公开(公告)号：CN117976703A

公开(公告)日：2024-05-03

申请号：CN202410188034.1

申请日：2018-03-26

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： C·耶格 ,  J·G·拉文 ,  A·菲利普 ,  A·韦莱

IPC: H01L29/739 ,  H01L21/331 ,  H01L29/06

Abstract: 呈现了具有势垒区(105)的IGBT(1)。IGBT(1)的功率基本单元(1‑1)被装备有至少两个沟槽(14、15)，该至少两个沟槽(14、15)都可以延伸到势垒区(105)中。势垒区(105)可以是p掺杂的并且通过漂移区(100)被竖直限定(即在延伸方向(Z)和逆延伸方向(Z))。势垒区(105)可以是电浮置的。

公开(公告)号：CN118630056A

公开(公告)日：2024-09-10

申请号：CN202410259756.1

申请日：2024-03-07

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： A·菲利普 ,  R·巴伯斯克 ,  F·普菲尔施 ,  F·J·尼德诺斯泰德

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/739 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336 ,  H01L21/331

Abstract: 本公开涉及包括沟槽晶体管基元单元的半导体装置。提出一种半导体装置。半导体装置包括：半导体主体，包括沟槽晶体管基元阵列。沟槽晶体管基元阵列包括第一沟槽晶体管基元单元和第二沟槽晶体管基元单元。基于第一沟槽晶体管基元单元的晶体管基元和基于第二沟槽晶体管基元单元的晶体管基元按照电气方式并联连接。第一沟槽晶体管基元单元包括第一阈值电压。第二沟槽晶体管基元单元包括大于第一阈值电压的第二阈值电压。在接通晶体管基元阵列的标称电流时的dU/dt的绝对值是在接通晶体管基元阵列的标称电流的10％时的dU/dt的绝对值的至少50％，dU/dt是沟槽晶体管基元阵列的负载端子之间的电压U的时间导数。

公开(公告)号：CN119835953A

公开(公告)日：2025-04-15

申请号：CN202510040657.9

申请日：2019-03-29

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： A·菲利普 ,  R·巴伯斯克 ,  C·耶格尔 ,  J·G·拉文 ,  H·梅克尔

IPC: H10D12/00 ,  H10D12/01

Abstract: 提供了一种具有势垒区的IGBT。IGBT的功率单位单元具有可以二者延伸到势垒区中的至少两个沟槽。所述至少两个沟槽可以二者具有耦合到IGBT的控制端的相应沟槽电极。例如，沟槽电极被结构化以便减少IGBT的总体栅极电荷。势垒区可以是p掺杂的并且通过漂移区竖直限域，即在延伸方向上并且对向延伸方向。势垒区可以电气浮置。

公开(公告)号：CN114078961A

公开(公告)日：2022-02-22

申请号：CN202110928612.7

申请日：2021-08-13

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： T·阿诺德 ,  R·巴布尔斯克 ,  I·英派利亚尔 ,  A·菲利普 ,  H-J·泰斯

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L21/331 ,  H01L21/336

Abstract: 公开了包括第一沟槽结构和第二沟槽结构的功率半导体器件。提出了一种功率半导体器件(100)。功率半导体器件(100)包括从第一主表面(104)延伸到半导体本体(106)中直到第一深度(d1)的多个第一沟槽结构(102)。多个第一沟槽结构(102)沿着第一横向方向(x1)平行延伸。多个第一沟槽结构(102)中的每个包括第一电介质(1021)和第一电极(1022)。功率半导体器件进一步包括从第一主表面(104)延伸到半导体本体(106)中直到小于第一深度(d1)的第二深度(d2)的多个第二沟槽结构(108)。多个第二沟槽结构(108)沿着第二横向方向(x2)平行延伸，并且在横越位置(110)处横越多个第一沟槽。多个第二沟槽结构(108)中的每个包括第二电介质(1081)和第二电极(1082)。第二电介质(1081)在横越位置(110)处被布置在第一电极(1022)和第二电极(1082)之间。