公开(公告)号：CN103779312B

公开(公告)日：2017-11-24

申请号：CN201310716999.5

申请日：2013-10-18

申请人： 英飞凌科技股份有限公司

发明人： G·比尔 ,  W·哈特纳

IPC分类号： H01L23/495 ,  H01L21/50 ,  H01L21/56

CPC分类号： H01L24/82 ,  H01L21/568 ,  H01L21/78 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/5384 ,  H01L23/5389 ,  H01L23/66 ,  H01L24/16 ,  H01L24/19 ,  H01L24/24 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/96 ,  H01L24/97 ,  H01L25/105 ,  H01L25/16 ,  H01L2223/6627 ,  H01L2223/6677 ,  H01L2223/6683 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/24195 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/451 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/06551 ,  H01L2225/06562 ,  H01L2225/1035 ,  H01L2225/1041 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1301 ,  H01L2924/1423 ,  H01L2924/1431 ,  H01L2924/1434 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/207 ,  H01Q1/2283 ,  H01Q23/00 ,  H01L2224/82 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099

摘要： 本发明涉及嵌入式芯片封装及用于制造嵌入式芯片封装的方法。提供了用于制造嵌入式芯片封装的方法。所述方法可以包括：在衬底上方形成导电线；将所述衬底放置得紧邻包括芯片的芯片装置，所述芯片包括一个或多个接触焊盘，其中一个或多个导电线被布置为接近于所述芯片的侧壁；以及在所述芯片装置上方形成一个或多个电互连，以将至少一个导电线电连接至至少一个接触焊盘。

公开(公告)号：CN106796924A

公开(公告)日：2017-05-31

申请号：CN201580046563.7

申请日：2015-08-25

申请人： 三菱电机株式会社

发明人： 原内健次 ,  鲛岛文典 ,  西原淳 ,  津山祥纪

IPC分类号： H01L23/36 ,  H01L23/427 ,  H01L25/00 ,  H05K7/20

CPC分类号： H01L23/367 ,  H01L21/486 ,  H01L23/36 ,  H01L23/427 ,  H01L23/552 ,  H01L23/66 ,  H01L25/072 ,  H01L25/18 ,  H01L2223/6677 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2924/1423 ,  H01L2924/16152 ,  H01Q1/02 ,  H01Q1/2283 ,  H01Q9/285 ,  H05K1/0206 ,  H05K7/20 ,  H01L2924/00014

摘要： 本发明提供一种提高了散热性的高频模块(1)，其包括电介质多层基板(2)，该电介质多层基板(2)具有接地层(2a),将具有发热部的高频电子元器件(3)与所述接地层(2a)接触来进行安装；以及截止块(5)，该截止块(5)由立壁部(5b)以及将其覆盖的盖部(5a)构成，在内部收纳所述高频电子元器件(3)，并且设置有在所述高频电子元器件(3)所使用的高频信号的频率具有截止特性的空洞部(5c)，所述截止块(5)的立壁部(5b)采用与所述电介质多层基板(2)的接地层(2a)相接触的结构。

公开(公告)号：CN103650357A

公开(公告)日：2014-03-19

申请号：CN201280031121.1

申请日：2012-10-19

申请人： 松下电器产业株式会社

发明人： 筑泽贵行

IPC分类号： H04B1/40 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60 ,  H01L21/66 ,  H01L21/822 ,  H01L23/12 ,  H01L27/04 ,  H03F1/30 ,  H03F3/213

CPC分类号： H05K1/0237 ,  H01L21/563 ,  H01L22/14 ,  H01L22/20 ,  H01L22/34 ,  H01L23/66 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/16 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L24/92 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/1403 ,  H01L2224/14133 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/142 ,  H01L2924/1423 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/30105 ,  H03F1/301 ,  H03F3/601 ,  H05K1/11 ,  H05K3/30 ,  Y10T29/49004 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明的无线装置具有基板、功率放大器用高频IC芯片及工艺偏差检测单元。工艺偏差检测单元监视工艺偏差造成的电路特性的变动量。具有使用监视到的电路特性的变动量计算出的参数的底部填充剂被填充到基板和高频IC芯片之间。其结果，即使存在工艺偏差及底部填充剂的影响，也在无线装置中得到希望的电路特性。

