公开(公告)号：CN105810595B

公开(公告)日：2019-01-22

申请号：CN201610042137.2

申请日：2016-01-21

申请人： 英飞凌科技股份有限公司

发明人： M·鲍尔 ,  H·德普克 ,  D·迈尔 ,  G·迈尔-贝格 ,  D·波尔沃尔 ,  T·施密特 ,  C·冯韦希特尔

IPC分类号： H01L21/50 ,  H01L21/78

摘要： 一种用于处理产品衬底的方法包括将承载体粘结至产品衬底。将永久性粘合剂的层施加到承载体的表面上。提供结构化的中间层。所施加的永久性粘合剂将承载体粘结至产品衬底。结构化的中间层布置在产品衬底与承载体之间。结构化的中间层的表面和永久性粘合剂的表面与产品衬底的表面直接接触。结构化的中间层减小产品衬底与承载体之间的粘合强度。

公开(公告)号：CN107275235A

公开(公告)日：2017-10-20

申请号：CN201710217630.8

申请日：2017-04-05

申请人： 英飞凌科技股份有限公司

发明人： E·富尔古特 ,  H·德普克 ,  O·霍尔菲尔德 ,  M·朱尔斯

IPC分类号： H01L21/56 ,  H01L25/07 ,  H01L23/538 ,  H01L23/49 ,  H01L23/29 ,  H01L23/31

摘要： 一种方法，包括提供载体，将至少一个半导体芯片布置到载体上，半导体芯片包括在半导体芯片的远离载体的主面上的至少一个接触焊盘，将接触元件施加到接触焊盘上，将介电层施加在载体、半导体芯片和接触元件上，并且将包封剂施加到介电层上。

公开(公告)号：CN107275235B

公开(公告)日：2020-06-16

申请号：CN201710217630.8

申请日：2017-04-05

申请人： 英飞凌科技股份有限公司

发明人： E·富尔古特 ,  H·德普克 ,  O·霍尔菲尔德 ,  M·朱尔斯

IPC分类号： H01L21/56 ,  H01L25/07 ,  H01L23/538 ,  H01L23/49 ,  H01L23/29 ,  H01L23/31

摘要： 一种方法，包括提供载体，将至少一个半导体芯片布置到载体上，半导体芯片包括在半导体芯片的远离载体的主面上的至少一个接触焊盘，将接触元件施加到接触焊盘上，将介电层施加在载体、半导体芯片和接触元件上，并且将包封剂施加到介电层上。

公开(公告)号：CN105810595A

公开(公告)日：2016-07-27

申请号：CN201610042137.2

申请日：2016-01-21

申请人： 英飞凌科技股份有限公司

发明人： M·鲍尔 ,  H·德普克 ,  D·迈尔 ,  G·迈尔-贝格 ,  D·波尔沃尔 ,  T·施密特 ,  C·冯韦希特尔

IPC分类号： H01L21/50 ,  H01L21/78

CPC分类号： H01L21/78 ,  B32B37/26 ,  H01L21/565 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/562 ,  H01L2221/68318 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68381 ,  H05K3/007 ,  Y10S156/93 ,  Y10S156/941 ,  H01L21/50 ,  H01L21/7813

摘要： 一种用于处理产品衬底的方法包括将承载体粘结至产品衬底。将永久性粘合剂的层施加到承载体的表面上。提供结构化的中间层。所施加的永久性粘合剂将承载体粘结至产品衬底。结构化的中间层布置在产品衬底与承载体之间。结构化的中间层的表面和永久性粘合剂的表面与产品衬底的表面直接接触。结构化的中间层减小产品衬底与承载体之间的粘合强度。