公开(公告)号：CN115246049A

公开(公告)日：2022-10-28

申请号：CN202210450753.7

申请日：2022-04-27

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： M·D·斯沃博达 ,  B·伯纳德 ,  A·宾特 ,  H·格拉夫 ,  R·里斯克 ,  M·斯蒂芬内利 ,  A·乌尔里希

IPC: B23K26/38 ,  B23K26/53 ,  B23K26/70 ,  H01L21/304

Abstract: 一种分割半导体工件的方法，包括：在半导体工件内形成分离区带，其中，形成分离区带包括在至少一种物理性质方面在分离区带内的多个目标位置处对半导体工件的半导体材料进行改性，其增加分离区带内相对于半导体工件的其余部分的热机械应力，其中，在目标位置中的一个目标位置中对半导体材料进行改性包括将至少两个激光束聚焦到目标位置；以及，向半导体工件施加外力或应力，使得至少一个裂纹沿分离区带传播，并且半导体工件分成两个单独的工件。还描述了附加的工件分割技术和用于补偿分割过程期间发生的工件变形的技术。