公开(公告)号：CN119835953A

公开(公告)日：2025-04-15

申请号：CN202510040657.9

申请日：2019-03-29

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： A·菲利普 ,  R·巴伯斯克 ,  C·耶格尔 ,  J·G·拉文 ,  H·梅克尔

IPC: H10D12/00 ,  H10D12/01

Abstract: 提供了一种具有势垒区的IGBT。IGBT的功率单位单元具有可以二者延伸到势垒区中的至少两个沟槽。所述至少两个沟槽可以二者具有耦合到IGBT的控制端的相应沟槽电极。例如，沟槽电极被结构化以便减少IGBT的总体栅极电荷。势垒区可以是p掺杂的并且通过漂移区竖直限域，即在延伸方向上并且对向延伸方向。势垒区可以电气浮置。

公开(公告)号：CN116805654A

公开(公告)日：2023-09-26

申请号：CN202310293568.6

申请日：2023-03-23

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： R·巴伯斯克 ,  F·普菲尔施 ,  J·汉塞尔 ,  K·瓦施内克

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/08 ,  H01L29/10

Abstract: 公开了双栅极功率半导体器件和控制双栅极功率半导体器件的方法。一种功率半导体器件(1)呈现IGBT配置并且包括：半导体本体(10)，其耦合到第一负载端子(11)和第二负载端子(12)；有源区(1‑2)，其具有第一区段(1‑21)和第二区段(1‑22)，第一区段(1‑21)和第二区段(1‑22)这两者被配置为传导在第一负载端子(11)和第二负载端子(12)之间的负载电流；与第一负载端子(11)和第二负载端子(12)电隔离的多个第一控制电极(141)和多个第二控制电极、多个第一控制电极(141)在第一区段(121)中，多个第二控制电极在第一区段(121)和第二区段(1‑22)这两者中；以及在半导体本体(10)中在第一区段(1‑21)和第二区段(1‑22)这两者中延伸的多个半导体沟道结构，多个沟道结构中的每个与第一控制电极(141)和第二控制电极(151)中的至少一个关联，其中第一控制电极(141)和第二控制电极(151)中的相应的至少一个被配置为在关联的半导体沟道结构中引起用于负载电流传导的反型沟道。第一区段(1‑21)呈现第一按单位面积有效总反型沟道宽度比率W/A1，并且第二区段(1‑22)呈现第二按单位面积有效反型沟道宽度比率W/A2，其中W/A1大于W/A2。

公开(公告)号：CN117525135A

公开(公告)日：2024-02-06

申请号：CN202310980292.9

申请日：2023-08-04

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： F·J·桑托斯罗德里格斯 ,  R·巴伯斯克 ,  H-J·舒尔茨 ,  D·施洛格

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336

Abstract: 公开了功率半导体器件、生产功率半导体器件的方法和操作功率半导体器件的方法。一种功率半导体器件(1)，包括：在第一侧(110)处并且与第一负载端子(11)和第二负载端子(12)电隔离，第一控制电极(141‑1)，其用于控制在第一侧(110)处的有源区域(1‑2)中形成的第一半导体沟道结构中的负载电流；和在第二侧(120)处并且与第一负载端子(11)和第二负载端子(12)电隔离，第二控制电极(141‑2)，其用于控制在第二侧(120)处的有源区域(1‑2)中形成的第二半导体沟道结构中的负载电流。在第二侧(120)处并且在属于有源区域(1‑2)而且具有器件(1)的半导体本体的厚度的至少30％的横向延伸的毗连修改控制区域AMC(125)中，要么不提供第二控制电极(141‑2)，要么第二控制电极(141‑2)在将自由电荷载流子移除到功率半导体器件(1)之外方面比在AMC(125)外部的第二控制电极(141‑2)低效。

