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公开(公告)号:CN101296535A
公开(公告)日:2008-10-29
申请号:CN200810095713.5
申请日:2008-04-24
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H05B6/68
CPC classification number: H03H7/40 , H05B6/686 , H05B6/705 , Y02B40/146
Abstract: 提供一种不会破坏高频发射装置而使固体振荡器稳定地工作、同时提高加热效率和可靠性的高频发射装置的控制方法。此控制方法包括:步骤(a),从固体振荡器通过天线发射高频;步骤(b),检测从天线返回固体振荡器的高频;步骤(c),根据在步骤(b)的检测结果调节从固体振荡器向天线传播的高频的发射/传播条件;和步骤(d),在步骤(c)之后,从固体振荡器通过天线对对象物发射高频。在步骤(c)中,进行固体振荡器的振荡频率的变更、固体振荡器中高频输出的变更、向固体振荡器提供的电源电压的变更及固体振荡器的输出阻抗和天线的阻抗的阻抗匹配的变更等。
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公开(公告)号:CN101364795A
公开(公告)日:2009-02-11
申请号:CN200810145651.4
申请日:2008-08-07
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H03F3/60 , H03F1/56 , H03F3/217 , H03F2200/387 , H03F2200/423 , H03F2200/451
Abstract: 提供为提高高频功率放大器的功率利用效率的小型化的传送损耗低的谐波控制电路。由放大元件(204)、谐波控制电路(209)、输出耦合电路(207)、和负荷电阻(208)构成高频功率放大器。从输入端(201)输入的高频信号由放大元件(204)放大,通过谐波控制电路(209)和输出耦合电路(207),提供给负荷电阻(208)。谐波控制电路(209)由第一谐波控制电路(206)和第二谐波控制电路(205)构成。
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公开(公告)号:CN102341895A
公开(公告)日:2012-02-01
申请号:CN201080010283.8
申请日:2010-02-18
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/3205 , H01L21/822 , H01L23/52 , H01L27/04 , H01P3/08 , H01P11/00
CPC classification number: H01L23/5222 , H01L23/3114 , H01L23/5221 , H01L23/5225 , H01L23/525 , H01L23/5329 , H01L24/03 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/14 , H01L24/16 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/81 , H01L2224/0231 , H01L2224/0401 , H01L2224/05567 , H01L2224/05571 , H01L2224/061 , H01L2224/13021 , H01L2224/13022 , H01L2224/13024 , H01L2224/141 , H01L2224/45015 , H01L2224/451 , H01L2224/48227 , H01L2224/81191 , H01L2924/00014 , H01L2924/0002 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01029 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/04953 , H01L2924/10253 , H01L2924/10329 , H01L2924/12041 , H01L2924/1305 , H01L2924/13091 , H01L2924/14 , H01L2924/1423 , H01L2924/20752 , H01L2924/30107 , H01L2924/3011 , H01L2924/3025 , H01P3/085 , H01P11/003 , H01L2924/00 , H01L2224/05552 , H01L2224/45099 , H01L2924/00015 , H01L2224/05599
Abstract: 提供一种半导体芯片,是将Si类半导体作为基板的MMIC等半导体芯片,具有低损耗的传送线路,容易连接到安装用电路基板上,且能够确保稳定的GND电位。该半导体芯片是倒装的半导体芯片(10),具备:Si基板(11);形成在Si基板(11)的主面上的集成电路(12);形成在集成电路(12)上方的介质膜(16);以及形成在介质膜(16)上表面的接地用导体膜(17),集成电路(12)包括由用于传送该集成电路(12)中的信号的信号线(15)构成的布线层(13a),由信号线(15)、介质膜(16)及导体膜(17)构成微带线。
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公开(公告)号:CN102341895B
公开(公告)日:2014-01-29
申请号:CN201080010283.8
申请日:2010-02-18
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/3205 , H01L21/822 , H01L23/52 , H01L27/04 , H01P3/08 , H01P11/00
CPC classification number: H01L23/5222 , H01L23/3114 , H01L23/5221 , H01L23/5225 , H01L23/525 , H01L23/5329 , H01L24/03 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/14 , H01L24/16 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/81 , H01L2224/0231 , H01L2224/0401 , H01L2224/05567 , H01L2224/05571 , H01L2224/061 , H01L2224/13021 , H01L2224/13022 , H01L2224/13024 , H01L2224/141 , H01L2224/45015 , H01L2224/451 , H01L2224/48227 , H01L2224/81191 , H01L2924/00014 , H01L2924/0002 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01029 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/04953 , H01L2924/10253 , H01L2924/10329 , H01L2924/12041 , H01L2924/1305 , H01L2924/13091 , H01L2924/14 , H01L2924/1423 , H01L2924/20752 , H01L2924/30107 , H01L2924/3011 , H01L2924/3025 , H01P3/085 , H01P11/003 , H01L2924/00 , H01L2224/05552 , H01L2224/45099 , H01L2924/00015 , H01L2224/05599
Abstract: 提供一种半导体芯片,是将Si类半导体作为基板的MMIC等半导体芯片,具有低损耗的传送线路,容易连接到安装用电路基板上,且能够确保稳定的GND电位。该半导体芯片是倒装的半导体芯片(10),具备:Si基板(11);形成在Si基板(11)的主面上的集成电路(12);形成在集成电路(12)上方的介质膜(16);以及形成在介质膜(16)上表面的接地用导体膜(17),集成电路(12)包括由用于传送该集成电路(12)中的信号的信号线(15)构成的布线层(13a),由信号线(15)、介质膜(16)及导体膜(17)构成微带线。
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公开(公告)号:CN1960177A
公开(公告)日:2007-05-09
申请号:CN200610143239.X
申请日:2006-11-01
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H03H9/175 , H03H9/02125 , H03H9/589 , H03H9/605
Abstract: 一种音响谐振器,其中具备:音响反射部(14),其形成在基板(11)上,层叠有至少1层低音响阻抗层(12)及至少1层高音响阻抗层(13),高音响阻抗层(13)的音响阻抗比低音响阻抗层(12)高;和音响谐振部(18),其形成在音响反射部(14)上,具有压电膜(16)。低音响阻抗层(12)中的至少1层由硅构成。
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公开(公告)号:CN1949663A
公开(公告)日:2007-04-18
申请号:CN200610144746.5
申请日:2006-10-09
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H03H9/706 , H01L2224/16225 , H01L2224/48091 , H03H9/0571 , H03H9/0576 , H03H9/72 , H03H9/725 , H01L2924/00014
Abstract: 可以抑制在使用多个滤波器芯片的设备中的滤波器芯片所占有的面积,来实现可行的滤波器芯片。复合滤波器芯片由层叠安装在安装基板(41)上的第一滤波器芯片(11)和第二滤波器芯片(21)的叠层芯片(31)构成。第一滤波器芯片(11)由在硅基板的主表面上形成的滤波器电路(12)和与滤波器电路(12)电连接的多个焊盘(13)构成。同样,第二滤波器芯片(21)由在硅基板的主表面上形成的滤波器电路(22)和在滤波器电路(22)的两侧互相间隔开地形成的多个焊盘(23)构成,各个焊盘(23)与滤波器电路(12)电连接。第一滤波器芯片(11)和第二滤波器芯片(21)将硅基板的背面互相相对而粘贴在一起。
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