公开(公告)号：CN103765579B

公开(公告)日：2017-10-31

申请号：CN201280032667.9

申请日：2012-06-29

申请人： 村田电子有限公司

发明人： 海基·库斯玛 ,  萨米·努尔米

IPC分类号： H01L25/04 ,  H01L25/16 ,  B81C1/00

CPC分类号： B81B7/0074 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2201/025 ,  B81B2201/0257 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2201/036 ,  B81B2207/012 ,  B81B2207/095 ,  B81C1/00333 ,  G01C19/5783 ,  G01L19/0084 ,  G01L19/148 ,  G01P1/023 ,  G01P1/026 ,  G01P15/0802 ,  H01L21/568 ,  H01L23/528 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L24/19 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L24/96 ,  H01L24/97 ,  H01L25/16 ,  H01L25/18 ,  H01L25/50 ,  H01L27/14618 ,  H01L2223/6677 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/1703 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/8312 ,  H01L2224/8319 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1433 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/18162 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明涉及制造系统级封装器件的方法以及系统级封装器件。在该方法中，将至少一个具有预定尺寸的第一类管芯、至少一个具有预定尺寸的第二类管芯以及系统级封装器件的至少一个其它部件包含到系统级封装器件中。选择所述第一类管芯和所述第二类管芯中的至少一者以用于重定尺寸。向所选择的管芯的至少一侧添加材料，使得所添加的材料和所选择的管芯形成重定尺寸的管芯结构。在所述重定尺寸的管芯结构上形成连接层。对所述重定尺寸的管芯结构进行定尺寸，以允许将未被选择的管芯以及所述至少一个其它部件安装成经由所述连接层与所述重定尺寸的管芯结构接触。

公开(公告)号：CN106132868A

公开(公告)日：2016-11-16

申请号：CN201480065272.8

申请日：2014-11-21

申请人： 追踪有限公司

发明人： 李文光 ,  从明·高

IPC分类号： B81B7/00 ,  B81C1/00

CPC分类号： B81B7/0058 ,  B81B7/0038 ,  B81C1/00333 ,  B81C2203/0172

摘要： 本发明提供用于围封微机电系统MEMS结构(620)阵列的层压膜的系统、方法和设备。在一个方面中，一种MEMS装置包括：衬底(610)，其具有装置区(610a)和环绕所述装置区的边缘区(610b)；以及MEMS结构阵列，其在所述衬底上所述装置区处。保护层安置于MEMS结构的所述阵列上方。层压膜(600)安置于所述保护层上方且与所述衬底接触以在所述边缘区处形成密封，其中所述层压膜在所述装置区处形成所述衬底与所述层压膜之间的空腔。所述层压膜包括背对MEMS结构的所述阵列的湿气阻挡层(650)，和面向MEMS结构的所述阵列的干燥剂层(640)。

公开(公告)号：CN102803125B

公开(公告)日：2016-02-17

申请号：CN201080027903.9

申请日：2010-06-24

申请人： NXP股份有限公司

发明人： 巴特·范维尔岑 ,  汉斯·范扎德尔霍夫 ,  格雷亚·乔安娜·阿德里亚娜·玛利亚·费尔海登

IPC分类号： B81B7/00

CPC分类号： B81C1/00333 ,  B81C2203/0136

摘要： 一种制造MEMS器件的方法包括：形成MEMS器件元件(12)。在所述MEMS器件元件周围形成侧壁(20)，并且在所述器件元件上以及在所述侧壁内形成牺牲层(14)。在所述牺牲层上提供封装覆盖层(16)，并且去除所述牺牲层。这种方法向在MEMS器件上设置的帽盖提供附加的侧壁。然后，这些附加的侧壁可以通过不同的工艺沉积到封装覆盖层的顶部部分上，并且可以由不同的材料形成。所述侧壁可以防止牺牲层的回流，并且改善了侧壁的密封性质。

