公开(公告)号：CN119324147A

公开(公告)日：2025-01-17

申请号：CN202410934504.4

申请日：2024-07-12

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： M·皮钦

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/04 ,  H10D8/00 ,  H10D30/63 ,  H10D12/00

Abstract: 本公开涉及包括具有多孔碳化硅层的转移箔的复合衬底、功率半导体装置和制造的方法。一种制造碳化硅装置的方法包括形成包括多孔碳化硅层(116)的转移箔(110)。复合衬底(100)被形成，所述复合衬底(100)包括转移箔(110)和支撑衬底(190)，其中使转移箔(110)和支撑衬底(190)彼此接触并且彼此连接。外延层(120)被形成在多孔碳化硅层(116)的与支撑衬底(190)相对的一侧。复合衬底(100)被划分为装置衬底(150)和回收衬底(160)，其中装置衬底(150)包括外延层(120)，并且回收衬底(160)包括支撑衬底(190)。

公开(公告)号：CN115863158A

公开(公告)日：2023-03-28

申请号：CN202211163563.3

申请日：2022-09-23

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： H-J·舒尔茨 ,  M·德拉吉奇 ,  M·皮钦 ,  M·D·斯沃博达

IPC: H01L21/265 ,  H01L21/304 ,  H01L21/04 ,  H01L29/06

Abstract: 提出了一种制造半导体器件（100）的方法。该方法包括提供包括第一导电类型的衬底部分的母衬底（102）。该方法还包括通过穿过母衬底（102）的第一表面的元素的离子注入工艺在母衬底（102）中形成吸收层（106）。该方法还包括在母衬底（102）的第一表面（108）上形成半导体层结构（110）。该方法还包括穿过分离层（114）沿着分割区段（112）分割母衬底（102）。分离层（114）布置在吸收层（106）和母衬底（102）的第二表面（116）之间，与吸收层相距垂直距离（d）。

公开(公告)号：CN117334620A

公开(公告)日：2024-01-02

申请号：CN202310799280.6

申请日：2023-06-30

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： G·朗格 ,  B·戈勒 ,  N·米什拉 ,  M·皮钦 ,  F-J·皮克勒

IPC: H01L21/683

Abstract: 公开了在半导体本体(102)中制造半导体器件的方法。方法包括在半导体本体(102)的第一表面(104)处对半导体本体(102)进行处理。方法还包括将半导体本体(102)经由第一表面(104)附接到载体(106)。载体(106)包括内部部分(1061)和至少部分地围绕内部部分(1061)的外部部分(1062)。方法还包括在与第一表面(104)相对的第二表面处对半导体本体(102)进行处理。方法还包括将载体(106)的内部部分(1061)从半导体本体(102)拆离。

公开(公告)号：CN118140294A

公开(公告)日：2024-06-04

申请号：CN202280070972.0

申请日：2022-10-21

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： B·戈勒 ,  A·C·宾特 ,  T·F·W·霍克鲍尔 ,  M·胡贝尔 ,  I·莫德尔 ,  M·皮钦 ,  F·J·桑托斯罗德里格斯 ,  H-J·舒尔茨

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/78 ,  H01L21/306 ,  H01L21/683

Abstract: 一种处理半导体晶片的方法包括：在所述半导体晶片的第一主表面之上形成一个或多个外延层；在所述半导体晶片中或在所述一个或多个外延层中形成一个或多个多孔层，其中所述半导体晶片、所述一个或多个外延层和所述一个或多个多孔层共同形成衬底；在所述一个或多个外延层中形成半导体装置的掺杂区；并且在形成所述半导体装置的所述掺杂区之后，沿着所述一个或多个多孔层将所述半导体晶片的非多孔部分与所述衬底的其余部分分离。