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公开(公告)号：CN119967860A
公开(公告)日：2025-05-09
申请号：CN202311473834.X
申请日：2023-11-07
Applicant: 东南大学 , 无锡华润上华科技有限公司
Abstract: 本申请涉及一种横向扩散金属氧化物半导体器件及其制备方法。该横向扩散金属氧化物半导体器件包括至少一个元胞结构，元胞结构包括：衬底；N型的第一阱区，设于衬底内；第一阱区内设有沿第一方向依次排布的第一分区、隔断区和第二分区；P型的第一掺杂区和P型的第二掺杂区，第一掺杂区位于第一分区，第二掺杂区位于第二分区；P型的源区和P型的漏区，设于衬底内，且分别位于第一掺杂区沿第二方向的两侧；第一方向为导电沟道的宽度方向，第二方向为导电沟道的长度方向。本申请能够抑制开启状态下输出电流的迅速增大，从而改善器件输出电流的稳定性以及提高器件的可靠性。
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公开(公告)号：CN119153487A
公开(公告)日：2024-12-17
申请号：CN202310713119.2
申请日：2023-06-15
Applicant: 东南大学 , 无锡华润上华科技有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/739 , H01L29/78 , H01L29/861 , H01L21/329 , H01L21/331 , H01L21/336 , H01L27/06
Abstract: 本发明涉及一种绝缘体上硅半导体元器件，包括：衬底；掩埋介质层，设于所述衬底上；第一电极；第二电极；漂移区，设于所述掩埋介质层上；所述漂移区的上表面形成落差结构，所述落差结构包括靠近所述第一电极的第一侧、靠近所述第二电极的第二侧、以及所述第一侧与第二侧之间的过渡区，所述第二侧的上表面高于所述第一侧的下表面，从而使所述漂移区在所述第二侧的厚度大于在所述第一侧的厚度；其中，所述第一电极和第二电极被配置为：在所述元器件被施加反向偏压时，第二电极施加的电压大于第一电极施加的电压。本发明可以将器件的击穿点控制在高压端的下方，使得漂移区能够完全耗尽，在不增加埋氧层厚度的前提下依然可以提高器件的击穿电压。
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公开(公告)号：CN117995534B
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202211333545.5
申请日：2022-10-28
Applicant: 东南大学 , 无锡华润上华科技有限公司
Abstract: 本发明涉及一种隔离变压器及半导体器件，所述隔离变压器包括：下线圈；主介质层，覆盖所述下线圈；氮氧化硅层，位于所述主介质层上；上线圈，位于所述氮氧化硅层上。本发明在主介质层和上线圈之间设置氮氧化硅层，在确保器件耐压的同时，能够减小高压区域对低压区域的影响，提升器件总体的寿命。
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公开(公告)号：CN116705609A
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN202210181654.3
申请日：2022-02-25
Applicant: 东南大学 , 无锡华润上华科技有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L29/78 , H01L21/266
Abstract: 本发明涉及一种P型横向扩散金属氧化物半导体器件及其制造方法，所述方法包括：获取基底；图案化掩膜层，形成至少两个注入窗口；通过各注入窗口进行N型离子注入，在P型区内形成高压N阱掺杂区和低压N阱掺杂区；在各注入窗口表面形成氧化层；去除掩膜层；向P型区进行P型离子普注，在氧化层处P型离子的注入被阻挡；通过热退火使注入的P型离子扩散形成漂移区和P型阱区。本发明图案化的掩膜层形成分段的注入窗口，注入N型离子后通过在注入窗口表面覆盖氧化层，后续注入P型离子时该氧化层作为注入的阻挡层，因此P型离子注入无需单独准备一块光刻版，有效地简化了PLDMOS器件的制造工艺，使其能与NLDMOS的制造工艺兼容。
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公开(公告)号：CN112825301A
公开(公告)日：2021-05-21
申请号：CN201911149088.2
申请日：2019-11-21
Applicant: 东南大学 , 无锡华润上华科技有限公司
IPC: H01L21/331 , H01L29/739
Abstract: 本发明涉及一种绝缘栅双极型晶体管器件及其制造方法，该方法包括：获取衬底，所述衬底上形成有漂移区、栅极区、缓冲区、场氧层；去除所述漂移区上方位于栅极区与缓冲区之间区域的场氧层后形成第一沟槽，所述第一沟槽的一端与栅极区相邻；在所述衬底上形成具有第一内应力的氮化硅层，所述氮化硅层位于所述第一沟槽的上方并沿所述第一沟槽的侧壁向上延伸至所述栅极区的上方。通过位于所述第一沟槽的上方并沿所述第一沟槽的侧壁向上延伸至所述栅极区的上方的氮化硅层，在绝缘栅双极型晶体管器件内引入内应力，从而提高了器件内载流子的迁移率，在突破硅材料的极限限制的同时提高了器件的电学特性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109995304B
