公开(公告)号：CN114256352A

公开(公告)日：2022-03-29

申请号：CN202111093175.8

申请日：2021-09-17

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： R·西门尼克 ,  D·彼得斯

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L29/417

Abstract: 公开了具有条形形状的栅极电极和源极金属化的碳化硅器件。碳化硅器件(500)包括碳化硅本体(100)。碳化硅本体(100)包括中心区(610)和围绕中心区(610)的外周区(690)。中心区(610)包括第一导电类型的源极区(110)。外周区(690)包括第二导电类型的掺杂区(120)。条形形状的栅极电极(155)延伸通过中心区(610)并且进入到外周区(690)中。连续的源极金属化(310)被形成在中心区(610)上和外周区(690)的内部部分上。源极金属化(310)和源极区(110)在中心区(610)中形成第一欧姆接触。源极金属化(310)和掺杂区(120)在外周区(690)中形成第二欧姆接触。

公开(公告)号：CN114864677A

公开(公告)日：2022-08-05

申请号：CN202210113386.1

申请日：2022-01-30

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： R·西门尼克 ,  I·穆里 ,  T·施洛瑟 ,  H-J·舒尔茨 ,  O·斯托贝克

IPC: H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L21/331

Abstract: 公开了晶体管器件及其制造方法。提出了一种晶体管器件(10)。晶体管器件(10)的示例包括半导体本体(100)，其具有第一主表面(101)、与第一主表面(101)相对的第二主表面(102)。晶体管器件(10)进一步包括晶体管单元阵列(610)，其包括多个晶体管单元(TC)。晶体管单元阵列(610)包括在第一主表面(101)上的第一负载电极(L1)。第一负载电极(L1)被电连接到多个晶体管单元(TC)。晶体管单元阵列(610)进一步包括在第二主表面(102)上的第二负载电极(L2)。第二负载电极(L2)被电连接到多个晶体管单元(TC)。多个晶体管单元(TC)包括至少一个控制电极(C)，该至少一个控制电极(C)包括碳。