公开(公告)号：CN116209349A

公开(公告)日：2023-06-02

申请号：CN202111443897.1

申请日：2021-11-30

Applicant: 无锡华润上华科技有限公司

Inventor： 朱文明 ,  郭崇永

IPC: H10N97/00 ,  H10B53/30

Abstract: 本发明提供了一种MIM器件结构的制备方法，包括以下步骤：提供一半导体衬底，所述半导体衬底上形成有第一介质层，且所述第一介质层中形成有第一导电插塞；在所述第一介质层上依次形成第一极板层、HK材料层以及第二极板层，且所述第一极板层与所述第一导电插塞电连接；光刻并刻蚀所述第一极板层、HK材料层以及第二极板层，以定义出铁电存储器区域，铁电存储器区域的第一极板层作为下电极，铁电存储器区域的HK材料层作为中间介质层，铁电存储器区域的第二极板层作为上电极。本发明提供了包含HK材料的MIM器件结构的制备方法，能够与传统CMOS制造工艺产线相兼容，且不会污染产线，获得高性能器件，能有效提高器件良率、可靠性和产品的市场竞争力。

公开(公告)号：CN115706047A

公开(公告)日：2023-02-17

申请号：CN202110934100.1

申请日：2021-08-13

Applicant: 无锡华润上华科技有限公司

Inventor： 张文文 ,  黄仁瑞 ,  方勇智 ,  朱文明

IPC: H01L21/762 ,  H01L21/308 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明提供一种半导体结构及其制作方法，该制作方法包括形成硬掩模层、刻蚀第一沟槽、形成第一绝缘层、刻蚀第三沟槽、形成第二绝缘层及平坦化所述第二绝缘层的步骤，其中，刻蚀第三沟槽前，于形成第一绝缘层之后去除第二隔离层，使第一绝缘层突出于第一隔离层的部分构成凸起部，并形成覆盖第一隔离层的上表面及凸起部的第四隔离层，且第四隔离层在相邻两个突起部之间形成第二沟槽，再于第二沟槽中填充第二光刻胶层，并利用自对准浅隔离绝缘沟槽刻蚀工艺进行第三沟槽的刻蚀。本发明通过重新设计刻蚀浅隔离绝缘沟槽前的工艺步骤，省去了制作形成浅隔离绝缘沟槽的光罩及光罩的对位步骤，降低了制作半导体绝缘层的工艺复杂程度及制作成本。

公开(公告)号：CN111968914A

公开(公告)日：2020-11-20

申请号：CN201910419724.2

申请日：2019-05-20

Applicant: 无锡华润上华科技有限公司

Inventor： 朱文明 ,  黄仁瑞

IPC: H01L21/3213 ,  H01L21/768 ,  C23F1/12 ,  C23F1/02

Abstract: 本发明涉及一种厚铝刻蚀方法，包括：在晶片上形成金属互连结构，金属互连结构包括依次设置于晶片上的第一缓冲层、厚铝层、第二缓冲层，第二缓冲层上形成有光刻胶层；图形化光刻胶层，并根据光刻胶层的图形刻蚀第二缓冲层；刻蚀第一比例厚度的厚铝层，刻蚀气体为氮气、氯气和三氯化硼；保持腔体压力不变，降低氮气和三氯化硼的流量，并刻蚀剩余的第二比例厚度的厚铝层以及第一缓冲层。通过综合控制腔体压力、反应气体种类及流量等参数，降低反应气体对光刻胶的刻蚀速率，最终使得厚铝层对光刻胶层的选择比达到3～3.5。

公开(公告)号：CN116435288A

公开(公告)日：2023-07-14

申请号：CN202111654661.2

申请日：2021-12-30

Applicant: 无锡华润上华科技有限公司

Inventor： 赵景川 ,  何乃龙 ,  张森 ,  周俊芳 ,  邵红 ,  许杰 ,  王浩 ,  朱文明

IPC: H01L23/522 ,  H10N97/00 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明涉及一种电容器结构及其制造方法、半导体器件，所述电容器结构包括：第一金属层，包括第一金属图案和第二金属图案；第二金属层，包括第三金属图案和第四金属图案；介质层，设于第一金属层和第二金属层之间；第一金属图案和第三金属图案之间的介质层设有第一通孔，第一通孔中设有导电材料从而电性连接第一金属图案和第三金属图案；第二金属图案和第四金属图案之间的介质层设有第二通孔，第二通孔中设有导电材料从而电性连接第二金属图案和第四金属图案，第一通孔中的导电材料作为电容器的一个极板、第二通孔中的导电材料作为电容器的另一个极板。本发明将两个金属层之间的通孔的导电材料作为电容器的上下极板，电容器易于实现高耐压。

公开(公告)号：CN115799164A

公开(公告)日：2023-03-14

申请号：CN202111056393.4

申请日：2021-09-09

Applicant: 无锡华润上华科技有限公司

Inventor： 刘群 ,  张松 ,  周耀辉 ,  王德进 ,  朱文明

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/311 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明涉及一种浮置接触孔的形成方法及半导体器件，所述方法包括：获取衬底，衬底上形成有隧道氧化层和多个栅极；形成金属硅化物阻挡层；形成自对准金属硅化物；形成层间介质层；在层间介质层上光刻得到光刻胶图案，光刻胶图案包括浮置接触孔中间的小胶条；以光刻胶图案为刻蚀掩膜层，刻蚀浮置接触孔。本发明通过控制曝光条件得到厚度比其余保留的光刻胶更小的胶条，浮置接触孔的刻蚀速率被该小胶条减缓，因此金属硅化物阻挡层无需做厚就能保证浮置接触孔底部的氧化层有足够厚度从而确保足够的器件耐压，而厚度小的金属硅化物阻挡层有利于避免在小线宽的逻辑器件/存储器的相邻栅极之间形成空洞，从而可以达到最小面积和最优的经济收益。

