Patent search ap:("英飞凌科技股份有限公司") AND inv:"A·赖特霍弗" Page 1

1.

发明公开
横向DMOS结构中应力电压的受控切换审中-公开

公开(公告)号：CN118249796A

公开(公告)日：2024-06-25

申请号：CN202311777358.0

申请日：2023-12-22

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： T·施洛瑟 , A·赖特霍弗 , J·巴伦舍恩

IPC: H03K17/687 , H01R27/00

Abstract: 本公开的实施例涉及横向DMOS结构中应力电压的受控切换。实施例涉及集成到半导体衬底中的电路，该电路具有横向场效应晶体管，该横向场效应晶体管具有漂移区和通过隔离区域与漂移区隔离的场板电极。该集成电路还包括与场板电极耦合的第一接头，用于在测试操作中将测试电压施加至场板电极。电子开关被设计为将场板电极连接到在集成电路正常操作期间处于参考电压的电路节点。该集成电路还包括第二接头，该第二接头与电子开关的控制接头连接、并且被设计为接收用于接通或关断电子开关的控制信号。

Patent Agency Ranking