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公开(公告)号：CN115480441B
公开(公告)日：2025-05-09
申请号：CN202110597797.8
申请日：2021-05-31
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
IPC: G03F1/36
Abstract: 本发明涉及一种光学临近修正方法、掩膜版、可读存储介质及计算机设备，所述方法包括：获取掩膜版设计图形；根据OPC模型对所述掩膜版设计图形进行模拟，得到模拟曝光图形；从所述掩膜版设计图形中筛选出符合第一预设条件的台阶图形；计算所述模拟曝光图形与所述掩膜版设计图形的边缘放置误差，其中所述台阶图形处的边缘放置误差采用图形差值的平均值作为边缘放置误差的值；根据所述边缘放置误差对所述掩膜版设计图形进行调整，得到掩膜版制版图形。本发明筛选出jog图形，然后采用平均值作为jog处EPE的值，能够有效避免“bridge”或“pinch”的发生，从而提高OPC的修正精度，提高OPC修正效率，提高工艺窗口，降低工艺风险。
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公开(公告)号：CN115509081B
公开(公告)日：2025-01-21
申请号：CN202110692382.9
申请日：2021-06-22
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
Abstract: 本发明涉及一种光学临近修正方法、掩膜版及可读存储介质，所述方法包括：获取掩膜版设计图形；将所述掩膜版设计图形的外边缘解析分割成多段，包括：对于不平行于线条端头，且在所述线条端头的延伸方向上与线条端头相邻的线条图形，根据所述线条端头与所述线条图形的间距、和建立OPC模型时采用的光学直径，计算所述线条图形在邻近所述线条端头位置处的切分线段长度；根据所述OPC模型对所述掩膜版设计图形进行模拟，得到模拟曝光图形；根据所述模拟曝光图形对所述掩膜版设计图形进行调整，得到掩膜版制版图形。本发明能够有效改善“波纹”现象，提高OPC修正精度和OPC修正效率，降低工艺风险。
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公开(公告)号：CN117666271A
公开(公告)日：2024-03-08
申请号：CN202211024938.8
申请日：2022-08-25
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
IPC: G03F1/36
Abstract: 本申请涉及一种光学邻近修正方法和掩膜板，该方法包括：提供具有3Bar结构的原始版图；获取所述3Bar结构的待补偿Bar图形的偏差；于所述原始版图中选定所述3Bar结构；根据所述偏差对所述3Bar结构的所述待补偿Bar图形进行补偿，以获取第一修正版图；对所述第一修正版图进行光学邻近图形修正，以获取第二修正版图。本申请相当于在光学邻近修正之前对3Bar结构进行预处理(预补偿)，因此，后续的光学邻近修正处理中产生偏差时，是在预补偿的基础上产生偏差，从而降低了光学邻近修正结果的偏差值，改善了光学邻近修正对3Bar结构的修正效果，降低了3Bar结构的实际尺寸与目标尺寸的偏差。
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公开(公告)号：CN115509081A
公开(公告)日：2022-12-23
申请号：CN202110692382.9
申请日：2021-06-22
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
Abstract: 本发明涉及一种光学临近修正方法、掩膜版及可读存储介质，所述方法包括：获取掩膜版设计图形；将所述掩膜版设计图形的外边缘解析分割成多段，包括：对于不平行于线条端头，且在所述线条端头的延伸方向上与线条端头相邻的线条图形，根据所述线条端头与所述线条图形的间距、和建立OPC模型时采用的光学直径，计算所述线条图形在邻近所述线条端头位置处的切分线段长度；根据所述OPC模型对所述掩膜版设计图形进行模拟，得到模拟曝光图形；根据所述模拟曝光图形对所述掩膜版设计图形进行调整，得到掩膜版制版图形。本发明能够有效改善“波纹”现象，提高OPC修正精度和OPC修正效率，降低工艺风险。
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公开(公告)号：CN114609857A
公开(公告)日：2022-06-10
申请号：CN202011409455.0
申请日：2020-12-03
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
IPC: G03F1/36
Abstract: 本发明提供了一种光学临近效应修正方法及系统和掩膜版，该方法包括：根据当前层的前一层的图形对光刻的原始设计图形中当前层的区域进行分类以获得区域所属的类别，区域所属的类别包括原始设计图形中当前层中与前一层上下重叠的重叠区域和不重叠的非重叠区域；对各个类别的区域设定优先级，其中，重叠区域的优先级高于非重叠区域的优先级；在原始设计图形的边缘设置多个目标点，所述重叠区域的边缘设置的目标点的密度大于所述非重叠区域设置的目标点的密度；根据OPC模型获得原始设计图形的修正图形，并对其进行模拟以获得图形模拟结果；计算各个目标点处图形模拟结果和原始设计图形之间的差异；根据差异以及目标点的权重，对修正图形进行调整。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118824331A
