公开(公告)号：CN118140294A

公开(公告)日：2024-06-04

申请号：CN202280070972.0

申请日：2022-10-21

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： B·戈勒 ,  A·C·宾特 ,  T·F·W·霍克鲍尔 ,  M·胡贝尔 ,  I·莫德尔 ,  M·皮钦 ,  F·J·桑托斯罗德里格斯 ,  H-J·舒尔茨

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/78 ,  H01L21/306 ,  H01L21/683

Abstract: 一种处理半导体晶片的方法包括：在所述半导体晶片的第一主表面之上形成一个或多个外延层；在所述半导体晶片中或在所述一个或多个外延层中形成一个或多个多孔层，其中所述半导体晶片、所述一个或多个外延层和所述一个或多个多孔层共同形成衬底；在所述一个或多个外延层中形成半导体装置的掺杂区；并且在形成所述半导体装置的所述掺杂区之后，沿着所述一个或多个多孔层将所述半导体晶片的非多孔部分与所述衬底的其余部分分离。