公开(公告)号：CN113964035B

公开(公告)日：2023-05-02

申请号：CN202010698017.4

申请日：2020-07-20

Applicant: 无锡华润上华科技有限公司

Inventor： 金华俊 ,  孙贵鹏 ,  林峰 ,  陈淑娴

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明提供一种半导体器件的制造方法、半导体器件，所述方法包括：提供第一导电类型的半导体衬底，在所述半导体衬底中形成第二导电类型的深阱；在所述深阱中形成第一导电类型的沟道区、第一导电类型的阱区和第二导电类型的阱区，所述第一导电类型的阱区与所述沟道区之间被部分所述深阱的区域间隔开，所述漂移区位于所述沟道区和所述第一导电类型的阱区之间；在所述深阱中形成第一导电类型离子注入区，所述第一导电类型离子注入区位于所述漂移区下方，以使所述沟道区、所述第一导电类型的阱区和所述第一导电类型离子注入区包围所述漂移区；在所述深阱中形成第二导电类型的源区和第二导电类型的漏区。根据本发明，减少了工艺流程。

公开(公告)号：CN115548129A

公开(公告)日：2022-12-30

申请号：CN202110737519.8

申请日：2021-06-30

Applicant: 无锡华润上华科技有限公司

Inventor： 金华俊 ,  宋亮 ,  史一凡

IPC: H01L29/866 ,  H01L21/328

Abstract: 本发明提供一种齐纳二极管及其制作方法，包括：于衬底上形成电场阻挡层；于衬底上形成图形掩膜，图形掩膜具有显露部分电场阻挡层的第一窗口；去除第一窗口内的电场阻挡层；于衬底中形成第一导电类型掺杂区及第二导电类型掺杂区；于第一窗口的侧壁形成侧墙结构，以将第一窗口限制为第二窗口；基于第二窗口进行第一导电类型离子注入，以在第一导电类型掺杂区与第二导电类型掺杂区之间自对准形成第一导电类型连接区，其中，第一导电类型连接区的掺杂浓度大于第一导电类型掺杂区的掺杂浓度。本发明工艺稳定且成本较低，且能有效避免PN结的弧面结电场的剧增，从而通过局部增加PN结的平面结区域的浓度，可有效降低击穿电压，获得更好的击穿特性。

公开(公告)号：CN114122133A

公开(公告)日：2022-03-01

申请号：CN202010902338.1

申请日：2020-09-01

Applicant: 无锡华润上华科技有限公司

Inventor： 金宏峰 ,  曹瑞彬 ,  朱文明 ,  张文文 ,  林峰 ,  金华俊 ,  李春旭 ,  陈淑娴 ,  黄宇 ,  杨斌

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明涉及一种横向扩散金属氧化物半导体器件及其制备方法，该方法包括获取形成有漂移区、栅极结构、源极区、漏极区的衬底；在所述衬底上形成金属硅化物阻挡层；在衬底上形成包括第二氧化层薄膜和第二刻蚀阻挡层薄膜的孔刻蚀阻挡层薄膜；进行刻蚀工艺，在金属硅化物阻挡层上形成第一接触孔，第一接触孔的底部停留在金属硅化物阻挡层的表面；在引出区域上形成第二接触孔，第二接触孔的底部停留在引出区域的表面；其中，在引出区域上形成第二接触孔至少包括在漏极区上形成漏极接触孔、在源极区上形成源极接触孔和在未被金属硅化物阻挡层覆盖的栅极结构上形成栅极接触孔中的一种。避免了工艺制程的波动对孔型金属场板的悬浮高位置的影响。

公开(公告)号：CN113964035A

公开(公告)日：2022-01-21

申请号：CN202010698017.4

申请日：2020-07-20

Applicant: 无锡华润上华科技有限公司

Inventor： 金华俊 ,  孙贵鹏 ,  林峰 ,  陈淑娴

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明提供一种半导体器件的制造方法、半导体器件，所述方法包括：提供第一导电类型的半导体衬底，在所述半导体衬底中形成第二导电类型的深阱；在所述深阱中形成第一导电类型的沟道区、第一导电类型的阱区和第二导电类型的阱区，所述第一导电类型的阱区与所述沟道区之间被部分所述深阱的区域间隔开，所述漂移区位于所述沟道区和所述第一导电类型的阱区之间；在所述深阱中形成第一导电类型离子注入区，所述第一导电类型离子注入区位于所述漂移区下方，以使所述沟道区、所述第一导电类型的阱区和所述第一导电类型离子注入区包围所述漂移区；在所述深阱中形成第二导电类型的源区和第二导电类型的漏区。根据本发明，减少了工艺流程。

公开(公告)号：CN110767740B

公开(公告)日：2021-10-15

申请号：CN201810840983.8

申请日：2018-07-27

Applicant: 无锡华润上华科技有限公司

Inventor： 金华俊

IPC: H01L29/06 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明涉及一种半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括：漂移区；隔离结构，与所述漂移区接触，所述隔离结构包括第一隔离层、所述第一隔离层上的孔刻蚀停止层、以及所述孔刻蚀停止层上的第二隔离层；及孔场板，设于所述孔刻蚀停止层的上方，并与所述孔刻蚀停止层接触。本发明能够保证孔场板帮助漂移区耗尽的效果不会因为孔场板过深或过浅而偏离预期，因此可以保证器件的稳定性和均匀性。