公开(公告)号：CN102341895B

公开(公告)日：2014-01-29

申请号：CN201080010283.8

申请日：2010-02-18

申请人： 松下电器产业株式会社

发明人： 酒井启之 ,  福田健志 ,  宇治田信二 ,  河井康史

IPC分类号： H01L21/3205 ,  H01L21/822 ,  H01L23/52 ,  H01L27/04 ,  H01P3/08 ,  H01P11/00

CPC分类号： H01L23/5222 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/5221 ,  H01L23/5225 ,  H01L23/525 ,  H01L23/5329 ,  H01L24/03 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/16 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/0231 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/061 ,  H01L2224/13021 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2224/141 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/451 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1423 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/3025 ,  H01P3/085 ,  H01P11/003 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2224/05599

摘要： 提供一种半导体芯片，是将Si类半导体作为基板的MMIC等半导体芯片，具有低损耗的传送线路，容易连接到安装用电路基板上，且能够确保稳定的GND电位。该半导体芯片是倒装的半导体芯片(10)，具备：Si基板(11)；形成在Si基板(11)的主面上的集成电路(12)；形成在集成电路(12)上方的介质膜(16)；以及形成在介质膜(16)上表面的接地用导体膜(17)，集成电路(12)包括由用于传送该集成电路(12)中的信号的信号线(15)构成的布线层(13a)，由信号线(15)、介质膜(16)及导体膜(17)构成微带线。

公开(公告)号：CN103367269A

公开(公告)日：2013-10-23

申请号：CN201310295847.2

申请日：2013-07-15

申请人： 香港应用科技研究院有限公司

发明人： 杨丹 ,  何松 ,  任宇行 ,  史训清

IPC分类号： H01L23/14 ,  H01L23/552 ,  H01L25/16 ,  H01L21/48 ,  H01L21/58 ,  H01Q1/22

CPC分类号： H01L24/97 ,  H01L21/568 ,  H01L2223/6677 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/19 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/1423 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2224/82 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/00012

摘要： 本发明提供一种用于小型RF信号系统的封装以及形成封装的方法，以使封装尺寸小型化，提高信号完整性，并降低制造成本。封装包括具有夹层结构的混合基板，其中混合基板包括由插板分离的具有不同介电性能的上层和下层，以提高电隔离和机械刚度。金属层形成在孔的侧壁上以包围有源元件，使得金属侧壁与上层和下层中的两个接地板一起构成封装中的自屏蔽外壳，以保护有源元件。

公开(公告)号：CN102403316A

公开(公告)日：2012-04-04

申请号：CN201110236686.0

申请日：2011-08-12

申请人： 飞思卡尔半导体公司

发明人： 保罗·W·桑德斯 ,  韦恩·R·布格尔 ,  翠·B·达奥 ,  乔尔·E·基斯 ,  迈克尔·F·彼得拉斯 ,  罗伯特·A·普赖尔 ,  任小伟

IPC分类号： H01L27/06 ,  H01L29/06 ,  H01L21/82

CPC分类号： H01L23/66 ,  H01L21/76898 ,  H01L21/823475 ,  H01L23/481 ,  H01L23/5223 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/5227 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L27/0617 ,  H01L27/0629 ,  H01L27/0727 ,  H01L28/10 ,  H01L28/40 ,  H01L29/7816 ,  H01L2223/6616 ,  H01L2223/6655 ,  H01L2223/6683 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/13062 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1423 ,  H01L2924/30107 ,  H03F3/195 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

摘要： 本发明提供一种单片微波集成电路。将高电阻率(例如≥100Ohm-cm)半导体基板和较低电阻电感器用于IC，能够避免或减轻微波频率下操作时与单片集成电路(IC)的无源构件相关联的低Q。这消除了来自置于基板上的平面电感器和互联的显著的基板中电磁耦合损耗。有源晶体管接近前面地形成在基板中。平面电容器也形成在基板的前面上方。使用基板通孔，将晶体管、电容器和电感器的不同端子耦合到基板的背面上的地平面，以最小化寄生电阻。通过将平面电感器和重电流承载导体定位在可以使它们基本上更厚和具有更低电阻的、IC的外表面上来最小化与它们相关联的寄生电阻。结果得到之前无法获得的单片微波IC。

公开(公告)号：CN101652853B

公开(公告)日：2012-03-14

申请号：CN200880011449.0

申请日：2008-01-24

申请人： 雷斯昂公司

发明人： 约翰·M·贝丁格 ,  迈克尔·A·摩尔 ,  罗伯特·B·哈鲁克 ,  卡玛尔·塔巴塔巴依-阿拉维 ,  托马斯·E·卡兹奥尔

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L23/482 ,  H01L23/31

CPC分类号： H01L23/3192 ,  H01L21/7682 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76834 ,  H01L23/4821 ,  H01L23/5221 ,  H01L24/48 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/45014 ,  H01L2224/451 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/85399 ,  H01L2224/8592 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01011 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01031 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01056 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1423 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207 ,  H01L2224/45099

