公开(公告)号：CN107785251B

公开(公告)日：2021-10-15

申请号：CN201710740763.3

申请日：2017-08-25

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： R·K·乔希 ,  K-H·旺 ,  S·维尔克菲尔

IPC: H01L21/285 ,  H01L29/45

Abstract: 一种制造半导体器件的方法包括在半导体衬底的表面之上形成阻挡层。通过使所述阻挡层的暴露表面经受表面处理工艺来形成经处理的阻挡层。所述表面处理工艺包括用反应性材料处理所述表面。在所述经处理的阻挡层之上形成材料层。所述材料层包括金属。

公开(公告)号：CN107785251A

公开(公告)日：2018-03-09

申请号：CN201710740763.3

申请日：2017-08-25

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： R·K·乔希 ,  K-H·旺 ,  S·维尔克菲尔

IPC: H01L21/285 ,  H01L29/45

CPC classification number: H01L21/324 ,  H01L21/32134 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/7397 ,  H01L21/28512 ,  H01L21/28568 ,  H01L29/456

Abstract: 一种制造半导体器件的方法包括在半导体衬底的表面之上形成阻挡层。通过使所述阻挡层的暴露表面经受表面处理工艺来形成经处理的阻挡层。所述表面处理工艺包括用反应性材料处理所述表面。在所述经处理的阻挡层之上形成材料层。所述材料层包括金属。