公开(公告)号：CN116805654A

公开(公告)日：2023-09-26

申请号：CN202310293568.6

申请日：2023-03-23

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： R·巴伯斯克 ,  F·普菲尔施 ,  J·汉塞尔 ,  K·瓦施内克

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/08 ,  H01L29/10

Abstract: 公开了双栅极功率半导体器件和控制双栅极功率半导体器件的方法。一种功率半导体器件(1)呈现IGBT配置并且包括：半导体本体(10)，其耦合到第一负载端子(11)和第二负载端子(12)；有源区(1‑2)，其具有第一区段(1‑21)和第二区段(1‑22)，第一区段(1‑21)和第二区段(1‑22)这两者被配置为传导在第一负载端子(11)和第二负载端子(12)之间的负载电流；与第一负载端子(11)和第二负载端子(12)电隔离的多个第一控制电极(141)和多个第二控制电极、多个第一控制电极(141)在第一区段(121)中，多个第二控制电极在第一区段(121)和第二区段(1‑22)这两者中；以及在半导体本体(10)中在第一区段(1‑21)和第二区段(1‑22)这两者中延伸的多个半导体沟道结构，多个沟道结构中的每个与第一控制电极(141)和第二控制电极(151)中的至少一个关联，其中第一控制电极(141)和第二控制电极(151)中的相应的至少一个被配置为在关联的半导体沟道结构中引起用于负载电流传导的反型沟道。第一区段(1‑21)呈现第一按单位面积有效总反型沟道宽度比率W/A1，并且第二区段(1‑22)呈现第二按单位面积有效反型沟道宽度比率W/A2，其中W/A1大于W/A2。