公开(公告)号：CN104854431A

公开(公告)日：2015-08-19

申请号：CN201380064443.0

申请日：2013-11-18

申请人： 日立汽车系统株式会社

发明人： 河野务 ,  半泽惠二 ,  德安升 ,  田代忍 ,  中土裕树

IPC分类号： G01F1/684

CPC分类号： G01F15/16 ,  B81C1/00333 ,  G01F1/6845 ,  G01F1/692

摘要： 在使半导体芯片的露出部分变小的情况下，抑制在半导体芯片容易产生裂纹的情况。由于将树脂(MR)注入第二空间的压力，在弹性体薄膜(LAF)与半导体芯片(CHP1)接触的接触部分(SEL)产生间隙，与树脂(MR)成分不同的树脂(MR2)渗入该间隙。其结果是，在从树脂(MR)露出半导体芯片(CHP1)的区域中，除了流量检测部(FDU)以及其附近区域以外区域的形成树脂(MR2)。由此，能够使从树脂(MR)以及树脂(MR2)露出的半导体芯片(CHP1)的区域变小。

公开(公告)号：CN102209683B

公开(公告)日：2015-08-05

申请号：CN200980144743.3

申请日：2009-11-10

申请人： NXP股份有限公司

发明人： 格雷亚·J·A·费尔海登 ,  格哈德·库普斯

IPC分类号： B81C1/00

CPC分类号： B81C1/00333 ,  B81C2203/0136 ,  B81C2203/0145

摘要： 一种制造MEMS器件的方法包括形成MEMS器件元件(14)。在所述器件元件上提供牺牲层(20)并在牺牲层上提供封装覆盖层(24)。在牺牲层的上方形成分隔层(13)，并被刻蚀来限定邻近牺牲层外侧壁的分隔部分。这些改进了覆盖层(24)侧壁的密封。

公开(公告)号：CN102311093B

公开(公告)日：2015-02-25

申请号：CN201110194330.5

申请日：2011-07-08

申请人： 精材科技股份有限公司

发明人： 刘建宏

IPC分类号： B81C1/00

CPC分类号： B81C1/00333

摘要： 一种晶片封装体的形成方法，包括：提供一基底，具有一第一表面及一第二表面；移除部分的该基底以于该基底中形成多个开口，所述开口自该第一表面朝该第二表面延伸或自该第二表面朝该第一表面延伸；在形成所述开口之后，至少一第一部分的该基底成为一第一可移动块体，且至少一第二部分的该基底成为一第二可移动块体，其中该第一可移动块体及该第二可移动块体分别位于所述开口之间；于该基底的该第二表面上设置一保护基板；于该保护基板中形成至少一穿孔；以及于该保护基板上形成至少一导电层，该导电层自该保护基板的一表面延伸至该穿孔之中，并与该第二可移动块体电性连接。本发明可形成尺寸更小的晶片封装体。

公开(公告)号：CN104241279A

公开(公告)日：2014-12-24

申请号：CN201310242363.1

申请日：2013-06-18

申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

发明人： 黄河 ,  克里夫·德劳利

IPC分类号： H01L27/06 ,  H01L21/762 ,  H01L21/8232

CPC分类号： H01L27/0694 ,  B81B7/0006 ,  B81B2207/015 ,  B81C1/00333 ,  B81C2203/0118 ,  B81C2203/0735 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/76229 ,  H01L21/76251 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/84 ,  H01L23/481 ,  H01L23/5223 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/5227 ,  H01L23/528 ,  H01L27/0629 ,  H01L27/1207 ,  H01L28/10 ,  H01L28/40 ,  H01L29/66681 ,  H01L29/7816 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明提供一种集成电路及其制造方法，涉及半导体技术领域。本发明的集成电路，将采用不同侧壁和底部绝缘的第一组晶体管、第二组晶体管、第三组晶体管以及集成无源器件和MEMS器件等组件，通过晶圆加工流程集成到单一芯片之上，相对于现有通过系统集成封装技术所制作的射频前端模块，具有更高的信噪比、更低的功耗、更小的器件尺寸以及更低的成本。本发明的集成电路的制造方法，用于制造上述集成电路，在制得的集成电路具有上述优点的同时，可以降低最终射频前端模块封装的复杂度和制造成本。

