公开(公告)号：CN114740320A

公开(公告)日：2022-07-12

申请号：CN202011536078.7

申请日：2020-12-23

Applicant: 无锡华润上华科技有限公司

Inventor： 刘小红 ,  刘玉伟

IPC: G01R31/26

Abstract: 本发明涉及一种多晶硅的电流能力的测试方法及测试系统，所述方法包括：获取多晶硅的多份不同宽度样品；将样品的温度调整至预设温度，测试预设温度下各份样品的电阻值；预设温度是多晶硅的预期应用温度上限值与多晶硅的焦耳热上限值之和；将样品的温度调整为预期应用温度上限值，并对样品分别施加电流，获取样品达到各自的电阻值时分别对应的电流值；将各电流值作为最大均方根电流密度，代入最大均方根电流密度模型中，计算最大均方根电流密度模型的经验参数；将多晶硅的宽度代入最大均方根电流密度模型中，计算出最大均方根电流密度，作为最大安全电流。本发明不需要特殊的测试设备，可操作性强，测试周期短。

公开(公告)号：CN114740320B

公开(公告)日：2025-04-15

申请号：CN202011536078.7

申请日：2020-12-23

Applicant: 无锡华润上华科技有限公司

Inventor： 刘小红 ,  刘玉伟

IPC: G01R31/26

Abstract: 本发明涉及一种多晶硅的电流能力的测试方法及测试系统，所述方法包括：获取多晶硅的多份不同宽度样品；将样品的温度调整至预设温度，测试预设温度下各份样品的电阻值；预设温度是多晶硅的预期应用温度上限值与多晶硅的焦耳热上限值之和；将样品的温度调整为预期应用温度上限值，并对样品分别施加电流，获取样品达到各自的电阻值时分别对应的电流值；将各电流值作为最大均方根电流密度，代入最大均方根电流密度模型中，计算最大均方根电流密度模型的经验参数；将多晶硅的宽度代入最大均方根电流密度模型中，计算出最大均方根电流密度，作为最大安全电流。本发明不需要特殊的测试设备，可操作性强，测试周期短。

公开(公告)号：CN102543955A

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN201010578103.8

申请日：2010-12-08

Applicant: 无锡华润上华科技有限公司

Inventor： 刘玉伟

IPC: H01L23/544 ,  G01R31/26

Abstract: 本发明提供了一种晶圆级NBTI测试结构，其包括至少两个串行的晶体管，所述晶体管的设有源端、漏端、栅端及阱衬底端四个测试端子，所述串行后的每个晶体管共用相同的栅端和阱衬底端。相较于现有技术，本发明所述的晶圆级NBTI测试结构的有益效果是：其可在相同的时间内同时给若干晶体管进行应力加速，大大缩短了测试的时间。

公开(公告)号：CN102543955B

公开(公告)日：2016-01-20

申请号：CN201010578103.8

申请日：2010-12-08

Applicant: 无锡华润上华科技有限公司

Inventor： 刘玉伟

IPC: H01L23/544 ,  G01R31/26

Abstract: 本发明提供了一种晶圆级NBTI测试结构，其包括至少两个串行的晶体管，所述晶体管的设有源端、漏端、栅端及阱衬底端四个测试端子，所述串行后的每个晶体管共用相同的栅端和阱衬底端。相较于现有技术，本发明所述的晶圆级NBTI测试结构的有益效果是：其可在相同的时间内同时给若干晶体管进行应力加速，大大缩短了测试的时间。

公开(公告)号：CN210778578U

公开(公告)日：2020-06-16

申请号：CN201922005268.5

申请日：2019-11-19

Applicant: 无锡华润上华科技有限公司

Inventor： 刘小红 ,  刘玉伟

IPC: H01L23/544 ,  G01R27/02

Abstract: 本实用新型涉及一种金属连线应力迁移的测试结构及电子装置。所述测试结构包括：间隔设置的第一焊盘、第二焊盘、第三焊盘和第四焊盘；电连接线，其中，所述电连接线的第一端同时连接所述第一焊盘和所述第二焊盘，所述电连接线的第二端同时连接所述第三焊盘和所述第四焊盘，所述电连接线位于所述第一端和第二端之间的中间部分构造为弯折且一端封闭的条形区域，其中，所述条形区域具有相对设置且隔离的两条边。本实用新型改进后的测试结构节约面积，可以利用常规的测试设备快速判断是否发生金属电迁移突出。