公开(公告)号：CN118899336A

公开(公告)日：2024-11-05

申请号：CN202410547147.6

申请日：2024-05-06

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： S·罗伊 ,  J·舍茨 ,  D·彼得斯 ,  H-J·舒尔茨

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/16 ,  H01L29/10

Abstract: 本公开涉及包括夹层介电结构的垂直功率半导体装置。提出一种垂直功率半导体装置(100)。垂直功率半导体装置包括碳化硅SiC半导体主体(102)，所述SiC半导体主体(102)包括沟槽结构(104)。在SiC半导体主体(102)的第一表面(106)，沟槽结构(104)延伸到SiC半导体主体(102)中。沟槽结构(104)包括栅电极(1041)以及布置在栅电极(1041)和SiC半导体主体(102)之间的栅极电介质(1042)。夹层介电结构(108)被布置在沟槽结构(104)上。夹层介电结构(108)包括氮化铝层(1081)、氮化硅层、氧化铝层或氮化硼层中的至少一个层。垂直功率半导体装置(100)还在夹层介电结构(108)上包括源电极或发射极电极(S)。

公开(公告)号：CN112310202A

公开(公告)日：2021-02-02

申请号：CN202010758116.7

申请日：2020-07-31

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： J·舍茨 ,  D·彼得斯 ,  S·平德尔 ,  H-J·舒尔策

IPC: H01L29/51 ,  H01L21/331 ,  H01L29/739

Abstract: 功率半导体器件和方法。一种功率半导体器件（1），包括：半导体本体（10），其具有前侧（10‑1）和后侧（10‑2）并且被配置用于在前侧（10‑1）和后侧（10‑2）之间传导负载电流；以及多个控制单元（14），其被配置用于控制负载电流，每个控制单元（14）在前侧（10‑1）处至少部分地被包括在半导体本体（10）中并且包括借助于栅极绝缘层（144）与半导体本体（10）电绝缘的栅电极（143），其中栅极绝缘层（144）是或者包括第一氮化硼层（1443）。