里斯克 ,  A·宾特 ,  W·迪瓦尔德 ,  B·戈勒 ,  H·格拉夫 ,  G·拉克纳 ,  J·里希特 ,  R·鲁普 ,  G·沙格尔 ,  M·施沃博达

IPC: H01L21/304

Abstract: 公开了母衬底、晶片复合体以及制造晶体衬底和半导体器件的方法。提供了包括中心区(110)和边缘区(180)的母衬底(100)。边缘区(180)围绕中心区(110)。在中心区(110)中形成脱附层(150)。脱附层(150)与母衬底(100)的主表面(101、102)平行地延伸。脱附层(150)包括改性的衬底材料。在边缘区(180)中形成凹槽(190)。凹槽(190)在横向上包围中心区(110)。凹槽(190)对于脱附层(150)竖向地和/或倾斜地行进。

公开(公告)号：CN115246049A

公开(公告)日：2022-10-28

申请号：CN202210450753.7

申请日：2022-04-27

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： M·D·斯沃博达 ,  B·伯纳德 ,  A·宾特 ,  H·格拉夫 ,  R·里斯克 ,  M·斯蒂芬内利 ,  A·乌尔里希

IPC: B23K26/38 ,  B23K26/53 ,  B23K26/70 ,  H01L21/304

Abstract: 一种分割半导体工件的方法，包括：在半导体工件内形成分离区带，其中，形成分离区带包括在至少一种物理性质方面在分离区带内的多个目标位置处对半导体工件的半导体材料进行改性，其增加分离区带内相对于半导体工件的其余部分的热机械应力，其中，在目标位置中的一个目标位置中对半导体材料进行改性包括将至少两个激光束聚焦到目标位置；以及，向半导体工件施加外力或应力，使得至少一个裂纹沿分离区带传播，并且半导体工件分成两个单独的工件。还描述了附加的工件分割技术和用于补偿分割过程期间发生的工件变形的技术。

公开(公告)号：CN112420504A

公开(公告)日：2021-02-26

申请号：CN202010849483.8

申请日：2020-08-21

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： R·里斯克 ,  A·宾特 ,  W·迪瓦尔德 ,  B·戈勒 ,  H·格拉夫 ,  G·拉克纳 ,  J·里希特 ,  R·鲁普 ,  G·沙格尔 ,  M·施沃博达

IPC: H01L21/304

Abstract: 公开了母衬底、晶片复合体以及制造晶体衬底和半导体器件的方法。提供了包括中心区(110)和边缘区(180)的母衬底(100)。边缘区(180)围绕中心区(110)。在中心区(110)中形成脱附层(150)。脱附层(150)与母衬底(100)的主表面(101、102)平行地延伸。脱附层(150)包括改性的衬底材料。在边缘区(180)中形成凹槽(190)。凹槽(190)在横向上包围中心区(110)。凹槽(190)对于脱附层(150)竖向地和/或倾斜地行进。