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公开(公告)号：CN115704992A
公开(公告)日：2023-02-17
申请号：CN202110940746.0
申请日：2021-08-17
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
IPC: G03F1/36
Abstract: 本发明提供一种掩膜版图形修正方法、掩膜版的制备方法及掩膜版，该修正方法包括：建立OPC模型；提供设计图形，获取设计图形数据；根据制版厂反馈的设计图形中的转角图形的角圆误差值及晶圆的线上工艺参数对转角图形进行数据预设涨缩，获得预处理的设计图形数据；根据OPC模型，对预处理的设计图形数据进行OPC修正。该修正方法充分考虑制版厂对转角部分需要做到的CD的要求，并结合晶圆的线上工艺参数要求，对转角图形进行数据预设涨缩，后续以此预处理后的设计图形数据为目标进行OPC修正，以达到在不影响线上工艺的情况下，可以对制备掩膜版过程中曝光机在corner rounding部分的差异进行OPC调整，从而使得corner rounding差异减小达到工厂的制版要求，使制版厂可以正常制版。
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公开(公告)号：CN115685663A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202110852015.0
申请日：2021-07-27
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种带SRAF的OPC修正方法，该方法包括：设计试验，获得添加SRAF图形的最优规则；使用原有的OPC模型；对目标图形添加SRAF图形，形成预设图形；使用原有的OPC模型对预设图形进行运算修正，在运算修正过程中SRAF图形作为目标图形的一部分一起参与OPC运算，并保持SRAF图形不动。通过在对带SRAF的目标图形进行修正过程中，将SRAF图形与目标图形作为一个整体一起参与OPC运算，并将SRAF图形保持不动，即SRAF图形不参与OPC模型对目标图形边缘修正的动作，只考虑SRAF图形对目标图形光学环境的影响，确保了OPC修正的精确性；同时在修正过程中不需要额外制作带SRAF的建模光刻版，节省了光刻版的制版费用；另外利用现有的OPC模型，有效节省了大量OPC建模所需时间，提高修正效率。
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公开(公告)号：CN108073047B
公开(公告)日：2020-04-03
申请号：CN201611006000.8
申请日：2016-11-15
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明涉及一种光学临近效应校正方法及系统。所述方法包括：对光刻的设计图形进行分类；对各类别的图形进行区域划分，按区域对产品造成负面影响的风险相应赋予权重；将一设计图形作为待校正图形并在图形边缘设置多个目标点；根据OPC模型得到待校正图形的OPC修正图形并进行模拟，得到图形模拟结果；计算各目标点的位置处图形模拟结果与待校正图形之间的差异；根据差异和权重对OPC修正图形进行调整，并再次进行模拟得到调整后的图形模拟结果；反复执行以上两步骤，得到最终的OPC修正图形。本发明对图形上的不同目标点引入权重概念，当不同区域的修正需求产生冲突时，优先满足高权重目标点的修正需求，从而能够提高元器件的良率。
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公开(公告)号：CN103105727B
公开(公告)日：2014-06-04
申请号：CN201110360446.1
申请日：2011-11-15
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
IPC: G03F1/36
Abstract: 一种形成光掩膜版的方法及光掩膜版。所述方法包括：a）提供静态随机存取记忆器有源区的设计图形，所述设计图形包括多个交错排列的单元，所述单元包括位于两端的头部和连接在所述头部之间的颈部；b）在相邻的所述单元的内侧设置矩形缺口，以形成光掩膜版图形，其中，所述矩形缺口位于所述颈部的端部；以及c）形成具有所述光掩膜版图形的光掩膜版。本发明的方法通过在静态随机存取记忆器有源区图形的相邻单元的内侧的、头部的下方设置矩形缺口可以增大随后以该掩膜版图形进行光刻工艺在晶片上获得的光刻图形在该区域内头对头之间的间距，因此可以有效地抑制连桥现象，提高良品率。
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公开(公告)号：CN103186030A
公开(公告)日：2013-07-03
申请号：CN201110444785.8
申请日：2011-12-27
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
IPC: G03F1/36
CPC classification number: G03F1/36
Abstract: 一种光学邻近修正方法，基于光学邻近修正工艺，通过在对金属线条进行OPC处理时，增加判断和修改缩进量的步骤，使得金属线条中的凹凸结构在进行OPC修正时能够达到最佳的缩进量，从而减少实际硅片上得到的光刻图形与掩膜版图形之间存在变形和偏差，以提高产品的电路性能和生产成品率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103149792A
