公开(公告)号：CN118782541A

公开(公告)日：2024-10-15

申请号：CN202410401018.6

申请日：2024-04-03

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： F-J·皮克勒 ,  B·伯纳德 ,  M·斯蒂芬内利

IPC: H01L21/78 ,  B23K26/50

Abstract: 本公开涉及用于将管芯与半导体衬底分离的方法，包括：提供半导体衬底，其包括与半导体衬底的第一表面邻接的管芯；经第一表面，将半导体衬底附接到载体；通过经半导体衬底的第二表面将激光照射引入到半导体衬底的内部，在半导体衬底中产生第一变型，第一变型在第一表面和半导体衬底的内部的垂直水平之间延伸；通过经半导体衬底的第二表面将激光照射引入到半导体衬底的内部，在半导体衬底中产生第二变型，其将半导体衬底细分成第一表面和第二变型之间的第一部分以及第二表面和第二变型之间的第二部分；沿着由第二变型定义的第一分离区域，将半导体衬底的第一部分与半导体衬底的第二部分分离；沿着由第一变型定义的第二分离区域，将管芯彼此分离。

公开(公告)号：CN115246049A

公开(公告)日：2022-10-28

申请号：CN202210450753.7

申请日：2022-04-27

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： M·D·斯沃博达 ,  B·伯纳德 ,  A·宾特 ,  H·格拉夫 ,  R·里斯克 ,  M·斯蒂芬内利 ,  A·乌尔里希

IPC: B23K26/38 ,  B23K26/53 ,  B23K26/70 ,  H01L21/304

Abstract: 一种分割半导体工件的方法，包括：在半导体工件内形成分离区带，其中，形成分离区带包括在至少一种物理性质方面在分离区带内的多个目标位置处对半导体工件的半导体材料进行改性，其增加分离区带内相对于半导体工件的其余部分的热机械应力，其中，在目标位置中的一个目标位置中对半导体材料进行改性包括将至少两个激光束聚焦到目标位置；以及，向半导体工件施加外力或应力，使得至少一个裂纹沿分离区带传播，并且半导体工件分成两个单独的工件。还描述了附加的工件分割技术和用于补偿分割过程期间发生的工件变形的技术。