公开(公告)日：2020-12-01
申请号：CN201711476370.2
申请日：2017-12-29
Applicant: 东南大学 , 无锡华润上华科技有限公司
IPC: H02P25/098 , H02P23/04
Abstract: 本发明公开了一种基于调节PWM载波降低开关磁阻电机噪声的方法，通过改变PWM载波频率改变开关频率，破坏激励的周期性，进而破坏径向电磁力的周期性，避免了电磁力的频谱分量和定子固有频率重合引发共振，从而达到降低噪声的目的。本发明提出的基于调节PWM载波降低开关磁阻电机噪声的方法，是从控制方向来实现降低开关磁阻电机噪声的，适用范围广，不影响其它性能参数，并且无需硬件电路辅助，应用成本低廉，易于实现。
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公开(公告)号：CN108122664A
公开(公告)日：2018-06-05
申请号：CN201810129632.6
申请日：2018-02-08
Applicant: 东南大学 , 无锡华润上华科技有限公司
IPC: H01F27/28 , H01F27/29 , H01F27/40 , H01F29/02 , H01F29/04 , H01F38/00 , H02M3/335 , H02P13/06 , H02M1/00
Abstract: 一种同步整流管集成的匝比可调节矩阵变压器，适用于MHz开关频率下的半桥LLC谐振变换器，包括四个分立的变压器，每个变压器设有一个原边绕组以及一个与该原边绕组对称耦合的中心抽头副边绕组，四个分立的变压器的原边绕组之间串联，与各原边绕组对称耦合的中心抽头副边绕组之间并联，在每个原边绕组上都并联了一只原边绕组控制开关管，且每个原边绕组上集成了LLC谐振变换器中各自的谐振电感和励磁电感，在每个副边绕组上集成了各自的两个同步整流管和两个输出电容，同步整流管的工作模式受原边绕组控制开关管的影响，通过控制原边绕组控制开关管的开通与关断来改变原边绕组的有效匝数，进而调节原副边绕组的匝比。
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公开(公告)号：CN116705609B
公开(公告)日：2025-01-21
申请号：CN202210181654.3
申请日：2022-02-25
Applicant: 东南大学 , 无锡华润上华科技有限公司
IPC: H10D30/01 , H10D30/65 , H01L21/266
Abstract: 本发明涉及一种P型横向扩散金属氧化物半导体器件及其制造方法，所述方法包括：获取基底；图案化掩膜层，形成至少两个注入窗口；通过各注入窗口进行N型离子注入，在P型区内形成高压N阱掺杂区和低压N阱掺杂区；在各注入窗口表面形成氧化层；去除掩膜层；向P型区进行P型离子普注，在氧化层处P型离子的注入被阻挡；通过热退火使注入的P型离子扩散形成漂移区和P型阱区。本发明图案化的掩膜层形成分段的注入窗口，注入N型离子后通过在注入窗口表面覆盖氧化层，后续注入P型离子时该氧化层作为注入的阻挡层，因此P型离子注入无需单独准备一块光刻版，有效地简化了PLDMOS器件的制造工艺，使其能与NLDMOS的制造工艺兼容。
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公开(公告)号：CN118538755A
公开(公告)日：2024-08-23
申请号：CN202310153162.8
申请日：2023-02-21
Applicant: 东南大学 , 无锡华润上华科技有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/20 , H01L21/336 , H01L29/78 , H01L21/335 , H01L29/778 , H01L27/085
Abstract: 本申请涉及一种氮化镓半导体器件及其制备方法。该氮化镓半导体器件包括：基底；第一氮化镓层，设于所述基底上；第一介质层，设于所述第一氮化镓层上；第一栅极，设于所述第一介质层上。本申请提供的氮化镓半导体器件及其制备方法，通过在第一栅极和第一氮化镓层之间设置第一介质层，这样，一方面，第一介质层和第一氮化镓层由于极化效应产生高浓度的二维电子气可以消耗第一栅极所在区域的空穴，从而提高器件的阈值电压；另一方面，相较于未设置第一介质层的氮化镓半导体器件，在保证器件增强型的前提下，本申请可以使第一栅极下方的第一氮化镓层的厚度更厚，进而减小器件的导通电阻，提高器件的输出电流。
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公开(公告)号：CN112768517B
公开(公告)日：2022-06-21
申请号：CN201911065246.6
申请日：2019-11-04
Applicant: 东南大学 , 无锡华润上华科技有限公司
IPC: H01L29/739 , H01L29/06
Abstract: 本发明涉及一种绝缘栅双极型晶体管，包括设于所述漂移区上的阳极第一导电类型区，所述阳极第一导电类型区包括第一区和第二区，所述阳极第二导电类型区包括第三区和第四区，所述第一区的掺杂浓度小于所述第二区，所述第三区的掺杂浓度小于所述第四区，所述第三区设于所述第四区和所述体区之间，所述第一区设于所述第四区下方，所述第二区设于所述第三区下方、且位于所述第一区和所述体区之间。本发明能够在线性电流区域提高注入效率，获得更低的导通压降；并且在饱和电流区域降低饱和电流，获得更大的安全工作区。
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