公开(公告)号：CN116741819A

公开(公告)日：2023-09-12

申请号：CN202310217630.3

申请日：2023-03-07

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： R·巴伯斯克

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/08

Abstract: 公开了双栅极功率半导体器件和控制双栅极功率半导体器件的方法。提出了一种双栅极IGBT(1)，其中有源区(1‑2)包括第一区段(121)和第二区段(1‑22)。两个区段可以由两个控制信号(13‑21，13‑22)控制。例如，第一区段(1‑21)呈现第一特征转移曲线，负载电流取决于第一控制信号(13‑21)的电压，并且第二区段(1‑22)呈现第二特征转移曲线，负载电流取决于第一控制信号(13‑21)的电压，其中至少第二特征转移曲线是基于第二控制信号(13‑22)的电压而可改变的。对于第一控制信号(13‑21)的与功率半导体器件(1)的正向传导状态对应的给定电压而言，在第一区段(1‑21)中针对第二控制信号(13‑22)的电压的给定改变而观察到的负载电流改变与在第二区段(1‑22)中对应的负载电流改变相比更小。

公开(公告)号：CN119210423A

公开(公告)日：2024-12-27

申请号：CN202410845052.2

申请日：2024-06-27

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： F·普菲尔施 ,  R·巴伯斯克

IPC: H03K17/567 ,  H03K17/94

Abstract: 公开了IGBT、操作RC IGBT的方法、包括IGBT的电路。一种IGBT，在单个芯片中包括有源区，有源区被配置为传导在第一负载端子和第二负载端子之间的正向负载电流，第一负载端子在IGBT的半导体主体的前侧处，第二负载端子在半导体主体的背侧处。有源区至少被分离成：第一IGBT区，第一IGBT区的至少90％被配置为基于第一控制信号传导正向负载电流；第二IGBT区，第二IGBT区的至少90％被配置为基于第二控制信号传导正向负载电流。第一MOS沟道导电性对面积比由第一IGBT区中的总沟道宽度除以第一IGBT区的总横向面积来确定。第二MOS沟道导电性对面积比由第二IGBT区中的总沟道宽度除以第二IGBT区的总横向面积来确定。第二MOS沟道导电性对面积比总计小于第一MOS沟道导电性对面积比的80％。

公开(公告)号：CN119208324A

公开(公告)日：2024-12-27

申请号：CN202410845042.9

申请日：2024-06-27

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： R·巴伯斯克 ,  F·普菲尔施

IPC: H01L27/07 ,  H01L29/06 ,  H01L29/739

Abstract: 本公开涉及RC IGBT和操作RC IGBT的方法。RC IGBT(1)在单个芯片中包括有源区(1‑2)，所述有源区(1‑2)被配置为在RC IGBT(1)的半导体主体(10)的前侧(110)的第一负载端子(11)和在半导体主体(10)的后侧(120)的第二负载端子(12)之间既传导正向负载电流又传导反向负载电流。有源区(1‑2)被分离成至少：仅IGBT区(1‑21)，其至少90％被配置为基于第一控制信号(13‑21)仅传导正向负载电流；RC IGBT区(1‑22)，其至少90％被配置为传导反向负载电流并且基于第二控制信号(13‑22)传导正向负载电流；和混合区(1‑24)，其至少90％被配置为基于第一控制信号(13‑21)和第二控制信号(13‑22)二者传导正向负载电流。

公开(公告)号：CN118630056A

公开(公告)日：2024-09-10

申请号：CN202410259756.1

申请日：2024-03-07

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： A·菲利普 ,  R·巴伯斯克 ,  F·普菲尔施 ,  F·J·尼德诺斯泰德

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/739 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336 ,  H01L21/331

Abstract: 本公开涉及包括沟槽晶体管基元单元的半导体装置。提出一种半导体装置。半导体装置包括：半导体主体，包括沟槽晶体管基元阵列。沟槽晶体管基元阵列包括第一沟槽晶体管基元单元和第二沟槽晶体管基元单元。基于第一沟槽晶体管基元单元的晶体管基元和基于第二沟槽晶体管基元单元的晶体管基元按照电气方式并联连接。第一沟槽晶体管基元单元包括第一阈值电压。第二沟槽晶体管基元单元包括大于第一阈值电压的第二阈值电压。在接通晶体管基元阵列的标称电流时的dU/dt的绝对值是在接通晶体管基元阵列的标称电流的10％时的dU/dt的绝对值的至少50％，dU/dt是沟槽晶体管基元阵列的负载端子之间的电压U的时间导数。