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公开(公告)号：CN111682007A
公开(公告)日：2020-09-18
申请号：CN202010305127.X
申请日：2017-05-19
申请人： 英飞凌科技股份有限公司
发明人： M·鲍尔 , J·丹格尔迈尔 , R·恩格尔 , J·加特鲍尔 , F·希勒 , M·许廷格 , W·卡纳特 , H·克尔纳 , J·马勒 , B·吕勒 , F·J·桑托斯罗德里格斯 , A·韦莱伊
摘要： 在各种实施例中，提供了芯片封装体。所述芯片封装体可包括：芯片；包括非贵金属并且电接触所述芯片的金属接触结构；封装材料；和保护层，所述保护层包括或基本上由在所述金属接触结构的一部分与所述封装材料之间的接合面处形成的部分组成，其中，所述保护层可包括贵金属，所述保护层的所述部分可包括多个不含所述贵金属的区域，所述不含所述贵金属的区域可提供所述封装材料与所述金属接触结构的非贵金属之间的接合面。
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公开(公告)号：CN105810595B
公开(公告)日：2019-01-22
申请号：CN201610042137.2
申请日：2016-01-21
申请人： 英飞凌科技股份有限公司
摘要： 一种用于处理产品衬底的方法包括将承载体粘结至产品衬底。将永久性粘合剂的层施加到承载体的表面上。提供结构化的中间层。所施加的永久性粘合剂将承载体粘结至产品衬底。结构化的中间层布置在产品衬底与承载体之间。结构化的中间层的表面和永久性粘合剂的表面与产品衬底的表面直接接触。结构化的中间层减小产品衬底与承载体之间的粘合强度。
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公开(公告)号：CN118074744A
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202311562467.0
申请日：2023-11-22
申请人： 英飞凌科技股份有限公司
IPC分类号： H04B1/401 , H04B1/04 , H04B1/12 , H04B17/364
摘要： 本公开涉及控制射频路径的设备和方法。根据实施例，提供了一种设备，包括接收第一时钟信号的接口。延迟电路(15)基于延迟控制信号将可变延迟添加到所述第一时钟信号(ck1)以生成具有可变延迟的第二时钟信号(ck2)。所述延迟控制信号由所述第二时钟信号(ck2)计时的控制器(12)来生成。所述设备还包括射频路径(14)。所述设备(10)基于所述第二时钟信号(ck2)来控制所述射频路径(14)。
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公开(公告)号：CN110600430B
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN201910509587.1
申请日：2019-06-13
申请人： 英飞凌科技股份有限公司
IPC分类号： H01L21/98 , H01L25/18 , H01L23/055 , H01L21/67
摘要： 本发明提供了一种用于操纵半导体器件的包封材料中包含的离子的方法。所述方法包括处理包封材料，并且在包封材料被最终固化之前将电场施加到包封材料。包封材料中包含的离子具有随着包封材料固化而降低的迁移率。通过在包封材料被最终固化之前将电场施加到包封材料，减少了包封材料中包含的离子的量和/或将包含的离子浓缩在包封材料的一个或多个区域中。还描述了通过该方法制造的对应装置和半导体封装。
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公开(公告)号：CN110600430A
公开(公告)日：2019-12-20
申请号：CN201910509587.1
申请日：2019-06-13
申请人： 英飞凌科技股份有限公司
IPC分类号： H01L21/98 , H01L25/18 , H01L23/055 , H01L21/67
摘要： 本发明提供了一种用于操纵半导体器件的包封材料中包含的离子的方法。所述方法包括处理包封材料，并且在包封材料被最终固化之前将电场施加到包封材料。包封材料中包含的离子具有随着包封材料固化而降低的迁移率。通过在包封材料被最终固化之前将电场施加到包封材料，减少了包封材料中包含的离子的量和/或将包含的离子浓缩在包封材料的一个或多个区域中。还描述了通过该方法制造的对应装置和半导体封装。
