公开(公告)号：CN115598921A

公开(公告)日：2023-01-13

申请号：CN202110718696.1

申请日：2021-06-28

Applicant: 无锡华润上华科技有限公司(CN)

Inventor： 李春旭 ,  黄刚 ,  马春霞 ,  刘晨晨 ,  杨斌 ,  黄宇 ,  林峰

IPC: G03F1/36 ,  G03F7/20 ,  H01L21/762

Abstract: 本发明涉及一种有源区光刻版的版图修正方法及半导体元器件的制造方法，所述修正方法包括：所述有源区光刻版用于制造采用硅局部氧化隔离工艺的半导体元器件，通过在有源区图形端头的与LOCOS区接触的三条边上添加OPC修正图形，使得使用所述有源区光刻版制造的半导体元器件中硅局部氧化隔离结构的鸟嘴形变在有源区端头位置趋无；其中有源区端头用于设置通孔或接触孔。本发明通过特殊的OPC来改善有源区端头与LOCOS区交界处的形貌，避免有源区被鸟嘴侵蚀，使得有源区端头可以用较小的面积实现与通孔/接触孔的良好电接触，最终达到LOCOS工艺在更小线宽产品上有效运用的目的。

公开(公告)号：CN114122133A

公开(公告)日：2022-03-01

申请号：CN202010902338.1

申请日：2020-09-01

Applicant: 无锡华润上华科技有限公司

Inventor： 金宏峰 ,  曹瑞彬 ,  朱文明 ,  张文文 ,  林峰 ,  金华俊 ,  李春旭 ,  陈淑娴 ,  黄宇 ,  杨斌

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明涉及一种横向扩散金属氧化物半导体器件及其制备方法，该方法包括获取形成有漂移区、栅极结构、源极区、漏极区的衬底；在所述衬底上形成金属硅化物阻挡层；在衬底上形成包括第二氧化层薄膜和第二刻蚀阻挡层薄膜的孔刻蚀阻挡层薄膜；进行刻蚀工艺，在金属硅化物阻挡层上形成第一接触孔，第一接触孔的底部停留在金属硅化物阻挡层的表面；在引出区域上形成第二接触孔，第二接触孔的底部停留在引出区域的表面；其中，在引出区域上形成第二接触孔至少包括在漏极区上形成漏极接触孔、在源极区上形成源极接触孔和在未被金属硅化物阻挡层覆盖的栅极结构上形成栅极接触孔中的一种。避免了工艺制程的波动对孔型金属场板的悬浮高位置的影响。

公开(公告)号：CN118280821A

公开(公告)日：2024-07-02

申请号：CN202211718666.1

申请日：2022-12-29

Applicant: 无锡华润上华科技有限公司

Inventor： 黄刚 ,  李春旭 ,  马春霞 ,  杨斌 ,  黄宇 ,  张仪

IPC: H01L21/28 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明提供了一种半导体器件及其制备方法，其中所述半导体器件的制备方法包括以下步骤：提供衬底，并形成第一栅氧层于衬底上，第一栅氧层的两端为鸟嘴状结构；采用漂洗工艺降低第一栅氧层的部分厚度，以减缓鸟嘴状结构的坡度；形成栅极导电结构于第一栅氧层上，并至少露出第一栅氧层一端的鸟嘴状结构；执行离子注入工艺，以在栅极导电结构的两侧衬底中形成源/漏区。本发明提供的半导体器件的制备方法可以避免器件断沟的同时降低工艺成本。

公开(公告)号：CN116417404A

公开(公告)日：2023-07-11

申请号：CN202111652489.7

申请日：2021-12-30

Applicant: 无锡华润上华科技有限公司

Inventor： 黄刚 ,  李春旭 ,  马春霞 ,  刘晨晨 ,  杨斌 ,  黄宇

IPC: H01L21/8234 ,  H01L21/762

Abstract: 本发明涉及一种双栅结构、场氧结构及半导体器件的制造方法，所述双栅结构的制造方法包括：获取形成有第一栅介质层和第二栅介质层的晶圆；在第一、第二栅介质层上形成栅极材料层；在栅极材料层上形成光刻抗反射层；在光刻抗反射层上涂覆光刻胶，使用多晶硅栅光刻版曝光并对光刻胶进行显影，然后刻蚀光刻抗反射层和栅极材料层，在第一栅介质层上形成第一栅极、第二栅介质层上形成第二栅极，第一栅介质层的两侧均从第一栅极的底部伸出；去胶，然后干法刻蚀从第一栅极的底部伸出的第一栅介质层，光刻抗反射层作为所述干法刻蚀的阻挡层。本发明利用光刻抗反射层作为刻蚀阻挡层，干法刻蚀去除伸出第一栅极外的多余第一栅介质层，确保器件不发生断沟。

公开(公告)号：CN114256131A

公开(公告)日：2022-03-29

申请号：CN202011007792.7

申请日：2020-09-23

Applicant: 无锡华润上华科技有限公司

Inventor： 杨斌 ,  李春旭 ,  刘晨晨 ,  黄刚 ,  黄宇 ,  曹瑞彬

IPC: H01L21/762 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/088

Abstract: 本申请涉及一种半导体结构的制备方法及半导体结构，包括：提供衬底，于所述衬底的上表面形成第一图形化掩膜层，基于所述第一图形化掩膜层刻蚀所述衬底，以于所述衬底内形成浅沟槽；于所述浅沟槽的侧壁及底部形成衬垫层；于所述衬底内形成环绕所述浅沟槽四周的第一漂移区及位于所述浅沟槽正下方的第二漂移区，其中，通过控制所述第一图形化掩膜层的厚度及离子注入的能量使得所述第一漂移区的掺杂浓度与所述第二漂移区的掺杂浓度不同；对所得结构进行退火处理；于所述浅沟槽内形成介质层，所述介质层填满所述浅沟槽。本申请能够在保证制成半导体器件的高耐压值的情况下降低器件的导通电阻，并减少了工艺流程步骤。

公开(公告)号：CN114975607A

公开(公告)日：2022-08-30

申请号：CN202110187733.0

申请日：2021-02-18

Applicant: 无锡华润上华科技有限公司

Inventor： 李春旭 ,  林峰 ,  金华俊 ,  杨斌 ,  黄宇 ,  黄刚 ,  陈淑娴 ,  金宏峰

IPC: H01L29/40 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明涉及一种横向扩散金属氧化物半导体器件及其制备方法，包括：衬底；体区，具有第一导电类型，形成于衬底中；漂移区，具有第二导电类型，形成于衬底中，且与体区相邻；场板结构，形成于漂移区上，场板结构靠近体区的一端的下表面与衬底的上表面齐平，且具有向上延伸的倾斜面，场板结构远离体区的一端的下表面低于衬底的上表面，场板结构的厚度自靠近体区的一端向远离体区的一端逐渐增加到预设值；漏极区，具有第二导电类型，形成于漂移区的上表层，且与场板结构远离体区的一端接触。在不增加下表面低于衬底的上表面的场板结构的长度的同时，使得JEFET区域的位置形成有厚度逐渐增加的场板结构，提高了器件的可靠性。