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公开(公告)号：CN114975607A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202110187733.0
申请日：2021-02-18
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
IPC: H01L29/40 , H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本发明涉及一种横向扩散金属氧化物半导体器件及其制备方法，包括：衬底；体区，具有第一导电类型，形成于衬底中；漂移区，具有第二导电类型，形成于衬底中，且与体区相邻；场板结构，形成于漂移区上，场板结构靠近体区的一端的下表面与衬底的上表面齐平，且具有向上延伸的倾斜面，场板结构远离体区的一端的下表面低于衬底的上表面，场板结构的厚度自靠近体区的一端向远离体区的一端逐渐增加到预设值；漏极区，具有第二导电类型，形成于漂移区的上表层，且与场板结构远离体区的一端接触。在不增加下表面低于衬底的上表面的场板结构的长度的同时，使得JEFET区域的位置形成有厚度逐渐增加的场板结构，提高了器件的可靠性。
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公开(公告)号：CN114695317A
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN202011580881.0
申请日：2020-12-28
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
IPC: H01L23/544 , H01L21/66
Abstract: 本申请公开了一种浮置源极接触刻蚀工艺的测试结构以及监控方法。所述测试结构包括：半导体衬底，配置为下极板，半导体衬底包括有源区和非有源区；阻挡层，位于半导体衬底的有源区上；介质层，覆盖半导体衬底和阻挡层；相互间隔设置的多个上极板，多个上极板位于有源区的上方，上极板包括孔槽和填充于孔槽的导电材料，孔槽贯穿介质层且延伸至阻挡层；接触孔，贯穿介质层且延伸至半导体衬底；上极板金属互联，位于多个上极板的上方并与多个上极板电连接，且将多个上极板并联后电连接至上极板焊盘；下极板金属互联，位于接触孔的上方并与接触孔电连接，且将半导体衬底电连接至下极板焊盘。
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公开(公告)号：CN112582459B
公开(公告)日：2022-04-08
申请号：CN201910925316.4
申请日：2019-09-27
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L21/336 , H01L29/78
Abstract: 本发明提供了一种横向双扩散金属氧化物半导体器件及其制作方法。横向双扩散金属氧化物半导体器件包括：半导体衬底；漂移区，形成于所述半导体衬底中；栅极结构，形成于所述漂移区上；源区和漏区，位于栅极结构两端的所述半导体衬底中；自对准硅化物阻挡层，所述自对准硅化物阻挡层中形成有开口，所述开口至少露出部分漏区；源区接触，位于源区上方且与源区电连接；漏区接触，所述漏区接触的底端部分内嵌于所述开口中并且与所述开口的侧壁直接接触，所述漏区接触与所述漏区电连接；金属硅化物层，形成于所述源区和所述源区接触之间以及所述漏区和所述漏区接触之间。通过本发明所述设置可以降低导通电阻。
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公开(公告)号：CN111128729B
公开(公告)日：2021-08-24
申请号：CN201811283776.3
申请日：2018-10-31
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
Inventor： 金宏峰
IPC: H01L21/336 , H01L29/06 , H01L29/08 , H01L29/78
Abstract: 本发明实施例提出一种提升LDMOS器件的热载流子注入效应寿命的方法，所述方法包括：提供衬底，所述衬底中形成有LDMOS器件的漏极掺杂区，所述漏极掺杂区平行于导电沟道的长度方向的至少一侧形成有浅沟槽隔离结构，所述漏极掺杂区的掺杂类型为第一导电类型；进行第二导电类型杂质离子的掺杂，在所述漏极掺杂区与浅沟槽隔离结构至少一个交界处形成阻流区；所述第二导电类型与所述第一导电类型相反；然后检测所述LDMOS器件线性区电流，根据所述线性区电流的退化程度评估所述LDMOS器件的热载流子注入效应寿命，可以让载流子尽量避免被交界处错位晶格捕获，降低了对线性区电流退化的影响，通过改善线性区电流退化问题提高了LDMOS器件的热载流子寿命。
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公开(公告)号：CN114695317B
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202011580881.0
申请日：2020-12-28
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
IPC: H01L23/544 , H01L21/66
Abstract: 本申请公开了一种浮置源极接触刻蚀工艺的测试结构以及监控方法。所述测试结构包括：半导体衬底，配置为下极板，半导体衬底包括有源区和非有源区；阻挡层，位于半导体衬底的有源区上；介质层，覆盖半导体衬底和阻挡层；相互间隔设置的多个上极板，多个上极板位于有源区的上方，上极板包括孔槽和填充于孔槽的导电材料，孔槽贯穿介质层且延伸至阻挡层；接触孔，贯穿介质层且延伸至半导体衬底；上极板金属互联，位于多个上极板的上方并与多个上极板电连接，且将多个上极板并联后电连接至上极板焊盘；下极板金属互联，位于接触孔的上方并与接触孔电连接，且将半导体衬底电连接至下极板焊盘。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114664660A