公开(公告)号：CN104093662A

公开(公告)日：2014-10-08

申请号：CN201280060077.7

申请日：2012-12-06

申请人： 佐治亚技术研究公司

发明人： P·A·科尔 ,  R·萨哈 ,  N·弗里兹

IPC分类号： B81C1/00

CPC分类号： B81C1/00261 ,  B81B3/0018 ,  B81C1/00333 ,  B81C2201/0108 ,  B81C2203/0154

摘要： MEMS器件的可移动部分在呈晶片形式时被包封并保护，使得可以使用商品引线框架封装。外涂聚合物如环氧环己基多面体寡聚倍半硅氧烷(EPOSS)已用作图案化牺牲聚合物以及外涂空气腔室的掩模材料。所产生的空气腔室为清洁、无碎屑并且稳固的。腔室具有在MEMS器件的引线框架封装过程中耐受模塑压力的实质强度。已制造20μm x400μm至300μm x400μm的许多腔室且显示为机械稳定的。这些可能容纳许多尺寸的MEMS器件。已使用纳米压痕研究腔室的强度，并使用分析及有限元技术模拟。使用该方案封装的电容谐振器已显示清洁的感测电极和良好的功能。

公开(公告)号：CN104045053A

公开(公告)日：2014-09-17

申请号：CN201310661669.0

申请日：2013-12-09

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 郑钧文 ,  朱家骅

IPC分类号： B81C1/00 ,  B81B7/00

CPC分类号： B81C1/00158 ,  B81B7/008 ,  B81B2207/015 ,  B81B2207/096 ,  B81C1/00246 ,  B81C1/00333 ,  B81C1/00539 ,  B81C2201/0109 ,  B81C2201/0132 ,  B81C2203/0118 ,  B81C2203/0127 ,  B81C2203/0742 ,  B81C2203/0778 ,  H01L21/02175 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02186 ,  H01L21/02247 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/3081 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76802

摘要： 本发明公开的集成电路器件包括设置在半导体衬底上方的介电层，介电层具有形成在其中的牺牲腔体，形成到介电层上的膜层，以及在膜层上形成的覆盖层从而形成第二腔体，第二腔体通过形成在膜层内的通孔连接至牺牲腔体。本发明还公开了具有覆盖结构的MEMS器件结构。

公开(公告)号：CN103443020A

公开(公告)日：2013-12-11

申请号：CN201280005251.8

申请日：2012-01-13

申请人： 卡文迪什动力有限公司

发明人： 迈克·雷诺 ,  约瑟夫·达米安·戈登·拉西 ,  维克拉姆·乔希 ,  托马斯·L·麦圭尔

IPC分类号： B81C1/00

CPC分类号： B81B3/0072 ,  B81B2203/0118 ,  B81B2203/0307 ,  B81B2207/096 ,  B81C1/00039 ,  B81C1/00333 ,  B81C1/00476 ,  B81C2201/0132 ,  B81C2201/014 ,  B81C2203/0145 ,  B81C2203/0714

摘要： 本发明一般涉及生产MEMS或NEMS器件的方法及器件本身。具有比悬臂结构体低的复合系数的材料的薄层可沉积于悬臂结构体、RF电极和拉拔电极上。该薄层允许引入至空腔的蚀刻气体降低空腔内的总蚀刻剂复合速率，因此增加空腔内牺牲材料的蚀刻速率。蚀刻剂本身可经由与悬臂结构体的锚定部分线性对准的包封层中的开口引入，使得牺牲材料的最顶层首先得以蚀刻。此后，密封材料可密封空腔并在空腔中一直延伸至锚定部分以为锚定部分提供额外的强度。