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公开(公告)号：CN120004210A
公开(公告)日：2025-05-16
申请号：CN202311520948.5
申请日：2023-11-15
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
IPC: B81C1/00
Abstract: 本申请涉及一种半导体器件的工艺方法，包括：提供半导体结构，所述半导体结构包括衬底、位于所述衬底上的牺牲层、以及位于所述牺牲层上的悬空结构；去除所述牺牲层，以释放所述悬空结构；对所述半导体结构进行至少两次脱水处理。具体地，在该至少两次脱水处理工艺中，后次脱水处理能够对前次脱水处理过程中的动态平衡进行打破，并对半导体结构进一步脱水，从而有效降低了半导体结构中的残留水，减弱残留水表面张力对悬空结构的影响，提升器件良率。
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公开(公告)号：CN119332224A
公开(公告)日：2025-01-21
申请号：CN202310898625.3
申请日：2023-07-20
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
IPC: C23C16/30 , C23C16/44 , H01L21/027
Abstract: 本发明涉及一种氮氧化硅膜层的制作方法及半导体器件，所述方法包括：步骤A，在沉积机台的反应腔中利用SiH4与N2O进行化学气相沉积形成氮氧化硅膜层；步骤B，增大所述N2O的流量、减小所述SiH4的流量，并增大所述沉积机台的功率继续反应，使所述氮氧化硅膜层的厚度达到所需。本发明将形成氮氧化硅膜层的工艺分为两步，第一步先用小流量的N2O承接SiH4进行反应，形成N2O沉积氛围；第二步再采用大流量的N2O以及大功率对氮氧化硅膜层进行表面处理，将SiH4与N2O反应不完全，从而在氮氧化硅膜层表面形成的Si‑H键，转化成较为稳定的Si‑O键，能够避免Si‑H键吸附微小颗粒导致的鼓包缺陷。
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公开(公告)号：CN119324158A
公开(公告)日：2025-01-17
申请号：CN202310878331.4
申请日：2023-07-17
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
Abstract: 本发明涉及一种表面颗粒缺陷的检测及去除方法、计算机可读存储介质，所述方法包括：缺陷检测设备获取被测晶圆表面的灰阶特征；将所述灰阶特征，和获取所述灰阶特征时所述被测晶圆所在的工艺层次输入表面缺陷识别模型，进行表面颗粒缺陷识别；颗粒去除机构移动至识别出的表面颗粒缺陷对应的位置，并进行颗粒去除处理；通过所述缺陷检测设备对所述处理后的被测晶圆进行检测，判断所述识别出的表面颗粒缺陷是否被去除；所述表面缺陷识别模型根据所述判断的结果进行再学习。本发明能够提高产品的生产效率，并提升产品良率以及减少返工对于产品流通的影响，降低工艺人员的工作负荷。
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公开(公告)号：CN118899237A
公开(公告)日：2024-11-05
申请号：CN202310495195.0
申请日：2023-05-05
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
IPC: H01L21/67
Abstract: 本申请涉及一种半导体结构及溶液污染的评价方法。该半导体结构包括：衬底；至少一个套环结构，设置于所述衬底上；其中，所述套环结构包括多个介质环，各所述介质环依次环环相套，且相互间隔设置；所述套环结构中，沿所述套环结构最外侧至所述套环结构中心的方向各所述介质环的宽度逐渐增大，且最外侧的所述介质环的宽度不小于目标器件的设计尺寸。这样，可以在该半导体结构上通过试验获取目标溶液中小于过滤尺寸的颗粒在半导体制备工艺中产生的缺陷数，从而便于工艺人员获取半导体制备工艺对目标溶液中小于过滤尺寸的颗粒的敏感度。
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公开(公告)号：CN118692933A
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202310279602.4
申请日：2023-03-21
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
IPC: H01L21/66
Abstract: 本发明涉及一种缺陷扫描取样方法及计算机可读存储介质，所述方法包括：在待扫描晶圆的主工艺机台发生缺陷异常时，提高缺陷扫描的批取样率，且增加或保持每批取样晶圆的取样片数，包括：对于路径数为2的主工艺，所述每批取样晶圆取样片号至少要有一个单号和一个双号；对于路径数为3的主工艺，所述每批取样晶圆取样片号至少要有连续的三个片号；对于路径数为4的主工艺，所述每批取样晶圆取样片号至少要有连续的四个片号；在所述待扫描晶圆所属的主工艺工况不为高风险、且所述待扫描晶圆所属的产品不为高风险产品时，降低缺陷扫描的批取样率。本发明能够实现对取样率的动态、自动调整。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118444629A
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202310071636.4