公开(公告)号：CN113035771B

公开(公告)日：2022-09-23

申请号：CN201911350772.7

申请日：2019-12-24

Applicant: 无锡华润上华科技有限公司

Inventor： 朱文明 ,  黄仁瑞

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/528

Abstract: 本发明提供了一种半导体器件及其制备方法、电子装置。所述方法包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有半导体器件的主体部分；在所述半导体衬底上形成第一介质层并对所述介质层进行蚀刻，以形成通孔露出需要电连接的半导体器件的主体部分的电连接区域；在所述第一介质层上形成金属层，以覆盖所述第一介质层并填充所述通孔，以与露出的所述电连接区域形成电连接；在金属层上形成掩膜层并进行图案化；蚀刻金属层，以在金属层中形成侧壁竖直的凹槽；以流量比为2:4.5～6的Cl2:Ar继续蚀刻所述金属层，以在所述金属层的凹槽的顶部形成顶部开口扩大的锥形结构；继续在所述金属层上形成第二介质层并填充所述凹槽，以形成包括所述金属层在内的金属互连结构。

公开(公告)号：CN114122133A

公开(公告)日：2022-03-01

申请号：CN202010902338.1

申请日：2020-09-01

Applicant: 无锡华润上华科技有限公司

Inventor： 金宏峰 ,  曹瑞彬 ,  朱文明 ,  张文文 ,  林峰 ,  金华俊 ,  李春旭 ,  陈淑娴 ,  黄宇 ,  杨斌

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明涉及一种横向扩散金属氧化物半导体器件及其制备方法，该方法包括获取形成有漂移区、栅极结构、源极区、漏极区的衬底；在所述衬底上形成金属硅化物阻挡层；在衬底上形成包括第二氧化层薄膜和第二刻蚀阻挡层薄膜的孔刻蚀阻挡层薄膜；进行刻蚀工艺，在金属硅化物阻挡层上形成第一接触孔，第一接触孔的底部停留在金属硅化物阻挡层的表面；在引出区域上形成第二接触孔，第二接触孔的底部停留在引出区域的表面；其中，在引出区域上形成第二接触孔至少包括在漏极区上形成漏极接触孔、在源极区上形成源极接触孔和在未被金属硅化物阻挡层覆盖的栅极结构上形成栅极接触孔中的一种。避免了工艺制程的波动对孔型金属场板的悬浮高位置的影响。

公开(公告)号：CN113035771A

公开(公告)日：2021-06-25

申请号：CN201911350772.7

申请日：2019-12-24

Applicant: 无锡华润上华科技有限公司

Inventor： 朱文明 ,  黄仁瑞

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/528

Abstract: 本发明提供了一种半导体器件及其制备方法、电子装置。所述方法包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有半导体器件的主体部分；在所述半导体衬底上形成第一介质层并对所述介质层进行蚀刻，以形成通孔露出需要电连接的半导体器件的主体部分的电连接区域；在所述第一介质层上形成金属层，以覆盖所述第一介质层并填充所述通孔，以与露出的所述电连接区域形成电连接；在金属层上形成掩膜层并进行图案化；蚀刻金属层，以在金属层中形成侧壁竖直的凹槽；以流量比为2:4.5～6的Cl2:Ar继续蚀刻所述金属层，以在所述金属层的凹槽的顶部形成顶部开口扩大的锥形结构；继续在所述金属层上形成第二介质层并填充所述凹槽，以形成包括所述金属层在内的金属互连结构。

公开(公告)号：CN116169094A

公开(公告)日：2023-05-26

申请号：CN202111414021.4

申请日：2021-11-25

Applicant: 无锡华润上华科技有限公司

Inventor： 许超奇 ,  陈淑娴 ,  林峰 ,  马春霞 ,  张仪 ,  朱文明

IPC: H01L21/768 ,  H01L29/78 ,  H01L23/48 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明涉及一种自对准孔的制备方法及半导体器件，所述半导体器件包括：沟槽侧壁栅极结构，包括形成于沟槽的侧壁底部的栅极，以及沟槽内覆盖所述栅极的绝缘材料；源极区，设于所述沟槽的下方；漏极区，设于所述沟槽的顶部两侧；其中，所述半导体器件还设有向下贯穿所述绝缘材料至所述源极区的源极接触孔，所述源极接触孔中填充导电材料从而与所述源极区电性连接，所述源极接触孔从所述沟槽两侧的所述栅极之间穿过，所述源极接触孔的侧壁形成有刻蚀阻挡层。本发明可以降低器件的Ron,sp。

公开(公告)号：CN116169026A

公开(公告)日：2023-05-26

申请号：CN202111404911.7

申请日：2021-11-24

Applicant: 无锡华润上华科技有限公司

Inventor： 朱文明 ,  李春旭 ,  黄宇 ,  林峰

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明涉及一种横向扩散金属氧化物半导体器件及其制备方法，所述方法包括：获取衬底；在衬底上形成金属硅化物阻挡层，金属硅化物阻挡层包括依次叠设的第一氧化层、第一氮化层及第二氧化层；形成金属硅化物；在衬底和金属硅化物阻挡层上形成第三氧化层；在第三氧化层上形成停止层；进行第一刻蚀，停止层作为接触孔和悬空孔在第一刻蚀时的刻蚀阻挡层，第一刻蚀完成后接触孔底部和悬空孔底部停止在停止层；进行第二刻蚀，使得接触孔底部和悬空孔底部的第三氧化层和剩余的停止层被去除；进行第三刻蚀，接触孔底部停止在金属硅化物、悬空孔底部停止在第一氮化层。本发明可以获得较佳的悬停稳定性。