公开(公告)号：CN104008980A

公开(公告)日：2014-08-27

申请号：CN201410060022.7

申请日：2014-02-21

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： G·贝尔 ,  T·基尔格 ,  D·迈尔 ,  U·瓦赫特

IPC: H01L21/56 ,  H01L23/31

CPC classification number: H01L21/561 ,  H01L21/568 ,  H01L21/78 ,  H01L21/82 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/5384 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/19 ,  H01L24/24 ,  H01L24/25 ,  H01L24/82 ,  H01L25/50 ,  H01L27/04 ,  H01L28/00 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/24137 ,  H01L2224/2518 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/00

Abstract: 本公开的实施例涉及多个半导体芯片，每个半导体芯片包括第一主面和与第一主面相对的第二主面。第一包封层被施加在半导体芯片的第二主面之上。电布线层施加在第一半导体芯片的第一主面之上。第二包封层施加在电布线层之上。减小第一包封层的厚度和第一半导体芯片的厚度。可以对结构进行单片化以获得多个半导体器件。

公开(公告)号：CN104008980B

公开(公告)日：2018-05-22

申请号：CN201410060022.7

申请日：2014-02-21

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： G·贝尔 ,  T·基尔格 ,  D·迈尔 ,  U·瓦赫特

IPC: H01L21/56 ,  H01L23/31

CPC classification number: H01L21/561 ,  H01L21/568 ,  H01L21/78 ,  H01L21/82 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/5384 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/19 ,  H01L24/24 ,  H01L24/25 ,  H01L24/82 ,  H01L25/50 ,  H01L27/04 ,  H01L28/00 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/24137 ,  H01L2224/2518 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/00

Abstract: 本公开的实施例涉及多个半导体芯片，每个半导体芯片包括第一主面和与第一主面相对的第二主面。第一包封层被施加在半导体芯片的第二主面之上。电布线层施加在第一半导体芯片的第一主面之上。第二包封层施加在电布线层之上。减小第一包封层的厚度和第一半导体芯片的厚度。可以对结构进行单片化以获得多个半导体器件。

公开(公告)号：CN104517905B

公开(公告)日：2017-12-22

申请号：CN201410490549.3

申请日：2014-09-23

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： U·瓦赫特 ,  D·迈尔 ,  T·基尔格

IPC: H01L21/98

CPC classification number: H01L24/96 ,  H01L21/561 ,  H01L21/568 ,  H01L21/76838 ,  H01L23/31 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/48 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/19 ,  H01L24/48 ,  H01L24/85 ,  H01L2224/02317 ,  H01L2224/02331 ,  H01L2224/02379 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/0347 ,  H01L2224/03828 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/1132 ,  H01L2224/1134 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/96 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/10161 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/03 ,  H01L2224/11 ,  H01L2924/014 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

Abstract: 本公开涉及用于模塑衬底的金属重分布层。通过在支撑衬底上放置多个半导体裸片、以及采用模塑化合物覆盖半导体裸片以形成模塑结构而封装集成电路，每一个半导体裸片在朝向支撑衬底的侧部上具有多个端子。随后从模塑结构移除支撑衬底以暴露具有端子的半导体裸片的侧部，以及形成在模塑结构上并且与半导体裸片的端子以及模塑化合物直接接触的金属重分布层。形成重分布层而不首先在具有半导体裸片的端子的模塑结构的侧部上形成电介质层。也公开了对应的模塑结构和单独模塑半导体封装。

公开(公告)号：CN104517905A

公开(公告)日：2015-04-15

申请号：CN201410490549.3

申请日：2014-09-23

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： U·瓦赫特 ,  D·迈尔 ,  T·基尔格

IPC: H01L21/98

CPC classification number: H01L24/96 ,  H01L21/561 ,  H01L21/568 ,  H01L21/76838 ,  H01L23/31 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/48 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/19 ,  H01L24/48 ,  H01L24/85 ,  H01L2224/02317 ,  H01L2224/02331 ,  H01L2224/02379 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/0347 ,  H01L2224/03828 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/1132 ,  H01L2224/1134 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/96 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/10161 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/03 ,  H01L2224/11 ,  H01L2924/014 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

Abstract: 本公开涉及用于模塑衬底的金属重分布层。通过在支撑衬底上放置多个半导体裸片、以及采用模塑化合物覆盖半导体裸片以形成模塑结构而封装集成电路，每一个半导体裸片在朝向支撑衬底的侧部上具有多个端子。随后从模塑结构移除支撑衬底以暴露具有端子的半导体裸片的侧部，以及形成在模塑结构上并且与半导体裸片的端子以及模塑化合物直接接触的金属重分布层。形成重分布层而不首先在具有半导体裸片的端子的模塑结构的侧部上形成电介质层。也公开了对应的模塑结构和单独模塑半导体封装。

公开(公告)号：CN104143545A

公开(公告)日：2014-11-12

申请号：CN201410190817.X

申请日：2014-05-07

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： G·贝尔 ,  D·迈尔 ,  U·瓦赫特 ,  D·克雷尔

IPC: H01L23/552

CPC classification number: H01L23/552 ,  H01L21/56 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/3128 ,  H01L24/18 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00

Abstract: 在各种实施例中，可以提供封装布局。封装布局可以包括至少一个芯片。封装布局可以进一步包括至少部分地包封芯片的包封材料。封装布局也可以包括在芯片的第一侧之上的重分布结构。封装布局可以进一步包括在芯片的第二侧之上的金属结构。第二侧可以与第一侧相对。封装布局可以附加地包括电耦合到重分布结构和金属结构的半导体结构和导电塑性材料结构中的至少一个，以在重分布结构和金属结构之间形成电流路径。