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202310431506.7
申请日：2023-04-21
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
Abstract: 本发明涉及一种单次可编程存储器及电子装置，OTP存储器包括OTP单元，OTP单元包括：选择栅，沿第一方向延伸；第一有源区，选择栅的第一部分位于选择栅在第二方向上的一侧，第二部分位于选择栅在第二方向上的另一侧；浮栅；第二有源区，沿第一方向延伸，第二有源区位于各浮栅远离选择栅的一侧；第三有源区，与第二有源区和第一有源区直接接触，第三有源区的至少一部分位于第二有源区与浮栅之间；第二有源区的上方形成有位线接触孔，第二有源区通过位线接触孔引出作为公共位线，远离位线接触孔的交叠区的宽度较大、靠近位线接触孔的交叠区的宽度较小。本发明不同的存储单元的源漏端电压差的差异对编程后读操作时存储单元的电流大小影响较小。
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公开(公告)号：CN117666272A
公开(公告)日：2024-03-08
申请号：CN202211048772.3
申请日：2022-08-30
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
IPC: G03F1/36
Abstract: 本发明涉及一种光学临近修正方法、掩模版、可读存储介质及计算机设备，所述方法包括：获取掩模版设计图形；对掩模版设计图形的外边缘进行解析分割；在所述掩模版设计图形中宽度不大于第一尺寸的线条端图形的第一长边上，按照预设的目标点间距放置多个目标点；所述掩模版设计图形包括与所述第一长边的距离不大于第一距离的图形；根据OPC模型对所述掩模版设计图形进行模拟，得到模拟曝光图形；计算所述模拟曝光图形与所述掩模版设计图形的边缘放置误差；根据所述边缘放置误差对所述掩模版设计图形进行调整，得到掩模版制版图形。本发明能够有效地提高OPC修正精度，避免出现pinch。
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公开(公告)号：CN117631461A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202210976409.1
申请日：2022-08-15
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
Abstract: 本申请涉及一种提高金属层包孔面积的光学邻近修正方法和掩膜板。包括：获取通孔层版图和金属层版图；对金属层版图中的金属条进行选择性目标尺寸调整，以形成第一版图；对第一版图中的金属条进行金属补偿并形成第二版图，以使金属条能够覆盖通孔；对第二版图进行基于模型的光学邻近效应修正，以形成第三版图。本申请，一方面，保证了金属条能够覆盖通孔，改善了金属层包孔面积不足的问题，保证了不同金属层之间的导通性能，避免了产品失效；另一方面，解决了“避免金属条包孔不足”与“金属条间距不足产品无法量产”之间的矛盾，即：本申请在解决金属条包孔不足的问题的同时，还能够保证产品可以量产。
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公开(公告)号：CN117471857A
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202210867520.7
申请日：2022-07-22
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
Abstract: 本发明涉及一种光学邻近修正方法、掩膜版及可读存储介质，所述方法包括：获取掩膜版设计图形；对于所述掩膜版设计图形中有源区图案的第一边缘与接触孔图案的第二边缘的间距不满足第一预设条件的区域，将所述第一边缘外扩至所述间距满足所述第一预设条件；所述接触孔图案与所述有源区图案重叠；根据OPC模型对所述掩膜版设计图形进行模拟，得到模拟曝光图形；根据所述模拟曝光图形对所述掩膜版设计图形进行调整，得到掩膜版制版图形。按照自动修正的要求对修正流程进行了重新设计，能够实现自动修正，具有较高的处理效率，且能够改善有源区的包孔精度，增大工艺窗口。
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公开(公告)号：CN115903367A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202110881879.5
申请日：2021-08-02
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种添加SRAF的方法、掩模版及制造方法，通过将第一目标图形向外侧延伸，获取第一目标放大图形，并选取掩模版图与第一目标放大图形相交叠的部分作为第二目标图形，且基于新的第二目标图形添加SRAF，从而在添加SRAF时，可扩大第一目标图形的有效范围，以将第一目标图形的周边环境考虑进去，从而可有效避免添加的SRAF与掩模版图出现图形重叠、图像间距离过近、图像间相互错位等问题，不但简化了掩模版的制备过程，还提高了光刻分辨率，增大了工艺窗口。
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