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公开(公告)号：CN109525928A
公开(公告)日：2019-03-26
申请号：CN201811089999.6
申请日：2018-09-18
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: H04R19/04
Abstract: 本申请涉及一种MEMS麦克风。该MEMS麦克风可以包括：声音检测单元以及阀。声音检测可以包括：第一膜；与第一膜间隔布置的第二膜；被提供在第一膜和第二之间的低压区域，在该低压区域中存在与常压相比较小的气压；至少部分地布置在低压区域中的反电极；以及声通孔，该声通孔在声音检测单元的厚度方向上延伸穿过声音检测单元。阀被被提供在声通孔处，并且设置成能够取多个阀状态，其中每个阀状态对应于所述声通孔对于声音的一个预设透射度。
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公开(公告)号：CN106082110B
公开(公告)日：2017-10-24
申请号：CN201610244599.2
申请日：2016-04-19
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
CPC classification number: B81C1/00896 , B81C1/00269 , B81C1/00801 , B81C2201/0194 , B81C2201/053
Abstract: 本发明提出了一种制造芯片封装体的方法。在第一晶片上提供多个芯片。每个芯片都包括通向所述芯片的第一主表面的腔。所述腔被临时地填充或盖住。然后所述芯片被单片化。将单片化的芯片嵌设到封装材料中。然后重新暴露所述腔。
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公开(公告)号：CN112399311B
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202010794187.2
申请日：2020-08-10
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: H04R7/10
Abstract: 公开了一种用于双背板换能器的膜支撑件。一种微加工结构，包括：可偏转膜、在可偏转膜的第一表面的第一夹持层、在可偏转膜的第二表面的第二夹持层、在第一夹持层上的第一穿孔背板以及在第二夹持层上的第二穿孔背板，其中，第一夹持层包括第一锥形边缘部分，该第一锥形边缘部分在第一穿孔背板与可偏转膜之间具有负斜率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109429158A
公开(公告)日：2019-03-05
申请号：CN201811011584.7
申请日：2018-08-31
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Inventor： J·斯特拉塞 , A·德厄 , G·梅茨格-布吕克尔 , J·瓦格纳 , A·沃瑟
Abstract: 双膜MEMS器件的制造方法，具有：在衬底上提供层布置，具有第一膜结构、邻接第一膜结构的牺牲材料层和在牺牲材料层中并与第一膜结构间隔的反电极结构，在牺牲材料层中形成通孔，直到第一膜结构并与反电极结构分离，通过将第一填充材料层施加到通孔的壁区域，在通孔中形成填充材料结构，以在通孔中邻接第一填充材料层获得内部体积区域，在层布置上施加第二膜结构，以密封内部体积区域，反电极结构布置在由牺牲材料填充的位于第一和第二膜结构之间的中间区域中并分别与其间隔，从中间区域中去除牺牲材料以暴露填充材料结构，以在第一和第二膜结构之间获得机械连接元件，其机械耦合到第一和第二膜结构之间并与反电极结构机械解耦。
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公开(公告)号：CN106082110A
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201610244599.2
申请日：2016-04-19
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
CPC classification number: B81C1/00896 , B81C1/00269 , B81C1/00801 , B81C2201/0194 , B81C2201/053 , B81C1/00261 , B81B7/0058 , B81C1/00325 , B81C2203/0118 , B81C2203/019
Abstract: 本发明提出了一种制造芯片封装体的方法。在第一晶片上提供多个芯片。每个芯片都包括通向所述芯片的第一主表面的腔。所述腔被临时地填充或盖住。然后所述芯片被单片化。将单片化的芯片嵌设到封装材料中。然后重新暴露所述腔。
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公开(公告)号：CN112399311A
公开(公告)日：2021-02-23
申请号：CN202010794187.2
申请日：2020-08-10
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: H04R7/10
Abstract: 公开了一种用于双背板换能器的膜支撑件。一种微加工结构，包括：可偏转膜、在可偏转膜的第一表面的第一夹持层、在可偏转膜的第二表面的第二夹持层、在第一夹持层上的第一穿孔背板以及在第二夹持层上的第二穿孔背板，其中，第一夹持层包括第一锥形边缘部分，该第一锥形边缘部分在第一穿孔背板与可偏转膜之间具有负斜率。
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公开(公告)号：CN109429158B
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN201811011584.7
申请日：2018-08-31
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Inventor： J·斯特拉塞 , A·德厄 , G·梅茨格-布吕克尔 , J·瓦格纳 , A·沃瑟
Abstract: 双膜MEMS器件的制造方法，具有：在衬底上提供层布置，具有第一膜结构、邻接第一膜结构的牺牲材料层和在牺牲材料层中并与第一膜结构间隔的反电极结构，在牺牲材料层中形成通孔，直到第一膜结构并与反电极结构分离，通过将第一填充材料层施加到通孔的壁区域，在通孔中形成填充材料结构，以在通孔中邻接第一填充材料层获得内部体积区域，在层布置上施加第二膜结构，以密封内部体积区域，反电极结构布置在由牺牲材料填充的位于第一和第二膜结构之间的中间区域中并分别与其间隔，从中间区域中去除牺牲材料以暴露填充材料结构，以在第一和第二膜结构之间获得机械连接元件，其机械耦合到第一和第二膜结构之间并与反电极结构机械解耦。
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公开(公告)号：CN109525928B
公开(公告)日：2021-06-04
申请号：CN201811089999.6
申请日：2018-09-18
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: H04R19/04
Abstract: 本申请涉及一种MEMS麦克风。该MEMS麦克风可以包括：声音检测单元以及阀。声音检测可以包括：第一膜；与第一膜间隔布置的第二膜；被提供在第一膜和第二之间的低压区域，在该低压区域中存在与常压相比较小的气压；至少部分地布置在低压区域中的反电极；以及声通孔，该声通孔在声音检测单元的厚度方向上延伸穿过声音检测单元。阀被被提供在声通孔处，并且设置成能够取多个阀状态，其中每个阀状态对应于所述声通孔对于声音的一个预设透射度。
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