MEMS器件的封装相容晶片级封盖

    公开(公告)号:CN104093662A

    公开(公告)日:2014-10-08

    申请号:CN201280060077.7

    申请日:2012-12-06

    Abstract: MEMS器件的可移动部分在呈晶片形式时被包封并保护,使得可以使用商品引线框架封装。外涂聚合物如环氧环己基多面体寡聚倍半硅氧烷(EPOSS)已用作图案化牺牲聚合物以及外涂空气腔室的掩模材料。所产生的空气腔室为清洁、无碎屑并且稳固的。腔室具有在MEMS器件的引线框架封装过程中耐受模塑压力的实质强度。已制造20μm x400μm至300μm x400μm的许多腔室且显示为机械稳定的。这些可能容纳许多尺寸的MEMS器件。已使用纳米压痕研究腔室的强度,并使用分析及有限元技术模拟。使用该方案封装的电容谐振器已显示清洁的感测电极和良好的功能。

    MEMS器件的封装相容晶片级封盖

    公开(公告)号:CN104093662B

    公开(公告)日:2015-11-25

    申请号:CN201280060077.7

    申请日:2012-12-06

    Abstract: MEMS器件的可移动部分在呈晶片形式时被包封并保护,使得可以使用商品引线框架封装。外涂聚合物如环氧环己基多面体寡聚倍半硅氧烷(EPOSS)已用作图案化牺牲聚合物以及外涂空气腔室的掩模材料。所产生的空气腔室为清洁、无碎屑并且稳固的。腔室具有在MEMS器件的引线框架封装过程中耐受模塑压力的实质强度。已制造20μmx400μm至300μmx400μm的许多腔室且显示为机械稳定的。这些可能容纳许多尺寸的MEMS器件。已使用纳米压痕研究腔室的强度,并使用分析及有限元技术模拟。使用该方案封装的电容谐振器已显示清洁的感测电极和良好的功能。

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