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公开(公告)号：CN119694924A
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN202311236036.5
申请日：2023-09-22
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
Abstract: 本发明涉及一种异常晶圆的诱因识别系统及方法，所述方法包括：获取异常晶圆的异常分布图；所述异常分布图包括所述晶圆的缺陷分布图和/或所述晶圆的良率分布图；将工艺机台在进行工艺时与晶圆接触的部件在晶圆表面的特征印记，与所述异常分布图进行对比，找出与所述异常分布图中的异常位置存在相似区域的特征印记及所述特征印记对应的部件；根据所述特征印记对应的部件，得到工艺过程中造成晶圆异常的工艺机台及工艺步骤。本发明实现了异常晶圆的智能化分析，自动化程度提升，提高了工程分析效率。
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公开(公告)号：CN118195187A
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202211603616.9
申请日：2022-12-13
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
IPC: G06Q10/0631 , G06Q10/0635 , G06Q10/0639 , G06Q50/04
Abstract: 本发明提供了一种擦片派货方法、擦片派货系统及可读存储介质，通过系统实现待擦片晶圆的跳步动作，由此可以解放人力，降低制造成本，提升机台使用效率。其中，在待擦片晶圆的数量超过了擦片机台的承载量时，判断待擦片晶圆所属的主工艺站点是高风险站点还是低风险站点，并对低风险站点的待擦片晶圆执行跳步动作，从而提高了跳步的可靠性，同时，也保证了产品的质量与可靠性。进一步的，还考虑了关键指标以及工艺机台的工况，即通过对工艺特征，工艺稳定性以及产品特征等多维度数据判断，进一步提高了跳步的可靠性，同时，也保证了产品的质量与可靠性。
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公开(公告)号：CN118032908A
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202211364252.3
申请日：2022-11-02
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
IPC: G01N27/62
Abstract: 本发明提供了一种环境污染确定方法、验证方法以及控制方法中，通过获取不良半导体产品并检测不良半导体产品的器件参数，得到不良半导体产品的不良类型，即得到不良半导体产品的不良原因的范围；接着对不良半导体产品执行二次离子质谱分析，以最终确定不良半导体产品的不良原因，得到污染环境的污染元素，通过该方法能够高效、准确地得到污染环境的污染元素。以及通过环境污染验证方法验证污染元素，能更准确地确定污染元素，以便于及时、准确地发现污染源以及对污染元素进行定量分析，提升半导体良率。对空气中污染元素含量建立SPC管理并且执行OOC/OOS点位实时预警，可以及时通知半导体制造的各部门处理污染元素，提升半导体良率。
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公开(公告)号：CN106486417A
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：CN201510557758.X
申请日：2015-09-02
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
IPC: H01L21/768
CPC classification number: H01L21/76831
Abstract: 本发明涉及一种提升晶边良率的方法，包括以下步骤：提供晶圆衬底；在晶圆衬底上涂胶形成第一光刻胶层，并进行有源区洗边；在晶圆衬底上未被第一光刻胶层覆盖的位置形成氧化硅隔离结构；在晶圆衬底上形成有源区；在有源区上形成层间介质；在层间介质上涂胶形成第二光刻胶层，并进行接触孔洗边；在第二光刻胶层的掩蔽下刻蚀层间介质形成接触孔；通过沉积工艺向接触孔内填充金属；对填充了金属的层间介质进行平坦化处理；有源区洗边步骤中的洗边区域至少从晶圆边缘延伸至沉积区域边缘。本发明通过设定合适的洗边区域，无需额外的成本就可提升晶边良率。
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公开(公告)号：CN103165437B
公开(公告)日：2016-06-29
申请号：CN201110414386.7
申请日：2011-12-12
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
Inventor： 陈亚威
IPC: H01L21/311 , H01L21/28
Abstract: 本发明提出了一种栅氧刻蚀方法以及多栅极制作方法。该栅氧刻蚀方法通过控制BOE的过刻时间，使BOE的过刻时间小于主刻蚀时间的30％，并配合APM的浓度配比，能够在将栅氧刻蚀干净的情况下，减少对衬底表面的损伤。同时，将本发明的栅氧化物刻蚀方法运用到多栅极制作方法中时，能够减少颗粒物缺陷的产生，从而大大提高多栅极器件的质量。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103489774A
