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公开(公告)号：CN114609857B
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202011409455.0
申请日：2020-12-03
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
IPC: G03F1/36
Abstract: 本发明提供了一种光学临近效应修正方法及系统和掩膜版，该方法包括：根据当前层的前一层的图形对光刻的原始设计图形中当前层的区域进行分类以获得区域所属的类别，区域所属的类别包括原始设计图形中当前层中与前一层上下重叠的重叠区域和不重叠的非重叠区域；对各个类别的区域设定优先级，其中，重叠区域的优先级高于非重叠区域的优先级；在原始设计图形的边缘设置多个目标点，所述重叠区域的边缘设置的目标点的密度大于所述非重叠区域设置的目标点的密度；根据OPC模型获得原始设计图形的修正图形，并对其进行模拟以获得图形模拟结果；计算各个目标点处图形模拟结果和原始设计图形之间的差异；根据差异以及目标点的权重，对修正图形进行调整。
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公开(公告)号：CN114594655A
公开(公告)日：2022-06-07
申请号：CN202011431775.6
申请日：2020-12-07
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
IPC: G03F1/36
Abstract: 本发明提供了一种光学临近效应修正方法及系统和掩膜版，该方法包括：提供原始设计图形，其中，原始设计图形中包括多个条状图形；获取原始设计图形中的多个条状图形中的至少一个条状图形的孤立部分；在孤立部分的边添加第一偏移量，以使第一端部和非孤立部分之间呈现为第一台阶，并在孤立部分的边添加一个或多个第二偏移量，以使孤立部分的边具有一个或多个第二台阶。本发明实施例的光学临近效应修正方法，有效避免‘倒胶’现象，防止图形线条收缩(pinch)，从而提高OPC精度，提高线宽CDU，降低工艺风险，减小硅片上得到图形与掩模版图形之间的偏差，从而提高电路性能与产品良率。
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公开(公告)号：CN114578650A
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN202011379831.6
申请日：2020-11-30
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
IPC: G03F1/36
Abstract: 本发明涉及一种光学邻近效应校正方法、掩膜版、可读存储介质及计算机设备，该校正方法包括：获取光刻掩膜设计图形；从光刻掩膜设计图形中选中符合第一条件的孤立金属图形；对所述孤立金属图形进行预处理，使所述孤立金属图形两端的宽度大于中间的宽度；根据预处理后的孤立金属图形得到掩膜版制版图形。对孤立金属图形进行额外的OPC处理，使孤立金属图形两端的宽度均大于中间的宽度，能够避免因光学邻近效应导致的孤立金属图形形成金属线条后在端部出现线条短缺，使得金属线条对前一层次填充孔的填充包裹效果较差，导致器件关键参数波动的问题，使得产品性能更稳定。
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公开(公告)号：CN115480441B
公开(公告)日：2025-05-09
申请号：CN202110597797.8
申请日：2021-05-31
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
IPC: G03F1/36
Abstract: 本发明涉及一种光学临近修正方法、掩膜版、可读存储介质及计算机设备，所述方法包括：获取掩膜版设计图形；根据OPC模型对所述掩膜版设计图形进行模拟，得到模拟曝光图形；从所述掩膜版设计图形中筛选出符合第一预设条件的台阶图形；计算所述模拟曝光图形与所述掩膜版设计图形的边缘放置误差，其中所述台阶图形处的边缘放置误差采用图形差值的平均值作为边缘放置误差的值；根据所述边缘放置误差对所述掩膜版设计图形进行调整，得到掩膜版制版图形。本发明筛选出jog图形，然后采用平均值作为jog处EPE的值，能够有效避免“bridge”或“pinch”的发生，从而提高OPC的修正精度，提高OPC修正效率，提高工艺窗口，降低工艺风险。
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公开(公告)号：CN115509081B
公开(公告)日：2025-01-21
申请号：CN202110692382.9
申请日：2021-06-22
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
Abstract: 本发明涉及一种光学临近修正方法、掩膜版及可读存储介质，所述方法包括：获取掩膜版设计图形；将所述掩膜版设计图形的外边缘解析分割成多段，包括：对于不平行于线条端头，且在所述线条端头的延伸方向上与线条端头相邻的线条图形，根据所述线条端头与所述线条图形的间距、和建立OPC模型时采用的光学直径，计算所述线条图形在邻近所述线条端头位置处的切分线段长度；根据所述OPC模型对所述掩膜版设计图形进行模拟，得到模拟曝光图形；根据所述模拟曝光图形对所述掩膜版设计图形进行调整，得到掩膜版制版图形。本发明能够有效改善“波纹”现象，提高OPC修正精度和OPC修正效率，降低工艺风险。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115509081A
