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公开(公告)号：CN111399334B
公开(公告)日：2021-12-21
申请号：CN201910003405.3
申请日：2019-01-03
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
IPC: G03F1/36
Abstract: 本发明涉及一种掩模版制作方法和掩模版，其中，掩模版制作方法包括：建立OPC程序；提供设计图形，对设计图形中的转角图形进行预处理；根据OPC程序，对包含预处理后的转角图形的设计图形进行OPC运算；按照OPC运算后的图形制作掩模版，从而不仅可以保证中间CD满足实际需求，而且可以保证转角CD满足实际需求，有效避免了通过牺牲转角CD来满足中间CD导致的转角过于圆弧化而无法满足用户需求的问题。
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公开(公告)号：CN106483758B
公开(公告)日：2019-08-20
申请号：CN201510558089.8
申请日：2015-09-02
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
IPC: G03F1/36
Abstract: 一种光学邻近效应修正方法，线段的目标位置点的设置方式不再是固定的，而是随着图形变化的，通常选取该线段对应的模拟图形的曲线端点作为目标位置点的参考位置。该曲线端点可以按以下方法判断：若线段在线段的垂直方向平移，线段与模拟图形的相切点即为曲线端点，此时该曲线端点与目标位置点重合。对于该线段而言，通常在该曲线端点对应位置的EPE最大，根据EPE再进行图像修正，可以有效减少修正次数，降低修正不足或修正过量的程度，使模拟结果与目标值更加匹配，提高修正效率和修正精度。还提供一种光学邻近效应修正系统。
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公开(公告)号：CN103186032B
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201110456959.2
申请日：2011-12-31
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
IPC: G03F1/36
CPC classification number: G03F1/36 , G03F1/70 , G03F7/70441
Abstract: 本发明提供一种光学邻近效应修正方法，包括模拟预期光刻图形，获得所模拟形成的光刻图形与预期光刻图形的差，依据所述差调整所述预期光刻图形，依据所述差对预期光刻图形进行调整包括根据模拟形成的光刻图形与预期光刻图形的差与调整因子之间的预设关系，获得与所模拟形成的光刻图形与预期光刻图形的差相对应的调整因子，由所述差与所述调整因子相乘获得所述预期光刻图形的调整量，以及根据该调整量调整所述预期光刻图形。依据该方法可避免预期光刻图形在形成硅片表面的光刻图形后产生偏差。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102087469A
公开(公告)日：2011-06-08
申请号：CN200910188707.9
申请日：2009-12-03
Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司 , 无锡华润上华科技有限公司
Abstract: 本发明涉及一种光学临近效应测试图形的形成方法，包括：将每一层次原始的测试图形进行放大后得到放大图形；将所述原始的测试图形和放大后的图形光刻到掩膜版上，分别形成原始图形区域和放大图形区域；将所述掩膜版上的原始图形区域和放大图形区域光刻到晶圆上。本发明还涉及一种采用上述方法形成的测试图形的基于模型的光学临近效应修正的建模方法。本发明真实地模拟出在实际工艺中栅氧化层覆盖在有源区层上的情况，如实地反映栅氧化层与有源区层之间重叠光刻的光学临近效应，在晶圆上光刻得到的图形质量非常好，因此能进行高质量的光学临近效应修正。
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公开(公告)号：CN115704992A
公开(公告)日：2023-02-17
申请号：CN202110940746.0
申请日：2021-08-17
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
IPC: G03F1/36
Abstract: 本发明提供一种掩膜版图形修正方法、掩膜版的制备方法及掩膜版，该修正方法包括：建立OPC模型；提供设计图形，获取设计图形数据；根据制版厂反馈的设计图形中的转角图形的角圆误差值及晶圆的线上工艺参数对转角图形进行数据预设涨缩，获得预处理的设计图形数据；根据OPC模型，对预处理的设计图形数据进行OPC修正。该修正方法充分考虑制版厂对转角部分需要做到的CD的要求，并结合晶圆的线上工艺参数要求，对转角图形进行数据预设涨缩，后续以此预处理后的设计图形数据为目标进行OPC修正，以达到在不影响线上工艺的情况下，可以对制备掩膜版过程中曝光机在corner rounding部分的差异进行OPC调整，从而使得corner rounding差异减小达到工厂的制版要求，使制版厂可以正常制版。
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公开(公告)号：CN115685663A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202110852015.0
申请日：2021-07-27
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种带SRAF的OPC修正方法，该方法包括：设计试验，获得添加SRAF图形的最优规则；使用原有的OPC模型；对目标图形添加SRAF图形，形成预设图形；使用原有的OPC模型对预设图形进行运算修正，在运算修正过程中SRAF图形作为目标图形的一部分一起参与OPC运算，并保持SRAF图形不动。通过在对带SRAF的目标图形进行修正过程中，将SRAF图形与目标图形作为一个整体一起参与OPC运算，并将SRAF图形保持不动，即SRAF图形不参与OPC模型对目标图形边缘修正的动作，只考虑SRAF图形对目标图形光学环境的影响，确保了OPC修正的精确性；同时在修正过程中不需要额外制作带SRAF的建模光刻版，节省了光刻版的制版费用；另外利用现有的OPC模型，有效节省了大量OPC建模所需时间，提高修正效率。
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公开(公告)号：CN108073047B
公开(公告)日：2020-04-03
申请号：CN201611006000.8
申请日：2016-11-15
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明涉及一种光学临近效应校正方法及系统。所述方法包括：对光刻的设计图形进行分类；对各类别的图形进行区域划分，按区域对产品造成负面影响的风险相应赋予权重；将一设计图形作为待校正图形并在图形边缘设置多个目标点；根据OPC模型得到待校正图形的OPC修正图形并进行模拟，得到图形模拟结果；计算各目标点的位置处图形模拟结果与待校正图形之间的差异；根据差异和权重对OPC修正图形进行调整，并再次进行模拟得到调整后的图形模拟结果；反复执行以上两步骤，得到最终的OPC修正图形。本发明对图形上的不同目标点引入权重概念，当不同区域的修正需求产生冲突时，优先满足高权重目标点的修正需求，从而能够提高元器件的良率。
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公开(公告)号：CN103105727B
公开(公告)日：2014-06-04
申请号：CN201110360446.1
申请日：2011-11-15
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
IPC: G03F1/36
Abstract: 一种形成光掩膜版的方法及光掩膜版。所述方法包括：a）提供静态随机存取记忆器有源区的设计图形，所述设计图形包括多个交错排列的单元，所述单元包括位于两端的头部和连接在所述头部之间的颈部；b）在相邻的所述单元的内侧设置矩形缺口，以形成光掩膜版图形，其中，所述矩形缺口位于所述颈部的端部；以及c）形成具有所述光掩膜版图形的光掩膜版。本发明的方法通过在静态随机存取记忆器有源区图形的相邻单元的内侧的、头部的下方设置矩形缺口可以增大随后以该掩膜版图形进行光刻工艺在晶片上获得的光刻图形在该区域内头对头之间的间距，因此可以有效地抑制连桥现象，提高良品率。
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