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公开(公告)号:CN115480441B
公开(公告)日:2025-05-09
申请号:CN202110597797.8
申请日:2021-05-31
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
IPC: G03F1/36
Abstract: 本发明涉及一种光学临近修正方法、掩膜版、可读存储介质及计算机设备,所述方法包括:获取掩膜版设计图形;根据OPC模型对所述掩膜版设计图形进行模拟,得到模拟曝光图形;从所述掩膜版设计图形中筛选出符合第一预设条件的台阶图形;计算所述模拟曝光图形与所述掩膜版设计图形的边缘放置误差,其中所述台阶图形处的边缘放置误差采用图形差值的平均值作为边缘放置误差的值;根据所述边缘放置误差对所述掩膜版设计图形进行调整,得到掩膜版制版图形。本发明筛选出jog图形,然后采用平均值作为jog处EPE的值,能够有效避免“bridge”或“pinch”的发生,从而提高OPC的修正精度,提高OPC修正效率,提高工艺窗口,降低工艺风险。
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公开(公告)号:CN115509081B
公开(公告)日:2025-01-21
申请号:CN202110692382.9
申请日:2021-06-22
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
Abstract: 本发明涉及一种光学临近修正方法、掩膜版及可读存储介质,所述方法包括:获取掩膜版设计图形;将所述掩膜版设计图形的外边缘解析分割成多段,包括:对于不平行于线条端头,且在所述线条端头的延伸方向上与线条端头相邻的线条图形,根据所述线条端头与所述线条图形的间距、和建立OPC模型时采用的光学直径,计算所述线条图形在邻近所述线条端头位置处的切分线段长度;根据所述OPC模型对所述掩膜版设计图形进行模拟,得到模拟曝光图形;根据所述模拟曝光图形对所述掩膜版设计图形进行调整,得到掩膜版制版图形。本发明能够有效改善“波纹”现象,提高OPC修正精度和OPC修正效率,降低工艺风险。
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公开(公告)号:CN117666271A
公开(公告)日:2024-03-08
申请号:CN202211024938.8
申请日:2022-08-25
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
IPC: G03F1/36
Abstract: 本申请涉及一种光学邻近修正方法和掩膜板,该方法包括:提供具有3Bar结构的原始版图;获取所述3Bar结构的待补偿Bar图形的偏差;于所述原始版图中选定所述3Bar结构;根据所述偏差对所述3Bar结构的所述待补偿Bar图形进行补偿,以获取第一修正版图;对所述第一修正版图进行光学邻近图形修正,以获取第二修正版图。本申请相当于在光学邻近修正之前对3Bar结构进行预处理(预补偿),因此,后续的光学邻近修正处理中产生偏差时,是在预补偿的基础上产生偏差,从而降低了光学邻近修正结果的偏差值,改善了光学邻近修正对3Bar结构的修正效果,降低了3Bar结构的实际尺寸与目标尺寸的偏差。
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公开(公告)号:CN115509081A
公开(公告)日:2022-12-23
申请号:CN202110692382.9
申请日:2021-06-22
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
Abstract: 本发明涉及一种光学临近修正方法、掩膜版及可读存储介质,所述方法包括:获取掩膜版设计图形;将所述掩膜版设计图形的外边缘解析分割成多段,包括:对于不平行于线条端头,且在所述线条端头的延伸方向上与线条端头相邻的线条图形,根据所述线条端头与所述线条图形的间距、和建立OPC模型时采用的光学直径,计算所述线条图形在邻近所述线条端头位置处的切分线段长度;根据所述OPC模型对所述掩膜版设计图形进行模拟,得到模拟曝光图形;根据所述模拟曝光图形对所述掩膜版设计图形进行调整,得到掩膜版制版图形。本发明能够有效改善“波纹”现象,提高OPC修正精度和OPC修正效率,降低工艺风险。
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公开(公告)号:CN114609857A
公开(公告)日:2022-06-10
申请号:CN202011409455.0
申请日:2020-12-03
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
IPC: G03F1/36
Abstract: 本发明提供了一种光学临近效应修正方法及系统和掩膜版,该方法包括:根据当前层的前一层的图形对光刻的原始设计图形中当前层的区域进行分类以获得区域所属的类别,区域所属的类别包括原始设计图形中当前层中与前一层上下重叠的重叠区域和不重叠的非重叠区域;对各个类别的区域设定优先级,其中,重叠区域的优先级高于非重叠区域的优先级;在原始设计图形的边缘设置多个目标点,所述重叠区域的边缘设置的目标点的密度大于所述非重叠区域设置的目标点的密度;根据OPC模型获得原始设计图形的修正图形,并对其进行模拟以获得图形模拟结果;计算各个目标点处图形模拟结果和原始设计图形之间的差异;根据差异以及目标点的权重,对修正图形进行调整。
