公开(公告)号：CN118231403A

公开(公告)日：2024-06-21

申请号：CN202311768252.4

申请日：2023-12-21

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： R·迪特米勒 ,  A·科泽尼茨 ,  B·比纳尔 ,  W·瓦格纳 ,  P·C·布兰特 ,  F·希尔 ,  V·科马尼茨基 ,  F·普菲尔施 ,  F·J·尼德诺斯泰德 ,  M·普罗布斯特

IPC: H01L27/07 ,  H01L29/739 ,  H01L21/331

Abstract: 公开了功率半导体器件和其生产方法。功率半导体器件包括：有源区中的第一区，包括多个第一沟槽，每个第一沟槽包括第一沟槽电极和第一沟槽绝缘体。第二区包括多个第二沟槽，每个第二沟槽包括第二沟槽电极和将第二沟槽电极与半导体主体电绝缘的第二沟槽绝缘体。以下的至少之一适用：每个第二沟槽绝缘体的最小厚度达到每个第一沟槽绝缘体的对应的最小厚度的至少120％；第二沟槽绝缘体的平均厚度达到第一沟槽绝缘体的平均厚度的至少120％；每个第二沟槽绝缘体在相应的第二沟槽的底部处的厚度达到每个第一沟槽绝缘体在相应的第一沟槽的底部处的对应厚度的至少120％；每个第二沟槽绝缘体的最小击穿电压达到每个第一沟槽绝缘体的最小击穿电压的至少120％。

公开(公告)号：CN115498012A

公开(公告)日：2022-12-20

申请号：CN202210685911.7

申请日：2022-06-17

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： M·杰利尼克 ,  T·沃克特勒 ,  B·比纳尔 ,  D·施洛格 ,  H-J·舒尔茨 ,  O·J·斯普尔伯 ,  B·斯托依布 ,  C·克鲁格

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/739

Abstract: 公开了包括场停止区的半导体器件。半导体器件包括被布置在半导体本体的第一表面和第二表面之间的n掺杂的漂移区。半导体器件包括被布置在第二表面处的p掺杂的第一区。半导体器件包括被布置在漂移区和第一区之间的n掺杂的场停止区。场停止区包括第一子区和第二子区。p‑n结将第一区与第一子区分离开。氢相关施主被包括在第一子区中并且被包括在第二子区中。沿着第一子区的第一竖向延伸，氢相关施主的浓度从pn结起稳定地增大到最大值，从最大值稳定地减小到在第一子区到第二子区之间的第一过渡部处的参考值。第二子区的第二竖向延伸在到漂移区的第二过渡部处结束，在其处氢相关施主的浓度等于参考值的10%。第二子区中的最大浓度值比参考值大至多20%。