公开(公告)号：CN109962056B

公开(公告)日：2023-08-01

申请号：CN201811574662.4

申请日：2018-12-21

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： W·哈特纳 ,  C·盖斯勒 ,  T·基尔格 ,  J·洛德迈耶 ,  F-X·米尔鲍尔 ,  M·R·涅斯纳 ,  C·韦希特尔

IPC: H01L23/66 ,  H01L23/24 ,  H01L23/62 ,  H01L21/60 ,  H01L23/50

Abstract: 本公开涉及半导体装置和用于制造半导体装置的方法。该半导体装置包括：电路板；具有主表面的半导体封装，其中半导体封装布置在电路板上并且主表面面向电路板；半导体封装的高频线元件，布置在该主表面上或半导体封装内，其中该高频线元件被配置为传输频率大于10GHz的信号；和底部填充材料，其布置在电路板和半导体封装之间，其中高频线元件和底部填充材料在该主表面上的正交投影中不重叠。

公开(公告)号：CN109962056A

公开(公告)日：2019-07-02

申请号：CN201811574662.4

申请日：2018-12-21

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： W·哈特纳 ,  C·盖斯勒 ,  T·基尔格 ,  J·洛德迈耶 ,  F-X·米尔鲍尔 ,  M·R·涅斯纳 ,  C·韦希特尔

IPC: H01L23/66 ,  H01L23/24 ,  H01L23/62 ,  H01L21/60 ,  H01L23/50

Abstract: 本公开涉及半导体装置和用于制造半导体装置的方法。该半导体装置包括：电路板；具有主表面的半导体封装，其中半导体封装布置在电路板上并且主表面面向电路板；半导体封装的高频线元件，布置在该主表面上或半导体封装内，其中该高频线元件被配置为传输频率大于10GHz的信号；和底部填充材料，其布置在电路板和半导体封装之间，其中高频线元件和底部填充材料在该主表面上的正交投影中不重叠。