申请日：2023-02-03
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
IPC: G05B19/418 , G07C3/14 , G07C3/00
Abstract: 本发明涉及一种调整与设定监控模式的方法、计算机设备及存储介质，所述方法包括：根据监控指数与预设阈值的比较结果，来判断是通过在线监控和设备监控并行、还是只通过在线监控的监控模式进行制造监控；监控指数与制程稳定性指标、制程风险性指标、响应时效性指标中的至少一项指标相关；其中，制程稳定性指标包括设备监控颗粒异常率因子和在线监控异常率因子，制程风险性指标包括关键机台监控因子和缺陷低良杀伤率因子，响应时效性指标包括异常反馈时间因子和等待时间因子。本发明根据质量多维度的影响因子来调整与设定半导体制造的监控模式，平衡在线监控与设备监控的使用，在生产效率及产品质量之间找到平衡点，优化工厂运营生产效率。
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公开(公告)号：CN118231323A
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202211647808.X
申请日：2022-12-21
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
IPC: H01L21/687 , H01L21/673
Abstract: 本发明涉及一种提高片架内的晶圆排布均匀性的方法及片架载台，所述片架载台具有用于放置片架的片架放置区，所述片架载台包括位于所述片架放置区的晶圆支撑部，所述晶圆支撑部的高度满足条件：当所述片架置于所述片架放置区时，所述晶圆支撑部的顶部与从所述片架的底部露出的晶圆底部接触从而将所述片架中的晶圆顶起。本发明通过在片架放置区设置晶圆支撑部，将片架中的晶圆顶起，能够使得片架中不均匀排布的晶圆在重力的作用下于片架内重新均匀排布，从而避免机台产生Mapping Error导致的生产效率降低。且相对于通过拍打产生的震动使片架里的晶圆均匀排布的方式，能够避免拍打产生颗粒落在晶圆上导致的缺陷引起的良率降低。
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公开(公告)号：CN102737961B
公开(公告)日：2015-03-11
申请号：CN201110083035.2
申请日：2011-04-02
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
IPC: H01L21/033
Abstract: 本发明提供一种减少光刻胶掩膜倒塌或移位的方法，属于半导体制造的光刻技术领域。该方法中，光刻胶掩膜用于对硅衬底进行构图，其包括形成粘附氧化层的步骤；其中，所述光刻辅助氧化层形成于所述硅衬底表面、并用于增加所述光刻胶掩膜相对于所述硅衬底的粘附力。该方法能大大减少光刻胶掩膜的倒塌、移位等现象，方法简单且成本低，使用该方法的光刻方法成功率高、制备形成的集成电路的良率高。
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公开(公告)号：CN120033098A
公开(公告)日：2025-05-23
申请号：CN202311581743.8
申请日：2023-11-23
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
Abstract: 本申请涉及一种清洗机台的清洗效果检测方法、装置、设备和存储介质。所述方法包括：通过清洗机台对晶圆承载装置进行清洗；将测试晶圆放置于清洗后的晶圆承载装置中；对放置有测试晶圆的晶圆承载装置进行生产模拟操作，之后检测测试晶圆上的当前缺陷数量；其中，生产模拟操作用于模拟晶圆承载装置在生产过程中的操作；根据当前缺陷数量确定清洗机台的清洗效果。通过在清洗后的晶圆承载装置中放置测试晶圆，然后对放置有测试晶圆的晶圆承载装置进行生产模拟操作，之后再检测测试晶圆上的当前缺陷数量，并通过测试晶圆上的缺陷数量来表征清洗机台的清洗效果，从而完成对清洗机台清洗效果的量化评价。
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公开(公告)号：CN119812024A
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202311309782.2
申请日：2023-10-10
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
IPC: H01L21/66 , H01L21/67 , G01N15/06 , G01N15/075 , G01N15/14
Abstract: 本发明涉及一种半导体制造设施的污染监测系统及方法，所述方法包括：将至少一个区域的气体样本输送至第一污染物检测模块和第二污染物检测模块；所述第一污染物检测模块测量所述气体样本中与第一污染物的污染严重程度相关的参数，所述第二污染物检测模块测量所述气体样本中与第二污染物的污染严重程度相关的参数；所述第一污染物和所述第二污染物为不同种类的污染物；根据所述第一污染物检测模块和第二污染物检测模块的测量结果，在所述第一污染物超标时关停位于超标区域的机台，在所述第二污染物超标时关停位于超标区域的机台。本发明能够实现在污染物超标时对超标区域的机台自动停机，减少污染物超标导致的产品缺陷影响。
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