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公开(公告)号：CN117589830A
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN202311038329.2
申请日：2023-08-17
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Abstract: 本公开涉及包括催化气体过滤器布置的化学电阻式气体感测设备。该气体感测设备包括：传感器芯片，包括衬底和被附接至衬底的一个或多个化学电阻式气体感测元件，其中每个气体感测元件被配置用于根据要感测的至少一种气体来提供传感器信号；以及催化气体过滤器布置，包括一个或多个过滤器区段，其中每个过滤器区段包括被至少一个膜覆盖的腔体，其中膜由支撑结构支撑并且包括能透气的孔，其中限定孔的表面包括用于降解至少一种气体的催化材料；其中气体过滤器布置被布置为使得至少一个化学电阻式气体感测元件被暴露于一个过滤器区段的腔体中的多种气体的过滤混合物，其中过滤混合物通过用一个过滤器区段过滤多种气体的环境混合物而被获得。
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公开(公告)号：CN115839980A
公开(公告)日：2023-03-24
申请号：CN202211135985.X
申请日：2022-09-19
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Abstract: 本文中描述的各实施例涉及一种温度调节化学电阻气体传感器(100)，该温度调节化学电阻气体传感器(100)包括传感器表面(110)，该传感器表面(110)包括化学敏感传感器层(101)，该化学敏感传感器层(101)包括用于吸附和解吸分析物气体的气体分子(133)的活性材料(111)。可以应用预定时间连续周期性温度曲线(140)以周期性地加热传感器表面(110)。可以确定电传感器层电导信号(142a、142b)，并且可以将多个时间窗口(201、……、205)应用于传感器层电导信号(142a、142b)。针对上述多个时间窗口(201、……、205)中的一个或多个，可以获取传感器层电导信号的离散频谱数据(144)，并且可以基于上述获取的离散频谱数据(144)确定分析物气体的当前气体浓度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115708199A
公开(公告)日：2023-02-21
申请号：CN202210991340.X
申请日：2022-08-18
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: H01L23/18 , H01L23/373 , H01L23/31 , H01L21/56
Abstract: 芯片封装结构、芯片封装系统和形成芯片封装结构的方法。提供了一种芯片封装结构。该芯片封装可以包括芯片、包封材料、以及导电地连接到芯片的暴露的焊盘、在暴露的焊盘的表面上的多孔或含枝状体增粘剂的层、以及通过该层附着到暴露的焊盘的热界面材料。
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公开(公告)号：CN110881163A
公开(公告)日：2020-03-13
申请号：CN201910838075.X
申请日：2019-09-05
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: H04R19/00
Abstract: 本公开涉及MEMS换能器和用于制造MEMS换能器的方法。例如，一种MEMS换能器，包括具有第一主表面和与第一主表面相对的第二主表面的膜结构。衬底结构被配置为保持膜结构，其中衬底结构与膜结构的第一主表面在与第一主表面的第一内部区域相邻的第一边缘区域中重叠。间隙形成在第一边缘区域中的膜结构和衬底结构之间，并且从第一内部区域延伸到第一边缘区域中。
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公开(公告)号：CN114518388A
公开(公告)日：2022-05-20
申请号：CN202111376473.8
申请日：2021-11-19
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Abstract: 本公开的各实施例涉及气敏器件。公开了一种气敏器件(10)。该气敏器件包括衬底结构(20)和气敏电容器，该气敏电容器包括在绝缘层(30)的第一主表面区域上呈气敏层(45)形式的第一电容器电极(40)以及在绝缘层(30)下方呈埋入导电区域形式的第二电容器电极(60)，使得绝缘层(30)布置在第一电容器电极(40)与第二电容器电极(60)之间；其中气敏层(45)包括响应于气体分子的吸附或解吸而变化的薄层阻抗。还描述了一种用于操作气敏器件(10)的方法。此外，公开了一种包括一个或多个气敏器件的多气体传感器。
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公开(公告)号：CN110881163B
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN201910838075.X
申请日：2019-09-05
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: H04R19/00
Abstract: 本公开涉及MEMS换能器和用于制造MEMS换能器的方法。例如，一种MEMS换能器，包括具有第一主表面和与第一主表面相对的第二主表面的膜结构。衬底结构被配置为保持膜结构，其中衬底结构与膜结构的第一主表面在与第一主表面的第一内部区域相邻的第一边缘区域中重叠。间隙形成在第一边缘区域中的膜结构和衬底结构之间，并且从第一内部区域延伸到第一边缘区域中。
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公开(公告)号：CN114646668A
公开(公告)日：2022-06-21
申请号：CN202111562967.5
申请日：2021-12-20
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Inventor： M·迈耶 , J·E·阿达蒂·埃斯特维兹 , A·M·罗斯
IPC: G01N27/12
Abstract: 本公开的各实施例涉及一种用于制造电子部件的方法，其中，所述方法包括以下步骤：提供衬底和由衬底支撑的功能层；在衬底的一侧上形成结构化保护层，所述功能层被附接到衬底的一侧，其中结构化保护层具有凹槽，使得功能层的一部分被暴露；将包含溶剂和导电组分的分散体施加到功能层的所暴露的部分，使得所述凹槽至少部分地填充有分散体；干燥分散体以创建导电层；去除所述结构化保护层。
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