公开(公告)号：CN112635540A

公开(公告)日：2021-04-09

申请号：CN201910948225.2

申请日：2019-10-08

Applicant: 无锡华润上华科技有限公司

Inventor： 金华俊 ,  孙贵鹏

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/40 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明涉及一种LDMOS器件及其制备方法中，阻挡层包括n层刻蚀停止层，相邻两层刻蚀停止层之间设置绝缘层，由于层间介质层、绝缘层的材料相同均为氧化物，且不同于刻蚀停止层的材料，因此刻蚀氧化物时可以分别停止于n层刻蚀停止层上，以在n层刻蚀停止层上分别形成n级场板孔。靠近栅极结构的第1级场板孔下端与漂移区的距离最小，靠近漏区的第n级场板孔与漂移区的距离最大，进而可以使得漂移区的前端和后端电场分布更均匀，可有效改善漂移区的电场分布，使得漂移区的前端和后端电场分布均匀，获得更高的击穿电压。

公开(公告)号：CN109979821A

公开(公告)日：2019-07-05

申请号：CN201711460736.7

申请日：2017-12-28

Applicant: 无锡华润上华科技有限公司

Inventor： 金华俊 ,  孙贵鹏 ,  罗泽煌 ,  史霄 ,  高桦

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/40

Abstract: 本发明提供一种半导体器件及其制作方法，所述方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底中形成有体区和漂移区，所述体区内形成源区，所述漂移区内形成漏区，所述半导体衬底上形成有栅极结构；形成覆盖所述半导体衬底的介质层；在所述介质层上形成金属场板。根据本发明提供的半导体器件的制作方法，通过在介质层上形成金属场板，在获得高击穿电压的同时降低了导通电阻以及漏区和栅极之间的电容，提高了半导体器件的性能。

公开(公告)号：CN119451184A

公开(公告)日：2025-02-14

申请号：CN202310950872.3

申请日：2023-07-28

Applicant: 无锡华润上华科技有限公司

Inventor： 金华俊 ,  宋亮 ,  刘新新 ,  袁玫 ,  王亚南

IPC: H10D62/10 ,  H10D30/01 ,  H10D30/65

Abstract: 本申请涉及一种横向扩散金属氧化物半导体器件及其制备方法。该半导体器件的制备方法包括：提供衬底；于衬底内形成体区；于衬底上形成注入掩蔽结构，注入掩蔽结构覆盖于衬底的部分表面；其中，体区位于注入掩蔽结构在衬底上的正投影内；由体区至衬底边缘的方向，注入掩蔽结构沿第一方向的厚度递减；第一方向平行于衬底的厚度方向；于衬底内形成漂移区；漂移区与体区邻接，由体区至衬底边缘的方向，漂移区沿第一方向的深度递增。如此，一方面，有利于降低漂移区靠近沟道区一端的电场，提升器件的可靠性；另一方面，有利于降低Kirk效应，提升开态击穿电压。

公开(公告)号：CN118610251A

公开(公告)日：2024-09-06

申请号：CN202310206413.4

申请日：2023-03-06

Applicant: 无锡华润上华科技有限公司

Inventor： 李永顺 ,  金华俊 ,  宋亮 ,  安丽琪 ,  罗琳

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06

Abstract: 本申请涉及一种金属氧化物半导体器件及其制备方法，该金属氧化物半导体器件包括衬底；外延层，设于衬底的一侧；第一体区和漂移区，沿第一方向邻接排布于外延层内；源区，设于第一体区内；漏区，设于漂移区内；漏区与源区沿第一方向间隔排布；栅极，设于外延层背离衬底的一侧，且位于源区和漏区之间；肖特基二极管，设于外延层内，且与源区并联。这样，当寄生体二极管续流时，与PN结源极相并联的肖特基二极管源极也会续流，而由于肖特基二极管的开启电压远低于PN结的开启电压，因此寄生漏电流被率先开启的肖特基二极管抽走，从而改善了体二极管开启后导致的寄生效应，提高了器件的ESD自保护能力，改善了器件的SOA性能。

公开(公告)号：CN116344613A

公开(公告)日：2023-06-27

申请号：CN202111599705.6

申请日：2021-12-24

Applicant: 无锡华润上华科技有限公司

Inventor： 李永顺 ,  金华俊 ,  宋亮

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明涉及一种具有隔离结构的半导体器件及其制造方法，所述器件包括：衬底；第一导电类型的埋层，设于衬底中；漂移区，设于埋层上；漏极区，设于漂移区内；体区，设于埋层上；源极区，设于体区内；埋层上并且在漂移区背离体区的方向上依次排列的第一至第四掺杂区；其中，在半导体器件工作时，第三掺杂区和第四掺杂区连接的电位的电压高于第一掺杂区和第二掺杂区连接的电位的电压。本发明在器件的体二极管续流时，由第二掺杂区‑第三掺杂区‑第四掺杂区组成的三极管工作在放大区，可以将涌入第一导电类型埋层的电流吸收，避免其流入衬底，从而显著地屏蔽了由于体二极管续流导致的衬底漏电。