公开(公告)号：CN108281354A

公开(公告)日：2018-07-13

申请号：CN201710011311.1

申请日：2017-01-06

申请人： 联华电子股份有限公司 ,  福建省晋华集成电路有限公司

发明人： 黄柏诚 ,  李昱廷 ,  蔡傅守 ,  林文钦 ,  刘俊良

IPC分类号： H01L21/306 ,  H01L27/108

CPC分类号： H01L21/3212 ,  H01L21/30625 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/31056 ,  H01L21/76254 ,  H01L27/10808 ,  H01L27/10894 ,  H01L27/10844

摘要： 本发明公开一种平坦化方法，包含提供一基底，具有一主表面。一凸起结构，位于主表面上。形成一绝缘层，共型地覆盖主表面以及凸起结构的顶面及侧壁。形成一停止层，位于绝缘层上并且至少覆盖凸起结构的顶面。然后全面性地形成一第一介电层，并以一化学机械研磨制作工艺移除部分第一介电层直到暴露出停止层，得到一上表面。形成一预定厚度的第二介电层，覆盖上表面。

公开(公告)号：CN107464747A

公开(公告)日：2017-12-12

申请号：CN201710291502.8

申请日：2017-04-28

申请人： 朗姆研究公司

发明人： 萨曼莎·坦 ,  余珍意 ,  理查德·怀斯 ,  内德·莎玛 ,  潘阳

IPC分类号： H01L21/302 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/67

CPC分类号： H01L21/0273 ,  G03F7/427 ,  H01J37/32183 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32899 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/02115 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31056 ,  H01L21/31058 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/302 ,  H01L21/67213

摘要： 本发明涉及使用ALE和选择性沉积蚀刻衬底。提供了使用原子层沉积和选择性沉积处理含碳材料的衬底的方法和设备。方法包括将衬底上的含碳材料暴露于氧化剂上并以第一偏置功率点燃第一等离子体以使衬底的表面改性，并以第二偏置功率将改性的表面暴露于惰性等离子体以除去改性表面。方法还涉及将第二含碳材料选择性地沉积到衬底上。可以在不破坏真空的情况下进行ALE和选择性沉积。

公开(公告)号：CN104701247B

公开(公告)日：2017-11-24

申请号：CN201410738353.1

申请日：2014-12-05

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 黄琮闵 ,  李忠儒 ,  吴永旭

IPC分类号： H01L21/768

CPC分类号： H01L21/0338 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/0335 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/31056 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/32 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76816 ,  H01L21/76877 ,  H01L23/53228 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 一种方法包括在目标层上方形成芯轴层；以及蚀刻芯轴层以形成芯轴。芯轴的顶部宽度大于相应的底部宽度，并且芯轴限定位于芯轴层中的第一开口。第一开口呈I形并且包括两个平行部分和互连两个平行部分的连接部分。在第一开口的侧壁上形成间隔件。间隔件填充连接部分，其中，两个平行部分中的每个的中心部分未被间隔件填充。使第一开口的未被间隔件填充的部分延伸至目标层内。本发明涉及使用喇叭形间隔件的沟槽结构。

公开(公告)号：CN107026079A

公开(公告)日：2017-08-08

申请号：CN201610824280.7

申请日：2016-09-14

申请人： 朗姆研究公司

发明人： 亚辛·卡布兹 ,  吕克·阿尔巴雷德 ,  安德鲁·D·贝利 ,  乔治·卢克 ,  塞翁克永·李 ,  索斯藤·利尔

IPC分类号： H01L21/3065 ,  H01L21/66

CPC分类号： H01L22/26 ,  H01J37/32981 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/3081 ,  H01L21/3083 ,  H01L21/31056 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/32137 ,  H01L28/00 ,  H01L22/30

摘要： 本发明涉及用于确定处理速率的方法和装置。一种用于在处理室中干法处理衬底的方法被提供。所述衬底被置于所述处理室中。所述衬底被干法处理，其中所述干法处理产生至少一种气体副产品。所述至少一种气体副产品的浓度被测量。所述至少一种气体副产品的所述浓度被用于确定所述衬底的处理速率。

