公开(公告)号：CN102757015A

公开(公告)日：2012-10-31

申请号：CN201210248287.0

申请日：2010-04-22

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 梁凯智 ,  吴华书 ,  彭利群 ,  黃琮诚 ,  刘醇明 ,  沈育民 ,  张华伦

IPC: B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00246 ,  B81B2201/0257 ,  B81C2201/056 ,  B81C2203/0714 ,  B81C2203/0728

Abstract: 本发明提供了一种集成互补金属氧化物半导体-微型机电系统器件的制造方法，包括提供具有正面和背面的衬底。在所述衬底上形成有CMOS器件。MEMS器件也形成在所述衬底上。形成MEMS器件包括在所述衬底的正面上形成MEMS机械结构。然后释放所述MEMS机械结构。保护层形成在所述衬底的正面。保护层设置在释放的MEMS机械结构上(例如保护MEMS结构)。在将保护层设置到所述MEMS机械结构上的同时处理所述衬底的背面。

公开(公告)号：CN100590789C

公开(公告)日：2010-02-17

申请号：CN200710199506.X

申请日：2007-12-10

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张发源 ,  赖宗沐 ,  梁凯智 ,  吴华书 ,  贺庆雄 ,  萧国裕 ,  张浚威 ,  刘铭棋 ,  谢元智 ,  蔡嘉雄 ,  沈育民 ,  白景中

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/50 ,  B81C3/00

CPC classification number: H01L23/585 ,  B81C1/0038 ,  B81C1/00611 ,  B81C2201/0125 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/31056 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14687 ,  H01L2924/0002 ,  Y10S438/926 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及一种制造微电子元件的方法，包括：形成顶部金属层于第一基板上，其中该顶部金属层包括多个内连线特征以及第一虚设特征；形成第一介电层于该顶部金属层上方；蚀刻在目标区域内的该第一介电层，其中该目标区域大体上垂直地对准该顶部金属层的所述多个内连线特征与该第一虚设特征；对该经蚀刻的第一介电层进行化学机械研磨工艺；以及在进行该化学机械研磨工艺之后，将该第一基板与第二基板结合。本发明提出的制造微电子元件的方法可提升化学机械研磨工艺性能、整个基板表面平坦度以及晶片连接质量。

公开(公告)号：CN102757015B

公开(公告)日：2015-08-12

申请号：CN201210248287.0

申请日：2010-04-22

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 梁凯智 ,  吴华书 ,  彭利群 ,  黃琮诚 ,  刘醇明 ,  沈育民 ,  张华伦

IPC: B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00246 ,  B81B2201/0257 ,  B81C2201/056 ,  B81C2203/0714 ,  B81C2203/0728

Abstract: 本发明提供了一种集成互补金属氧化物半导体-微型机电系统器件的制造方法，包括提供具有正面和背面的衬底。在所述衬底上形成有CMOS器件。MEMS器件也形成在所述衬底上。形成MEMS器件包括在所述衬底的正面上形成MEMS机械结构。然后释放所述MEMS机械结构。保护层形成在所述衬底的正面。保护层设置在释放的MEMS机械结构上(例如保护MEMS结构)。在将保护层设置到所述MEMS机械结构上的同时处理所述衬底的背面。

公开(公告)号：CN101870451B

公开(公告)日：2016-08-24

申请号：CN201010153860.0

申请日：2010-04-22

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 梁凯智 ,  吴华书 ,  彭利群 ,  黄琮诚 ,  刘醇明 ,  沈育民 ,  张华伦

IPC: H01L21/02

CPC classification number: B81C1/00246 ,  B81B2201/0257 ,  B81C2201/056 ,  B81C2203/0714 ,  B81C2203/0728

Abstract: 本发明提供了一种方法，包括提供具有正面和背面的衬底。在所述衬底上形成有CMOS器件。MEMS器件也形成在所述衬底上。形成MEMS器件包括在所述衬底的正面上形成MEMS机械结构。然后释放所述MEMS机械结构。保护层形成在所述衬底的正面。保护层设置在释放的MEMS机械结构上(例如保护MEMS结构)。在将保护层设置到所述MEMS机械结构上的同时处理所述衬底的背面。

公开(公告)号：CN101870451A

公开(公告)日：2010-10-27

申请号：CN201010153860.0

申请日：2010-04-22

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 梁凯智 ,  吴华书 ,  彭利群 ,  黄琮诚 ,  刘醇明 ,  沈育民 ,  张华伦

IPC: B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00246 ,  B81B2201/0257 ,  B81C2201/056 ,  B81C2203/0714 ,  B81C2203/0728

Abstract: 本发明提供了一种方法，包括提供具有正面和背面的衬底。在所述衬底上形成有CMOS器件。MEMS器件也形成在所述衬底上。形成MEMS器件包括在所述衬底的正面上形成MEMS机械结构。然后释放所述MEMS机械结构。保护层形成在所述衬底的正面。保护层设置在释放的MEMS机械结构上(例如保护MEMS结构)。在将保护层设置到所述MEMS机械结构上的同时处理所述衬底的背面。

公开(公告)号：CN101246811A

公开(公告)日：2008-08-20

申请号：CN200710199506.X

申请日：2007-12-10

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张发源 ,  赖宗沐 ,  梁凯智 ,  吴华书 ,  贺庆雄 ,  萧国裕 ,  张浚威 ,  刘铭棋 ,  谢元智 ,  蔡嘉雄 ,  沈育民 ,  白景中

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/50 ,  B81C3/00

CPC classification number: H01L23/585 ,  B81C1/0038 ,  B81C1/00611 ,  B81C2201/0125 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/31056 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14687 ,  H01L2924/0002 ,  Y10S438/926 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及一种制造微电子元件的方法，包括：形成顶部金属层于第一基板上，其中该顶部金属层包括多个内连线特征以及第一虚设特征；形成第一介电层于该顶部金属层上方；蚀刻在目标区域内的该第一介电层，其中该目标区域大体上垂直地对准该顶部金属层的所述多个内连线特征与该第一虚设特征；对该经蚀刻的第一介电层进行化学机械研磨工艺；以及在进行该化学机械研磨工艺之后，将该第一基板与第二基板结合。本发明提出的制造微电子元件的方法可提升化学机械研磨工艺性能、整个基板表面平坦度以及晶片连接质量。