公开(公告)日：2014-01-01
申请号：CN201210193672.X
申请日：2012-06-12
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
IPC: H01L21/311 , H01L21/8247
CPC classification number: H01L21/31111 , H01L21/28 , H01L21/31144 , H01L27/11517
Abstract: 本发明涉及一种半导体器件中氧化层的形成方法，包括下列步骤：在晶圆的有源区上形成氧化层；在所述氧化层上涂覆光刻胶，并进行曝光、显影处理后形成光刻胶阻挡层；以所述光刻胶阻挡层为掩膜，向所述有源区内进行离子注入；使用氢氟酸溶液对所述氧化层进行蚀刻。本发明采用稀氢氟酸溶液对氧化层进行蚀刻，由于稀氢氟酸溶液对硅的腐蚀速率较小，因此蚀刻过后不易在氧化层下的离子注入区域产生硅孔缺陷，提高了产品的良率。
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公开(公告)号：CN103094195A
公开(公告)日：2013-05-08
申请号：CN201110341981.2
申请日：2011-11-03
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
Inventor： 陈亚威
IPC: H01L21/768 , H01L21/321
CPC classification number: H01L21/76838 , H01L21/0276 , H01L21/32139
Abstract: 本发明提供一种形成金属回路的方法，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成绝缘层，且在所述绝缘层上形成一金属层；在所述金属层上形成一抗反射涂层；对所述抗反射涂层进行氧化处理；在所述抗反射涂层的表面形成光致抗蚀剂（PR）层，图案化所述金属层；蚀刻所述金属层。根据本发明，可以从根本上抑制金属回路缺陷的产生，并且所述金属蚀刻不受金属蚀刻腔内部状况的制约，可以缩短工艺周期，从而提高产量。本工艺过程简单，不需要增加额外的设备，与现有的半导体制造工艺完全兼容，不会产生任何副效应。
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公开(公告)号：CN103091326A
公开(公告)日：2013-05-08
申请号：CN201110339679.3
申请日：2011-10-31
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
Abstract: 本发明实施例公开了一种识别缺陷类型的方法，包括：提供一晶片，所述晶片经过了光刻工艺或刻蚀工艺的处理，且该晶片上具有一个或多个缺陷；采用预设强度的光照射所述晶片，在照射预定时间后，比较照射前后所述晶片上的缺陷的变化，或在照射过程中观测该晶片上缺陷的变化，若经照射后某个缺陷变小或消失，则该缺陷为挥发性缺陷，否则，为非挥发性缺陷。本发明实施例仅通过一次照射过程即可识别缺陷类型，从而避免了现有技术中分析缺陷的元素成分等一系列复杂的操作，该方法能够在短时间内识别出挥发性缺陷，缩短了产品的生产周期，且该识别方法简单易操作，减轻了工作人员的工作量，节省了计算机硬件资源。
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公开(公告)号：CN102569115A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201010603458.8
申请日：2010-12-23
Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司 , 无锡华润上华科技有限公司
Inventor： 陈亚威
Abstract: 一种半导体器件缺陷的检测方法，包括下列步骤：在半导体衬底上形成MOS晶体管，所述MOS晶体管包括栅极、源/漏极；在MOS晶体管的栅极上及源/漏极的半导体衬底上形成金属硅化物层；对金属硅化物层进行检测；如检测出无缺陷，则继续在后续晶圆上进行半导体器件制作，如不符合要求，则调整相应制造设备的参数。本发明避免了在成品后再检测而造成的大批次的晶圆浪费的情况，在降低浪费率的同时也提高了成品率。
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公开(公告)号：CN120043913A
公开(公告)日：2025-05-27
申请号：CN202311589651.4
申请日：2023-11-24
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
Abstract: 本发明涉及一种环境颗粒情况的评估方法及计算机设备，所述方法包括：若目标物在目标工作过程中未发生状态改变，则进行静态测试；若所述目标物在所述目标工作过程中发生状态改变，则进行动态测试；所述静态测试包括：测试所述目标物在目标环境中静置时颗粒量的变化；所述动态测试包括：测试所述目标物在所述目标工作过程中颗粒量的变化；其中，所述目标物包括晶圆承载介质和/或晶圆。本发明通过静态测试来模拟环境静置颗粒，通过动态测试来模拟工艺路径颗粒，为定量评估环境颗粒情况提供测试数据依据。且相对于以芯片的良率来评估颗粒情况的方式，上述方法需要的时间周期更短，时效性和针对性更强，误差小。
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