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公开(公告)号:CN115704992A
公开(公告)日:2023-02-17
申请号:CN202110940746.0
申请日:2021-08-17
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
IPC: G03F1/36
Abstract: 本发明提供一种掩膜版图形修正方法、掩膜版的制备方法及掩膜版,该修正方法包括:建立OPC模型;提供设计图形,获取设计图形数据;根据制版厂反馈的设计图形中的转角图形的角圆误差值及晶圆的线上工艺参数对转角图形进行数据预设涨缩,获得预处理的设计图形数据;根据OPC模型,对预处理的设计图形数据进行OPC修正。该修正方法充分考虑制版厂对转角部分需要做到的CD的要求,并结合晶圆的线上工艺参数要求,对转角图形进行数据预设涨缩,后续以此预处理后的设计图形数据为目标进行OPC修正,以达到在不影响线上工艺的情况下,可以对制备掩膜版过程中曝光机在corner rounding部分的差异进行OPC调整,从而使得corner rounding差异减小达到工厂的制版要求,使制版厂可以正常制版。
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公开(公告)号:CN115685663A
公开(公告)日:2023-02-03
申请号:CN202110852015.0
申请日:2021-07-27
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种带SRAF的OPC修正方法,该方法包括:设计试验,获得添加SRAF图形的最优规则;使用原有的OPC模型;对目标图形添加SRAF图形,形成预设图形;使用原有的OPC模型对预设图形进行运算修正,在运算修正过程中SRAF图形作为目标图形的一部分一起参与OPC运算,并保持SRAF图形不动。通过在对带SRAF的目标图形进行修正过程中,将SRAF图形与目标图形作为一个整体一起参与OPC运算,并将SRAF图形保持不动,即SRAF图形不参与OPC模型对目标图形边缘修正的动作,只考虑SRAF图形对目标图形光学环境的影响,确保了OPC修正的精确性;同时在修正过程中不需要额外制作带SRAF的建模光刻版,节省了光刻版的制版费用;另外利用现有的OPC模型,有效节省了大量OPC建模所需时间,提高修正效率。
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公开(公告)号:CN119126478A
公开(公告)日:2024-12-13
申请号:CN202310698945.4
申请日:2023-06-13
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
IPC: G03F1/36
Abstract: 本申请涉及一种光学邻近修正方法、装置及掩膜版。所述方法包括:从待修正的设计图形中选择第一图形,第一图形的面积小于第一预设面积;对第一图形进行第一次调整,得到第二图形,第二图形的面积不小于第一预设面积;对第二图形和除第一图形外的设计图形进行第二次调整,得到设计图形的预修正图形;从设计图形的预修正图形中选择第三图形,第三图形的面积小于第二预设面积;获取第二图形与第三图形之间不重叠的图形,不重叠的图形为偏差图形;从第二图形中选择与偏差图形有共边的第二图形作为第四图形;根据第四图形和设计图形的预修正图形得到设计图形的目标修正图形。本申请方法调整的精度更高,避免产品出现失效或可靠性降低。
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公开(公告)号:CN111399334B
公开(公告)日:2021-12-21
申请号:CN201910003405.3
申请日:2019-01-03
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
IPC: G03F1/36
Abstract: 本发明涉及一种掩模版制作方法和掩模版,其中,掩模版制作方法包括:建立OPC程序;提供设计图形,对设计图形中的转角图形进行预处理;根据OPC程序,对包含预处理后的转角图形的设计图形进行OPC运算;按照OPC运算后的图形制作掩模版,从而不仅可以保证中间CD满足实际需求,而且可以保证转角CD满足实际需求,有效避免了通过牺牲转角CD来满足中间CD导致的转角过于圆弧化而无法满足用户需求的问题。
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公开(公告)号:CN117666272A
公开(公告)日:2024-03-08
申请号:CN202211048772.3
申请日:2022-08-30
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
IPC: G03F1/36
Abstract: 本发明涉及一种光学临近修正方法、掩模版、可读存储介质及计算机设备,所述方法包括:获取掩模版设计图形;对掩模版设计图形的外边缘进行解析分割;在所述掩模版设计图形中宽度不大于第一尺寸的线条端图形的第一长边上,按照预设的目标点间距放置多个目标点;所述掩模版设计图形包括与所述第一长边的距离不大于第一距离的图形;根据OPC模型对所述掩模版设计图形进行模拟,得到模拟曝光图形;计算所述模拟曝光图形与所述掩模版设计图形的边缘放置误差;根据所述边缘放置误差对所述掩模版设计图形进行调整,得到掩模版制版图形。本发明能够有效地提高OPC修正精度,避免出现pinch。
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