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公开(公告)号：CN116895536A
公开(公告)日：2023-10-17
申请号：CN202310350715.9
申请日：2023-04-03
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: H01L21/48 , H01L21/04 , H01L23/482 , H01L21/02
Abstract: 公开了具有金属硅化物层的半导体器件。提供一种半导体器件和制造半导体器件的方法。在实施例中，提供了一种制造半导体器件的方法。在碳化硅(SiC)层上形成第一层。第一层具有远离SiC层的第一表面和靠近SiC层的第二表面。第一层包括金属。可以将第一热能引导到第一层的第一表面以由第一层的金属和SiC层的硅形成金属硅化物层。金属硅化物层具有远离SiC层的第一表面和靠近SiC层的第二表面。可以将第二热能引导到金属硅化物层的第一表面以降低金属硅化物层的第一表面的表面粗糙度。
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