公开(公告)号：CN114864677A

公开(公告)日：2022-08-05

申请号：CN202210113386.1

申请日：2022-01-30

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： R·西门尼克 ,  I·穆里 ,  T·施洛瑟 ,  H-J·舒尔茨 ,  O·斯托贝克

IPC: H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L21/331

Abstract: 公开了晶体管器件及其制造方法。提出了一种晶体管器件(10)。晶体管器件(10)的示例包括半导体本体(100)，其具有第一主表面(101)、与第一主表面(101)相对的第二主表面(102)。晶体管器件(10)进一步包括晶体管单元阵列(610)，其包括多个晶体管单元(TC)。晶体管单元阵列(610)包括在第一主表面(101)上的第一负载电极(L1)。第一负载电极(L1)被电连接到多个晶体管单元(TC)。晶体管单元阵列(610)进一步包括在第二主表面(102)上的第二负载电极(L2)。第二负载电极(L2)被电连接到多个晶体管单元(TC)。多个晶体管单元(TC)包括至少一个控制电极(C)，该至少一个控制电极(C)包括碳。

公开(公告)号：CN118249796A

公开(公告)日：2024-06-25

申请号：CN202311777358.0

申请日：2023-12-22

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： T·施洛瑟 ,  A·赖特霍弗 ,  J·巴伦舍恩

IPC: H03K17/687 ,  H01R27/00

Abstract: 本公开的实施例涉及横向DMOS结构中应力电压的受控切换。实施例涉及集成到半导体衬底中的电路，该电路具有横向场效应晶体管，该横向场效应晶体管具有漂移区和通过隔离区域与漂移区隔离的场板电极。该集成电路还包括与场板电极耦合的第一接头，用于在测试操作中将测试电压施加至场板电极。电子开关被设计为将场板电极连接到在集成电路正常操作期间处于参考电压的电路节点。该集成电路还包括第二接头，该第二接头与电子开关的控制接头连接、并且被设计为接收用于接通或关断电子开关的控制信号。

公开(公告)号：CN116544278A

公开(公告)日：2023-08-04

申请号：CN202310093273.4

申请日：2023-01-31

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： C·D·阮 ,  T·施洛瑟

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/40

Abstract: 公开了包括电介质结构的场效应晶体管。提出了一种场效应晶体管FET(100)。FET(100)包括第一导电类型的源极区(102)，其在半导体本体(108)的第一表面(106)处电连接到源极电极(104)。FET(100)进一步包括第一导电类型的漏极区(110)，其在第一表面(106)处电连接到漏极电极(112)。电介质结构(114)被沿着第一横向方向(x1)布置在源极区(102)和漏极区(110)之间。电介质结构(114)包括在第一表面(106)上的栅极电介质(1141)和具有在第一表面(106)下方的底部侧(115)的场电介质结构(1142)。FET(100)进一步包括在栅极电介质(1141)上的栅极电极(118)。栅极电极(118)和场电介质结构(1142)被沿着第一横向方向(x1)彼此间隔开。FET(100)进一步包括场电极(120)，其具有在场电介质结构(1142)的顶部侧(116)下方的底部侧(121)。