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发明公开
具有dV/dt可控性和低栅极电荷的IGBT 审中-实审

公开(公告)号：CN119835953A

公开(公告)日：2025-04-15

申请号：CN202510040657.9

申请日：2019-03-29

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： A·菲利普 , R·巴伯斯克 , C·耶格尔 , J·G·拉文 , H·梅克尔

IPC: H10D12/00 , H10D12/01

Abstract: 提供了一种具有势垒区的IGBT。IGBT的功率单位单元具有可以二者延伸到势垒区中的至少两个沟槽。所述至少两个沟槽可以二者具有耦合到IGBT的控制端的相应沟槽电极。例如，沟槽电极被结构化以便减少IGBT的总体栅极电荷。势垒区可以是p掺杂的并且通过漂移区竖直限域，即在延伸方向上并且对向延伸方向。势垒区可以电气浮置。

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