公开(公告)号：CN118231403A

公开(公告)日：2024-06-21

申请号：CN202311768252.4

申请日：2023-12-21

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： R·迪特米勒 ,  A·科泽尼茨 ,  B·比纳尔 ,  W·瓦格纳 ,  P·C·布兰特 ,  F·希尔 ,  V·科马尼茨基 ,  F·普菲尔施 ,  F·J·尼德诺斯泰德 ,  M·普罗布斯特

IPC: H01L27/07 ,  H01L29/739 ,  H01L21/331

Abstract: 公开了功率半导体器件和其生产方法。功率半导体器件包括：有源区中的第一区，包括多个第一沟槽，每个第一沟槽包括第一沟槽电极和第一沟槽绝缘体。第二区包括多个第二沟槽，每个第二沟槽包括第二沟槽电极和将第二沟槽电极与半导体主体电绝缘的第二沟槽绝缘体。以下的至少之一适用：每个第二沟槽绝缘体的最小厚度达到每个第一沟槽绝缘体的对应的最小厚度的至少120％；第二沟槽绝缘体的平均厚度达到第一沟槽绝缘体的平均厚度的至少120％；每个第二沟槽绝缘体在相应的第二沟槽的底部处的厚度达到每个第一沟槽绝缘体在相应的第一沟槽的底部处的对应厚度的至少120％；每个第二沟槽绝缘体的最小击穿电压达到每个第一沟槽绝缘体的最小击穿电压的至少120％。