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：CN201110403846.6
申请日：2011-12-07
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
IPC: G03F1/36
CPC classification number: G03F1/36
Abstract: 一种光学邻近修正方法，通过将客户提供的原始图形中，不符合规则的部分进行预处理，使该些部分的图形转化成符合规则的形状，然后在对整个图形进行OPC处理，从而使本发明可以避免因非规则图形对OPC处理带来的影响，大大提高了OPC处理的准确度。
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公开(公告)号：CN103105727A
公开(公告)日：2013-05-15
申请号：CN201110360446.1
申请日：2011-11-15
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
IPC: G03F1/36
Abstract: 一种形成光掩膜版的方法及光掩膜版。所述方法包括：a）提供静态随机存取记忆器有源区的设计图形，所述设计图形包括多个交错排列的单元，所述单元包括位于两端的头部和连接在所述头部之间的颈部；b）在相邻的所述单元的内侧设置矩形缺口，以形成光掩膜版图形，其中，所述矩形缺口位于所述颈部的端部；以及c）形成具有所述光掩膜版图形的光掩膜版。本发明的方法通过在静态随机存取记忆器有源区图形的相邻单元的内侧的、头部的下方设置矩形缺口可以增大随后以该掩膜版图形进行光刻工艺在晶片上获得的光刻图形在该区域内头对头之间的间距，因此可以有效地抑制连桥现象，提高良品率。
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公开(公告)号：CN102385242A
公开(公告)日：2012-03-21
申请号：CN201010268664.8
申请日：2010-09-01
Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司 , 无锡华润上华科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种掩膜版制作方法及系统，该方法包括：a)确定光刻工艺条件，并收集所述光刻工艺条件对应的OPC数据；b)根据所述OPC数据创建OPC模型，建立OPC程序；c)提供设计图形数据，按照设计规则对设计图形数据进行预处理，将所述设计图形数据转换为符合设计规则的图形数据；d)根据所述OPC程序，对所述预处理后的设计图形数据进行OPC运算；e)验证OPC运算后的图形数据的CD与目标CD的差值是否在误差允许范围内，如果否，返回步骤b)，如果是，按照OPC运算后的图形数据制作掩膜版。采用本发明的方法制作出的掩膜版满足光刻过程的需求，使光刻后在晶片上的成像更加准确，提高了电路的性能和生产成品率。
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公开(公告)号：CN119126478A
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN202310698945.4
申请日：2023-06-13
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
IPC: G03F1/36
Abstract: 本申请涉及一种光学邻近修正方法、装置及掩膜版。所述方法包括：从待修正的设计图形中选择第一图形，第一图形的面积小于第一预设面积；对第一图形进行第一次调整，得到第二图形，第二图形的面积不小于第一预设面积；对第二图形和除第一图形外的设计图形进行第二次调整，得到设计图形的预修正图形；从设计图形的预修正图形中选择第三图形，第三图形的面积小于第二预设面积；获取第二图形与第三图形之间不重叠的图形，不重叠的图形为偏差图形；从第二图形中选择与偏差图形有共边的第二图形作为第四图形；根据第四图形和设计图形的预修正图形得到设计图形的目标修正图形。本申请方法调整的精度更高，避免产品出现失效或可靠性降低。
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公开(公告)号：CN111399334B
公开(公告)日：2021-12-21
申请号：CN201910003405.3
申请日：2019-01-03
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
IPC: G03F1/36
Abstract: 本发明涉及一种掩模版制作方法和掩模版，其中，掩模版制作方法包括：建立OPC程序；提供设计图形，对设计图形中的转角图形进行预处理；根据OPC程序，对包含预处理后的转角图形的设计图形进行OPC运算；按照OPC运算后的图形制作掩模版，从而不仅可以保证中间CD满足实际需求，而且可以保证转角CD满足实际需求，有效避免了通过牺牲转角CD来满足中间CD导致的转角过于圆弧化而无法满足用户需求的问题。
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