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公开(公告)号：CN105006463A
公开(公告)日：2015-10-28
申请号：CN201510179207.4
申请日：2015-04-15
申请人： 英飞凌科技股份有限公司
IPC分类号： H01L23/495 , H01L23/12
CPC分类号： H01L25/0657 , H01L21/56 , H01L23/3121 , H01L23/49541 , H01L23/49548 , H01L25/0655 , H01L25/50 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 本发明涉及用于制造半导体封装件的方法和半导体封装件，提供了一种用于制造半导体封装件的方法，包括：提供包括孔径的第一衬底，提供第一半导体芯片，将所述第一半导体芯片连接至所述第一衬底，使用第一绝缘材料填充所述孔径，以及使用第二绝缘材料包封所述半导体芯片，以创建第一包封体。
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公开(公告)号：CN111682007B
公开(公告)日：2023-10-13
申请号：CN202010305127.X
申请日：2017-05-19
申请人： 英飞凌科技股份有限公司
发明人： M·鲍尔 , J·丹格尔迈尔 , R·恩格尔 , J·加特鲍尔 , F·希勒 , M·许廷格 , W·卡纳特 , H·克尔纳 , J·马勒 , B·吕勒 , F·J·桑托斯罗德里格斯 , A·韦莱伊
摘要： 在各种实施例中，提供了芯片封装体。所述芯片封装体可包括：芯片；包括非贵金属并且电接触所述芯片的金属接触结构；封装材料；和保护层，所述保护层包括或基本上由在所述金属接触结构的一部分与所述封装材料之间的接合面处形成的部分组成，其中，所述保护层可包括贵金属，所述保护层的所述部分可包括多个不含所述贵金属的区域，所述不含所述贵金属的区域可提供所述封装材料与所述金属接触结构的非贵金属之间的接合面。
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公开(公告)号：CN107403763A
公开(公告)日：2017-11-28
申请号：CN201710357010.4
申请日：2017-05-19
申请人： 英飞凌科技股份有限公司
摘要： 在各种实施例中，提供了一种芯片封装体。所述芯片封装体可包括包含芯片金属表面的芯片、与所述芯片金属表面电接触的金属接触结构以及包括与所述芯片金属表面和/或与所述金属接触结构物理接触的接触层的封装材料；其中，至少在所述封装材料的接触层中，化学活性的硫、化学活性的硒和化学活性的碲的总浓度小于百万分之10个原子。
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公开(公告)号：CN107403782B
公开(公告)日：2020-05-19
申请号：CN201710358120.2
申请日：2017-05-19
申请人： 英飞凌科技股份有限公司
发明人： M·鲍尔 , J·丹格尔迈尔 , R·恩格尔 , J·加特鲍尔 , F·希勒 , M·许廷格 , W·卡纳特 , H·克尔纳 , J·马勒 , B·吕勒 , F·J·桑托斯罗德里格斯 , A·韦莱伊
摘要： 在各种实施例中，提供了芯片封装体。所述芯片封装体可包括：芯片；包括非贵金属并且电接触所述芯片的金属接触结构；封装材料；和保护层，所述保护层包括或基本上由在所述金属接触结构的一部分与所述封装材料之间的接合面处形成的部分组成，其中，所述保护层可包括贵金属，所述保护层的所述部分可包括多个不含所述贵金属的区域，所述不含所述贵金属的区域可提供所述封装材料与所述金属接触结构的非贵金属之间的接合面。
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公开(公告)号：CN107403763B
公开(公告)日：2019-10-18
申请号：CN201710357010.4
申请日：2017-05-19
申请人： 英飞凌科技股份有限公司
摘要： 在各种实施例中，提供了一种芯片封装体。所述芯片封装体可包括包含芯片金属表面的芯片、与所述芯片金属表面电接触的金属接触结构以及包括与所述芯片金属表面和/或与所述金属接触结构物理接触的接触层的封装材料；其中，至少在所述封装材料的接触层中，化学活性的硫、化学活性的硒和化学活性的碲的总浓度小于百万分之10个原子。
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