摘要： 根据本发明的一个实施例，一种用于钝化电路装置的方法大体上包括：提供具有衬底表面的衬底；在所述衬底表面上形成电子器件；用第一电介质层覆盖所述衬底表面和电子器件。所述第一电介质层由总体上防潮材料制成，该防潮材料的湿气渗透率小于0.01克/平方米/天、吸湿性小于0.04％、介电常数小于10、介电损耗小于0.005、击穿电压强度大于8百万伏/厘米、表面电阻率大于1015欧姆-厘米、缺陷密度小于0.5/平方厘米。

公开(公告)号：CN102332438A

公开(公告)日：2012-01-25

申请号：CN201110142996.6

申请日：2011-05-30

申请人： NXP股份有限公司

发明人： 伊戈尔·布莱德诺夫

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L23/485 ,  H01L27/02 ,  H01L23/552

CPC分类号： H03F1/565 ,  H01L23/645 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L2223/6611 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/4813 ,  H01L2224/49111 ,  H01L2224/4917 ,  H01L2224/49174 ,  H01L2224/49176 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01055 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1423 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19104 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/3025 ,  H03F1/0288 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/05599

摘要： 一种键合引线电路包括键合引线，键合引线相对地布置以提供选定的电感。结合各种示例实施例，将包括前向和返回电流路径的相应键合引线环路正交地设置。每一个环路包括：前向键合引线，将输入端子与中间端子相连；和返回键合引线，将中间端子与输出端子相连。返回键合引线减轻了底层衬底中的来自中间端子的返回电流。在一些实现中，环路配置为使得在每一个相应环路中流过的电流在其他相应的环路中产生相等且自消除的电流。

公开(公告)号：CN102299686A

公开(公告)日：2011-12-28

申请号：CN201110143025.3

申请日：2011-05-30

申请人： NXP股份有限公司

发明人： 伊戈尔·布莱德诺夫

IPC分类号： H03F1/42

CPC分类号： H03F1/0288 ,  H01L23/66 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L2223/6611 ,  H01L2223/6644 ,  H01L2223/6655 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/49 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01055 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1423 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/3025 ,  H03F3/195 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099

摘要： 一种键合引线电路包括至少三条键合引线，布置为将输入信号划分为两个输出信号。结合各种示例实施例，键合引线按照大体平行的方式布置，以减小磁耦合以及划分输入信号并且向放大器提供每一个划分信号的相关问题。键合引线通过促进划分的电容电路而连接，并且在一些应用中，通过附加的电容性(接地/基准)和负载电路而连接，以进一步促进对于特定放大器电路实现方式的输入信号的划分，并且可以应用于各种负载。在一些实现中，将输入信号划分为相等的部分或者任意的部分，其中在较宽的频带中具有频率无关的相位差，在电路的端口之间存在隔离。

公开(公告)号：CN101578697B

公开(公告)日：2011-12-28

申请号：CN200880001752.2

申请日：2008-02-26

申请人： 三菱电机株式会社

发明人： 八十冈兴祐

IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L23/02 ,  H01L23/12 ,  H01P1/00 ,  H01P5/02

CPC分类号： H01L23/043 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/552 ,  H01L23/66 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L2223/6611 ,  H01L2223/6627 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48011 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48235 ,  H01L2224/484 ,  H01L2224/48599 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1423 ,  H01L2924/15153 ,  H01L2924/1517 ,  H01L2924/15192 ,  H01L2924/16152 ,  H01L2924/16195 ,  H01L2924/1903 ,  H01L2924/19032 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2924/3025 ,  H01P1/00 ,  H01L2224/85399 ,  H01L2224/05599

摘要： 一种高频封装件，包括：高频器件(2)、在表层上装载有高频器件(2)的多层介质基板(20)、以及作为覆盖该多层介质基板的表层的一部分及高频器件(2)的电磁屏蔽部件的密封环(3)及盖板(4)，对内部导体焊盘(5)，设置具有无用波的波长的近似1/4长度的前端开放线路(50)。由于在腔室空间内传播的无用辐射与连线耦合，通过多层介质基板内层的偏置线向外部辐射，可以减少与连线的耦合量，可以降低向外部辐射的无用辐射量。