公开(公告)号：CN105097491A

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201410180862.7

申请日：2014-04-30

申请人： 无锡华润上华科技有限公司

发明人： 华强 ,  周耀辉

IPC分类号： H01L21/3105 ,  H01L21/311

CPC分类号： H01L21/31056 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/3081 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/76 ,  H01L21/762

摘要： 本发明提供了一种基于氮氧化硅抗反射层的化学机械平坦化工艺，包括：提供一半导体晶圆，所述半导体晶圆包括衬底、形成于衬底上的氧化层、形成于所述氧化层上的氮化硅层、形成于所述氮化硅层上的抗反射层、贯穿所述抗反射层并延伸入所述衬底中的沟槽、以及填充于所述沟槽内并覆盖于所述抗反射层上的第一二氧化硅层；研磨所述第一二氧化硅层直至所述抗反射层；干法刻蚀去除所述抗反射层；在去除所述抗反射层的半导体晶圆表面形成第二二氧化硅层；研磨所述第二二氧化硅层直至所述氮化硅层；去除所述氮化硅层。本发明工艺简单，采用氮氧化硅作为抗反射层，CD管控相对简单。

公开(公告)号：CN102651345B

公开(公告)日：2014-01-08

申请号：CN201110045413.8

申请日：2011-02-24

申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

发明人： 邵群 ,  洪中山

IPC分类号： H01L21/8234 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L21/823412 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/31056 ,  H01L21/823456 ,  H01L21/823468

摘要： 一种晶体管的制造方法，包括：提供衬底，所述衬底上形成有晶体管，所述晶体管包括位于衬底上的栅极，并形成依次覆盖于晶体管和衬底上的应力层、第一氧化层；在所述第一氧化层上形成牺牲层；图形化所述牺牲层，去除覆盖于晶体管栅极上的牺牲层；在保留的牺牲层上、以及去除牺牲层所露出的第一氧化层上形成第二氧化层；进行第一平坦化工艺，去除位于晶体管栅极上的部分氧化层；进行第二平坦化工艺，去除位于晶体管栅极上的剩余氧化层；进行第三平坦化工艺，去除位于晶体管栅极上的应力层；其中，图形化之后，所述保留的牺牲层的上表面与栅极上的应力层的上表面接近，并且牺牲层的下表面与栅极的上表面接近。本发明制造方法可减小獠牙效应。

公开(公告)号：CN107075050B

公开(公告)日：2019-08-13

申请号：CN201580059546.7

申请日：2015-09-30

申请人： 株式会社LG化学

发明人： 崔银英 ,  朴鲁振 ,  金廷根 ,  李济权 ,  具世真 ,  李美宿 ,  柳亨周 ,  尹圣琇

IPC分类号： C08F293/00 ,  C08J5/18

CPC分类号： G03F7/165 ,  B05D1/005 ,  B05D3/007 ,  B81C1/00428 ,  B81C2201/0149 ,  B82Y40/00 ,  C01P2002/70 ,  C07B2200/00 ,  C08F2/14 ,  C08F32/06 ,  C08F212/08 ,  C08F212/14 ,  C08F216/12 ,  C08F220/10 ,  C08F220/26 ,  C08F220/30 ,  C08F293/00 ,  C08F293/005 ,  C08F299/024 ,  C08F2220/301 ,  C08F2438/03 ,  C08G61/08 ,  C08G61/12 ,  C08G2261/1424 ,  C08G2261/1426 ,  C08G2261/332 ,  C08G2261/3324 ,  C08G2261/40 ,  C08G2261/418 ,  C08J5/18 ,  C08J7/123 ,  C08J2353/00 ,  C08L53/00 ,  C08L53/005 ,  C08L53/02 ,  C09D153/00 ,  G03F7/0002 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/039 ,  G03F7/091 ,  G03F7/16 ,  G03F7/162 ,  G03F7/2004 ,  G03F7/30 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/31055 ,  H01L21/31056 ,  H01L21/31058 ,  H01L21/31144 ,  C08F214/182