公开(公告)日：2022-06-24
申请号：CN202011541975.7
申请日：2020-12-23
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L21/265 , H01L21/027 , H01L21/266 , H01L29/78
Abstract: 本发明涉及一种半导体器件及其制备方法，包括：提供第一导电类型的衬底；在衬底上形成第二导电类型的掺杂区，掺杂区包括相邻的第一漂移区和第二漂移区，第二导电类型和所述第一导电类型相反；在衬底上形成多晶硅薄膜，多晶硅薄膜覆盖在掺杂区上；在多晶硅薄膜上形成光刻胶图形，光刻胶图形中的光刻胶覆盖在第一漂移区和第二漂移区上，且露出位于第一漂移区和第二漂移区之间的体区预设区上的多晶硅薄膜；进行高能离子注入，在体区预设区形成第一导电类型的体区，体区的上表面与掺杂区的上表面齐平，且体区的下表面不高于掺杂区的下表面。避免了光刻胶因刻蚀过程中的高温而发生形貌变化，进而对高能离子注入效果产生影响的问题。
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公开(公告)号：CN111199953B
公开(公告)日：2022-04-08
申请号：CN201811364078.6
申请日：2018-11-16
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
Inventor： 金宏峰
IPC: H01L23/64
Abstract: 本发明提供一种MIM电容及其制作方法，所述制作方法包括:提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成第一金属层；在所述第一金属层上形成抗反射层；光刻并刻蚀所述第一金属层和所述抗反射层，以定义MIM电容区域，所述MIM电容区域中的所述第一金属层作为MIM电容的下极板，所述MIM电容区域中的所述抗反射层作为MIM电容的介质层；在所述MIM电容区域中的所述抗反射层上形成MIM电容的上极板。本发明的制作方法在刻蚀后的刻开区域中保留下来的抗反射层同时作为电容的介质层，继续在刻开区域中填充金属作为上极板，不再需要制作额外的电容的介质层，也不再需要额外的光刻工艺来定义上极板区域，减少了光刻和刻蚀的次数，从而降低了工艺成本，缩短了工艺周期。
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公开(公告)号：CN112582459A
公开(公告)日：2021-03-30
申请号：CN201910925316.4
申请日：2019-09-27
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L21/336 , H01L29/78
Abstract: 本发明提供了一种横向双扩散金属氧化物半导体器件及其制作方法。横向双扩散金属氧化物半导体器件包括：半导体衬底；漂移区，形成于所述半导体衬底中；栅极结构，形成于所述漂移区上；源区和漏区，位于栅极结构两端的所述半导体衬底中；自对准硅化物阻挡层，所述自对准硅化物阻挡层中形成有开口，所述开口至少露出部分漏区；源区接触，位于源区上方且与源区电连接；漏区接触，所述漏区接触的底端部分内嵌于所述开口中并且与所述开口的侧壁直接接触，所述漏区接触与所述漏区电连接；金属硅化物层，形成于所述源区和所述源区接触之间以及所述漏区和所述漏区接触之间。通过本发明所述设置可以降低导通电阻。
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公开(公告)号：CN111199953A
公开(公告)日：2020-05-26
申请号：CN201811364078.6
申请日：2018-11-16
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
Inventor： 金宏峰
IPC: H01L23/64
Abstract: 本发明提供一种MIM电容及其制作方法，所述制作方法包括:提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成第一金属层；在所述第一金属层上形成抗反射层；光刻并刻蚀所述第一金属层和所述抗反射层，以定义MIM电容区域，所述MIM电容区域中的所述第一金属层作为MIM电容的下极板，所述MIM电容区域中的所述抗反射层作为MIM电容的介质层；在所述MIM电容区域中的所述抗反射层上形成MIM电容的上极板。本发明的制作方法在刻蚀后的刻开区域中保留下来的抗反射层同时作为电容的介质层，继续在刻开区域中填充金属作为上极板，不再需要制作额外的电容的介质层，也不再需要额外的光刻工艺来定义上极板区域，减少了光刻和刻蚀的次数，从而降低了工艺成本，缩短了工艺周期。
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公开(公告)号：CN109390399A
公开(公告)日：2019-02-26
申请号：CN201710660988.8
申请日：2017-08-04
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336
Abstract: 本发明提供一种LDMOS器件及其制造方法和电子装置，包括：半导体衬底；漂移区，设置在所述半导体衬底中；栅极结构，设置在所述半导体衬底的部分表面上，并覆盖部分所述漂移区的表面；源极和漏极，分别设置在所述栅极结构两侧的半导体衬底中，其中，所述漏极设置在所述漂移区内并与所述栅极结构之间存在间隔；金属硅化物阻挡层，覆盖所述栅极结构和所述漏极之间的至少部分所述半导体衬底的表面；第一接触孔，设置在至少部分所述金属硅化物阻挡层的表面上。本发明的器件能够增强漂移区的耗尽从而提高器件的击穿电压，进而提高器件的性能。
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