公开(公告)号：CN119069513A

公开(公告)日：2024-12-03

申请号：CN202410697711.2

申请日：2024-05-31

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： F-J·皮克勒 ,  林峰 ,  M·奥马齐克 ,  邓慧琴 ,  A·R·穆罕默迪

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/16 ,  H01L21/78

Abstract: 本公开涉及碳化硅芯片、半导体装置和用于制造碳化硅芯片的方法。一种碳化硅芯片包括：第一主表面；第二主表面；和侧面，其中在所述碳化硅材料中测量的所述侧面和水平平面之间的角度α大于78°，在与所述第二主表面相邻的区中测量所述角度α。

公开(公告)号：CN118782541A

公开(公告)日：2024-10-15

申请号：CN202410401018.6

申请日：2024-04-03

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： F-J·皮克勒 ,  B·伯纳德 ,  M·斯蒂芬内利

IPC: H01L21/78 ,  B23K26/50

Abstract: 本公开涉及用于将管芯与半导体衬底分离的方法，包括：提供半导体衬底，其包括与半导体衬底的第一表面邻接的管芯；经第一表面，将半导体衬底附接到载体；通过经半导体衬底的第二表面将激光照射引入到半导体衬底的内部，在半导体衬底中产生第一变型，第一变型在第一表面和半导体衬底的内部的垂直水平之间延伸；通过经半导体衬底的第二表面将激光照射引入到半导体衬底的内部，在半导体衬底中产生第二变型，其将半导体衬底细分成第一表面和第二变型之间的第一部分以及第二表面和第二变型之间的第二部分；沿着由第二变型定义的第一分离区域，将半导体衬底的第一部分与半导体衬底的第二部分分离；沿着由第一变型定义的第二分离区域，将管芯彼此分离。

公开(公告)号：CN117334620A

公开(公告)日：2024-01-02

申请号：CN202310799280.6

申请日：2023-06-30

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： G·朗格 ,  B·戈勒 ,  N·米什拉 ,  M·皮钦 ,  F-J·皮克勒

IPC: H01L21/683

Abstract: 公开了在半导体本体(102)中制造半导体器件的方法。方法包括在半导体本体(102)的第一表面(104)处对半导体本体(102)进行处理。方法还包括将半导体本体(102)经由第一表面(104)附接到载体(106)。载体(106)包括内部部分(1061)和至少部分地围绕内部部分(1061)的外部部分(1062)。方法还包括在与第一表面(104)相对的第二表面处对半导体本体(102)进行处理。方法还包括将载体(106)的内部部分(1061)从半导体本体(102)拆离。

公开(公告)号：CN115870644A

公开(公告)日：2023-03-31

申请号：CN202211196842.X

申请日：2022-09-29

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： F-J·皮克勒 ,  J·穆勒 ,  C·阿哈默 ,  G·拉克纳 ,  W·H·莱特格布

IPC: B23K26/70 ,  B23K26/38 ,  B23K37/04 ,  H01L21/687

Abstract: 本公开涉及用于激光束晶片划切设备的晶片卡盘。用于激光束晶片划切设备的卡盘包括晶片支撑板，该晶片支撑板具有用于保持设置在划切带上的晶片的上表面。上表面包括形貌结构化表面区，当设置在划切带上的晶片放置在上表面上时，该形貌结构化表面区部分地或完全地与晶片边缘重叠。形貌结构化表面区提供上表面和划切带之间的接触面积的减小。

公开(公告)号：CN115846914A

公开(公告)日：2023-03-28

申请号：CN202211163541.7

申请日：2022-09-23

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： F-J·皮克勒 ,  J·穆勒 ,  C·阿哈默 ,  G·拉克纳 ,  W·H·莱特格布

IPC: B23K26/70 ,  B23K26/38 ,  H01L21/687 ,  H01L21/78

Abstract: 本公开涉及用于激光束晶片划切设备的晶片卡盘。用于激光束晶片划切设备的卡盘包括晶片支撑板，该晶片支撑板具有用于保持设置在划切带上的晶片的上表面。上表面包括：环形槽，当设置在划切带上的晶片放置在上表面上时，该环形槽与晶片边缘重叠。晶片支撑板包括被配置成对环形槽进行通风的通风通道。