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公开(公告)号：CN120072669A
公开(公告)日：2025-05-30
申请号：CN202311610860.2
申请日：2023-11-28
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
Abstract: 本申请涉及一种缺陷结构的制作方法及晶圆缺陷的检测方法，缺陷结构的制作方法包括：对待检测晶圆减薄第一预设厚度，以形成表面暴露有待检测缺陷颗粒的第一晶圆；于所述第一晶圆的表面形成辅助层；所述辅助层围设于所述待检测缺陷颗粒的侧表面，并与所述待检测缺陷颗粒共同构成缺陷结构。如此，可以通过缺陷扫描机台对缺陷结构进行检测，获取缺陷结构的数量和尺寸，便于工艺人员进一步分析。该缺陷结构有助于实现跨工艺节点的缺陷检测，即：通过低精度的工艺机台检测较小尺寸的缺陷颗粒，不仅有助于对晶圆内部缺陷的检测，还有利于降低检测成本。
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公开(公告)号：CN120072625A
公开(公告)日：2025-05-30
申请号：CN202311606165.9
申请日：2023-11-28
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
Abstract: 本申请涉及一种半导体器件的制作方法，包括：提供半导体结构，所述半导体结构包括衬底结构以及设于所述衬底结构一侧的顶金属层；对所述半导体结构进行第一次热处理；采用清洗液对所述顶金属层进行清洗，以于所述顶金属层的表面形成液体保护薄膜；于所述顶金属层远离所述衬底结构的一侧形成保护层。如此，该液体保护薄膜可以阻止保护层的材料对顶金属层造成侵蚀，从而降低顶金属层的表面的缺陷发生率，提升器件的良率。
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公开(公告)号：CN120048793A
公开(公告)日：2025-05-27
申请号：CN202311601462.4
申请日：2023-11-27
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
Inventor： 冯栋
IPC: H01L21/768 , H01L23/48
Abstract: 本发明涉及一种通孔结构及其制造方法、通孔互连结构的制造方法，所述通孔结构的制造方法，包括：在衬底中形成盲孔；将盲孔底部剩余的衬底材料全部氧化；去除所述氧化层，得到通孔结构，所述通孔结构具有贯穿所述衬底的通孔。本发明在衬底中形成盲孔，不使用支撑片进行通孔结构的制造，无需键合及解键合设备，节约了生产成本。通过氧化将盲孔底部剩余厚度的衬底材料全部氧化成氧化层，然后再去除氧化层得到贯穿衬底的通孔，无需对衬底背面进行减薄，避免了减薄造成的硅渣和崩边缺陷，有利于提高器件的良率和可靠性。
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公开(公告)号：CN120048756A
公开(公告)日：2025-05-27
申请号：CN202311599416.5
申请日：2023-11-27
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/306 , H01L21/02 , B08B3/02 , B08B3/08
Abstract: 本发明涉及一种液墙装置、化学机械平坦化设备及方法，所述化学机械平坦化设备包括液墙装置，所述液墙装置包括：喷头，靠近所述化学机械平坦化设备的面板设置；管道，与所述喷头连通，用于为所述喷头供应清洁液，所述喷头从所述管道向所述面板延伸；挡液件，包括设于所述喷头下方的挡棚，所述挡棚从靠近所述面板的位置向所述化学机械平坦化设备的中部延伸。本发明通过喷头向化学机械平坦化设备的面板喷洒清洁液，能够阻止Slurry在面板上形成结晶体，从而避免该结晶体导致的产品缺陷。并且通过挡液件对远离面板的清洁液滴进行阻挡，避免清洁液滴落入研磨过程中使用的Slurry中，防止对研磨效果造成负面影响。
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公开(公告)号：CN119997572A
公开(公告)日：2025-05-13
申请号：CN202311478633.9
申请日：2023-11-08
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
IPC: H10D62/10 , H10D84/83 , H10D84/03 , H01L21/265 , H01L21/266
Abstract: 本发明涉及一种半导体器件、隔离结构及隔离结构的制造方法，所述隔离结构包括：埋藏区，位于衬底中；第二导电类型区，位于埋藏区上；第二导电类型缓冲层，位于第二导电类型区中，第二导电类型缓冲层的掺杂浓度大于第二导电类型区的掺杂浓度；第一阱区，位于第二导电类型缓冲层上，第一阱区的掺杂浓度小于第二导电类型缓冲层的掺杂浓度；第二阱区，位于埋藏区上，第二阱区在横向上将第二导电类型缓冲层和第一阱区包围。本发明中第二导电类型缓冲层对上方的第二导电类型区有足够的向上反扩散的能力，还能够为器件主体的漂移区提供更好的RESURF能力，获得更高的隔离耐压。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119967860A
公开(公告)日：2025-05-09