摘要： 本申请涉及嵌段共聚物及其用途。本申请可提供表现出优异的自组装性并因此可以有效地用于多种应用的嵌段共聚物以及其用途。

公开(公告)号：CN107075053B

公开(公告)日：2019-05-21

申请号：CN201580059758.5

申请日：2015-09-30

申请人： 株式会社LG化学

发明人： 李济权 ,  朴鲁振 ,  金廷根 ,  具世真 ,  李美宿 ,  崔银英 ,  尹圣琇 ,  柳亨周

IPC分类号： C08F297/00 ,  C08F299/00 ,  C08F212/08 ,  C08F220/10 ,  C08L53/00 ,  C08J5/18 ,  G03F7/00

CPC分类号： C08L53/005 ,  B05D1/005 ,  B05D3/007 ,  B81C1/00428 ,  B81C2201/0149 ,  B82Y40/00 ,  C01P2002/70 ,  C07B2200/00 ,  C08F2/14 ,  C08F32/06 ,  C08F212/08 ,  C08F216/12 ,  C08F220/10 ,  C08F220/26 ,  C08F220/30 ,  C08F293/00 ,  C08F293/005 ,  C08F297/00 ,  C08F299/00 ,  C08F299/024 ,  C08F2220/301 ,  C08F2438/03 ,  C08G61/08 ,  C08G61/12 ,  C08G2261/1424 ,  C08G2261/1426 ,  C08G2261/332 ,  C08G2261/3324 ,  C08G2261/40 ,  C08G2261/418 ,  C08J5/18 ,  C08J7/123 ,  C08J2353/00 ,  C08L53/00 ,  C08L53/02 ,  C09D153/00 ,  G03F7/00 ,  G03F7/0002 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/039 ,  G03F7/091 ,  G03F7/16 ,  G03F7/162 ,  G03F7/165 ,  G03F7/2004 ,  G03F7/30 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/31055 ,  H01L21/31056 ,  H01L21/31058 ,  C08F214/182 ,  C08F261/06

摘要： 本申请提供了嵌段共聚物及其用途。本申请的嵌段共聚物表现出优异的自组装特性或相分离特性，可具备多种所需功能而无限制，并且特别是可确保蚀刻选择性，使得所述嵌段共聚物可有效地适用于如图案形成这样的用途。

公开(公告)号：CN107690692A

公开(公告)日：2018-02-13

申请号：CN201680032734.5

申请日：2016-06-03

申请人： 密克罗奇普技术公司

发明人： 贾斯丁·希罗奇·萨托 ,  格雷戈里·艾伦·斯托姆

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/306 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/311 ,  H01L21/762 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/8238 ,  H01L29/06

CPC分类号： H01L21/76229 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/31051 ,  H01L21/31055 ,  H01L21/31056 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/823481 ,  H01L21/823878 ,  H01L29/0649

摘要： 本发明提供一种形成用于集成电路的沟槽隔离(例如，STI)的方法，所述方法包含：在半导体衬底上方形成垫氧化物层且接着形成氮化物层；穿透所述结构执行沟槽蚀刻以形成沟槽；沉积沟槽氧化物层于所述结构上方以形成经填充沟槽；沉积牺牲平坦化层于所述经沉积氧化物上方，所述牺牲平坦化层对所述沟槽氧化物层具有蚀刻选择性；执行平坦化蚀刻工艺，其移除所述牺牲平坦化层且减小所述沟槽氧化物层的上表面中的表面变化；执行氧化物蚀刻工艺，其对所述沟槽氧化物层具有选择性以移除所述经填充沟槽外侧的所述沟槽氧化物层的剩余部分；及移除剩余氮化物层，使得所述剩余经氧化物填充沟槽界定突出于所述半导体衬底的经曝露上表面上方的沟槽隔离结构。

公开(公告)号：CN103854966A

公开(公告)日：2014-06-11

申请号：CN201210505860.1

申请日：2012-11-30

申请人： 中国科学院微电子研究所

发明人： 朱慧珑 ,  罗军 ,  李春龙 ,  邓坚 ,  赵超

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/321

CPC分类号： H01L21/76229 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/308 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/31056 ,  H01L21/31105 ,  H01L21/32115 ,  H01L21/32132 ,  H01L21/823481 ,  H01L29/1083 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/6681 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/31055

摘要： 本申请公开了一种平坦化处理方法。一示例方法可以包括：对材料层进行第一溅射，在进行第一溅射时，以第一掩蔽层遮蔽材料层中溅射的负载条件相对较低的区域；去除第一掩蔽层；以及对材料层进行第二溅射，以使材料层平坦。