公开(公告)号：CN117995872A

公开(公告)日：2024-05-07

申请号：CN202211324531.7

申请日：2022-10-27

Applicant: 无锡华润上华科技有限公司

Inventor： 何乃龙 ,  张森 ,  邵红 ,  张华刚

IPC: H01L29/06 ,  H01L21/762

Abstract: 本发明涉及一种半导体结构及其制造方法，所述半导体结构包括：隔离盆，具有第一导电类型；注入辅助结构，为多个被填充物所填充的沟槽；第一阱区，具有第一导电类型，从所述注入辅助结构的底部继续向下延伸，位于所述隔离盆下方；第二阱区，具有第一导电类型，位于所述隔离盆下方、所述第一阱区上方；所述注入辅助结构在竖直方向上贯穿所述第二阱区，所述第二阱区与所述第一阱区和隔离盆直接接触。本发明通过设置注入辅助结构，可以形成深度更深的第一阱区，因此纵向耐压结构(隔离盆、第二阱区及第一阱区)的深度更深，能够耐受更高的电压。

公开(公告)号：CN116435288A

公开(公告)日：2023-07-14

申请号：CN202111654661.2

申请日：2021-12-30

Applicant: 无锡华润上华科技有限公司

Inventor： 赵景川 ,  何乃龙 ,  张森 ,  周俊芳 ,  邵红 ,  许杰 ,  王浩 ,  朱文明

IPC: H01L23/522 ,  H10N97/00 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明涉及一种电容器结构及其制造方法、半导体器件，所述电容器结构包括：第一金属层，包括第一金属图案和第二金属图案；第二金属层，包括第三金属图案和第四金属图案；介质层，设于第一金属层和第二金属层之间；第一金属图案和第三金属图案之间的介质层设有第一通孔，第一通孔中设有导电材料从而电性连接第一金属图案和第三金属图案；第二金属图案和第四金属图案之间的介质层设有第二通孔，第二通孔中设有导电材料从而电性连接第二金属图案和第四金属图案，第一通孔中的导电材料作为电容器的一个极板、第二通孔中的导电材料作为电容器的另一个极板。本发明将两个金属层之间的通孔的导电材料作为电容器的上下极板，电容器易于实现高耐压。

公开(公告)号：CN118738081A

公开(公告)日：2024-10-01

申请号：CN202310316163.X

申请日：2023-03-28

Applicant: 无锡华润上华科技有限公司

Inventor： 李永顺 ,  金华俊 ,  宋亮 ,  王亚南 ,  张清清 ,  邵红 ,  张森

IPC: H01L29/06 ,  H01L21/762

Abstract: 本发明涉及一种具有隔离结构的半导体器件，及隔离结构的制造方法，所述半导体器件包括：衬底，具有第二导电类型；结隔离结构，包括第一埋藏区和与所述第一埋藏区直接接触的第二埋藏区，所述第一埋藏区位于所述衬底上且具有第一导电类型，所述第二埋藏区位于所述第一埋藏区上且具有第一导电类型，所述第二埋藏区的掺杂浓度小于所述第一埋藏区的掺杂浓度；第二导电类型区，位于所述第二埋藏区上；器件主体区，位于所述第二导电类型区中；其中，所述结隔离结构用于实现所述衬底与所述第二导电类型区之间的绝缘隔离。本发明在第一埋藏区和第二埋藏区的界面形成空穴阻挡层，能够阻止空穴穿过空穴阻挡层渡越到衬底形成衬底漏电，改善器件的闩锁效应。

公开(公告)号：CN116564941A

公开(公告)日：2023-08-08

申请号：CN202210099569.2

申请日：2022-01-27

Applicant: 无锡华润上华科技有限公司

Inventor： 赵景川 ,  何乃龙 ,  张森 ,  张华刚 ,  邵红 ,  许杰

IPC: H01L23/64 ,  H10N97/00 ,  H01F27/28

Abstract: 本发明涉及一种隔离变压器及其制造方法、半导体器件，所述隔离变压器包括：第一金属层，包括第一金属图案和第二金属图案；第二金属层，包括第三金属图案和第四金属图案；介质层，设于第一金属层和第二金属层之间；第一金属图案和第三金属图案之间的介质层设有第一通孔，第一通孔中设有导电材料；第二金属图案和第四金属图案之间的介质层设有第二通孔，第二通孔中设有导电材料；第一金属图案和第三金属图案作为隔离变压器的初级线圈，第二金属图案和第四金属图案作为隔离变压器的次级线圈。本发明初级线圈和次级线圈既可以同一平面互相耦合，也可以纵向耦合，提升电流信号传递强度，大大增强了线圈的耦合系数。