申请号：CN202311473834.X
申请日：2023-11-07
Applicant: 东南大学 , 无锡华润上华科技有限公司
Abstract: 本申请涉及一种横向扩散金属氧化物半导体器件及其制备方法。该横向扩散金属氧化物半导体器件包括至少一个元胞结构，元胞结构包括：衬底；N型的第一阱区，设于衬底内；第一阱区内设有沿第一方向依次排布的第一分区、隔断区和第二分区；P型的第一掺杂区和P型的第二掺杂区，第一掺杂区位于第一分区，第二掺杂区位于第二分区；P型的源区和P型的漏区，设于衬底内，且分别位于第一掺杂区沿第二方向的两侧；第一方向为导电沟道的宽度方向，第二方向为导电沟道的长度方向。本申请能够抑制开启状态下输出电流的迅速增大，从而改善器件输出电流的稳定性以及提高器件的可靠性。
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公开(公告)号：CN115480441B
公开(公告)日：2025-05-09
申请号：CN202110597797.8
申请日：2021-05-31
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
IPC: G03F1/36
Abstract: 本发明涉及一种光学临近修正方法、掩膜版、可读存储介质及计算机设备，所述方法包括：获取掩膜版设计图形；根据OPC模型对所述掩膜版设计图形进行模拟，得到模拟曝光图形；从所述掩膜版设计图形中筛选出符合第一预设条件的台阶图形；计算所述模拟曝光图形与所述掩膜版设计图形的边缘放置误差，其中所述台阶图形处的边缘放置误差采用图形差值的平均值作为边缘放置误差的值；根据所述边缘放置误差对所述掩膜版设计图形进行调整，得到掩膜版制版图形。本发明筛选出jog图形，然后采用平均值作为jog处EPE的值，能够有效避免“bridge”或“pinch”的发生，从而提高OPC的修正精度，提高OPC修正效率，提高工艺窗口，降低工艺风险。
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公开(公告)号：CN119852249A
公开(公告)日：2025-04-18
申请号：CN202311347130.8
申请日：2023-10-17
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
IPC: H01L23/31 , H01L21/762 , H01L23/48 , H01L21/768
Abstract: 本申请涉及一种半导体器件及其制备方法，该半导体器件包括：基体层；埋层，设于基体层上；顶硅层，设于埋层上；顶硅层上具有间隔排布的多个器件区；间隔排布的多个沟槽隔离结构，设于顶硅层上；至少两个沟槽隔离结构的部分结构位于相邻的两个器件区之间；该至少两个沟槽隔离结构中，相邻的两个沟槽隔离结构之间设有引出区，引出区设有与顶硅层电连接的电引出结构。如此，一方面，该至少两个沟槽隔离结构能够较好地对相邻的两个器件区进行隔离，降低两个器件区内器件的相互干扰；另一方面，电引出结构能够将沟槽隔离结构之间的感应电荷传导出去，从而改善沟槽隔离结构两侧的器件的电压耦合现象，有利于提高半导体器件的工作性能。
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公开(公告)号：CN114740320B
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202011536078.7
申请日：2020-12-23
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明涉及一种多晶硅的电流能力的测试方法及测试系统，所述方法包括：获取多晶硅的多份不同宽度样品；将样品的温度调整至预设温度，测试预设温度下各份样品的电阻值；预设温度是多晶硅的预期应用温度上限值与多晶硅的焦耳热上限值之和；将样品的温度调整为预期应用温度上限值，并对样品分别施加电流，获取样品达到各自的电阻值时分别对应的电流值；将各电流值作为最大均方根电流密度，代入最大均方根电流密度模型中，计算最大均方根电流密度模型的经验参数；将多晶硅的宽度代入最大均方根电流密度模型中，计算出最大均方根电流密度，作为最大安全电流。本发明不需要特殊的测试设备，可操作性强，测试周期短。
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公开(公告)号：CN119812089A
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202311302317.6
申请日：2023-10-09
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
IPC: H01L21/687 , H01L21/67
Abstract: 本申请涉及一种晶圆清洗装置及半导体工艺机台。该晶圆清洗装置包括：第一载台，所述第一载台的一侧表面设有擦洗面；所述第一载台上还设有凹槽，所述凹槽由所述擦洗面朝向所述第一载台内延伸；第二载台，设置于所述凹槽内，所述第二载台的一侧表面设有承载面，所述承载面与所述擦洗面平齐；其中，所述第一载台和所述第二载台中的一者可绕所述第二载台的中心旋转；所述凹槽的侧壁与旋转中心之间的距离，大于所述旋转中心与所述第二载台的侧边缘之间的距离。这样，第一载台或第二载台可以带动晶圆进行360°旋转，从而提高了擦洗面的清洗面积，进而提高了清洗效率和清洗效果。
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