公开(公告)日：2022-12-23
申请号：CN202110692382.9
申请日：2021-06-22
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
Abstract: 本发明涉及一种光学临近修正方法、掩膜版及可读存储介质，所述方法包括：获取掩膜版设计图形；将所述掩膜版设计图形的外边缘解析分割成多段，包括：对于不平行于线条端头，且在所述线条端头的延伸方向上与线条端头相邻的线条图形，根据所述线条端头与所述线条图形的间距、和建立OPC模型时采用的光学直径，计算所述线条图形在邻近所述线条端头位置处的切分线段长度；根据所述OPC模型对所述掩膜版设计图形进行模拟，得到模拟曝光图形；根据所述模拟曝光图形对所述掩膜版设计图形进行调整，得到掩膜版制版图形。本发明能够有效改善“波纹”现象，提高OPC修正精度和OPC修正效率，降低工艺风险。
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公开(公告)号：CN114609857A
公开(公告)日：2022-06-10
申请号：CN202011409455.0
申请日：2020-12-03
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
IPC: G03F1/36
Abstract: 本发明提供了一种光学临近效应修正方法及系统和掩膜版，该方法包括：根据当前层的前一层的图形对光刻的原始设计图形中当前层的区域进行分类以获得区域所属的类别，区域所属的类别包括原始设计图形中当前层中与前一层上下重叠的重叠区域和不重叠的非重叠区域；对各个类别的区域设定优先级，其中，重叠区域的优先级高于非重叠区域的优先级；在原始设计图形的边缘设置多个目标点，所述重叠区域的边缘设置的目标点的密度大于所述非重叠区域设置的目标点的密度；根据OPC模型获得原始设计图形的修正图形，并对其进行模拟以获得图形模拟结果；计算各个目标点处图形模拟结果和原始设计图形之间的差异；根据差异以及目标点的权重，对修正图形进行调整。
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公开(公告)号：CN115903367A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202110881879.5
申请日：2021-08-02
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种添加SRAF的方法、掩模版及制造方法，通过将第一目标图形向外侧延伸，获取第一目标放大图形，并选取掩模版图与第一目标放大图形相交叠的部分作为第二目标图形，且基于新的第二目标图形添加SRAF，从而在添加SRAF时，可扩大第一目标图形的有效范围，以将第一目标图形的周边环境考虑进去，从而可有效避免添加的SRAF与掩模版图出现图形重叠、图像间距离过近、图像间相互错位等问题，不但简化了掩模版的制备过程，还提高了光刻分辨率，增大了工艺窗口。
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公开(公告)号：CN115480441A
公开(公告)日：2022-12-16
申请号：CN202110597797.8
申请日：2021-05-31
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
IPC: G03F1/36
Abstract: 本发明涉及一种光学临近修正方法、掩膜版、可读存储介质及计算机设备，所述方法包括：获取掩膜版设计图形；根据OPC模型对所述掩膜版设计图形进行模拟，得到模拟曝光图形；从所述掩膜版设计图形中筛选出符合第一预设条件的台阶图形；计算所述模拟曝光图形与所述掩膜版设计图形的边缘放置误差，其中所述台阶图形处的边缘放置误差采用图形差值的平均值作为边缘放置误差的值；根据所述边缘放置误差对所述掩膜版设计图形进行调整，得到掩膜版制版图形。本发明筛选出jog图形，然后采用平均值作为jog处EPE的值，能够有效避免“bridge”或“pinch”的发生，从而提高OPC的修正精度，提高OPC修正效率，提高工艺窗口，降低工艺风险。
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公开(公告)号：CN114690540A
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN202011611624.9
申请日：2020-12-30
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
IPC: G03F1/36
Abstract: 本发明提供了一种光学临近效应修正方法及系统和掩膜版，该方法包括：获取多个测试图形，并设定各个测试图形的预定迭代次数；将多个测试图形分为训练集和测试集；基于机器学习算法和训练集，建立迭代次数模型；将测试集输入到迭代次数模型，以获得测试集中各个测试图形的测试迭代次数，并将各个测试图形的测试迭代次数和对应的预定迭代次数进行比较；根据比较结果，确定迭代次数模型是否为已训练好的迭代次数模型；将待处理的版图文件输入已训练好的迭代次数模型，以获得版图文件中所包括的不同原始设计图形对应的目标迭代次数；基于不同原始设计图形对应的目标迭代次数，对版图文件中所包括的原始设计图形进行修正，以获得修正后的图形。
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