公开(公告)号：CN116544278A

公开(公告)日：2023-08-04

申请号：CN202310093273.4

申请日：2023-01-31

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： C·D·阮 ,  T·施洛瑟

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/40

Abstract: 公开了包括电介质结构的场效应晶体管。提出了一种场效应晶体管FET(100)。FET(100)包括第一导电类型的源极区(102)，其在半导体本体(108)的第一表面(106)处电连接到源极电极(104)。FET(100)进一步包括第一导电类型的漏极区(110)，其在第一表面(106)处电连接到漏极电极(112)。电介质结构(114)被沿着第一横向方向(x1)布置在源极区(102)和漏极区(110)之间。电介质结构(114)包括在第一表面(106)上的栅极电介质(1141)和具有在第一表面(106)下方的底部侧(115)的场电介质结构(1142)。FET(100)进一步包括在栅极电介质(1141)上的栅极电极(118)。栅极电极(118)和场电介质结构(1142)被沿着第一横向方向(x1)彼此间隔开。FET(100)进一步包括场电极(120)，其具有在场电介质结构(1142)的顶部侧(116)下方的底部侧(121)。

公开(公告)号：CN118738045A

公开(公告)日：2024-10-01

申请号：CN202410365986.6

申请日：2024-03-28

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： C·C·鲁斯 ,  G-D·克雷图 ,  F·马格里尼 ,  M·埃金格 ,  C·D·阮

IPC: H01L27/02

Abstract: 本公开涉及ESD保护装置。一种可控硅整流器(SCR)包括第一p阱区、第二p阱区和n掺杂区。经安放在第一p阱区中的第一p掺杂抽头区，第一p阱区被耦合到第一触发端子。与第一p阱区相比，第一p掺杂抽头区具有更高的p型掺杂物的浓度。经安放在第二p阱区中的第二p掺杂抽头区，第二p阱区被耦合到第二触发端子。与第二p阱区相比，第二p掺杂抽头区具有更高的p型掺杂物的浓度。