公开(公告)号：CN119451184A

公开(公告)日：2025-02-14

申请号：CN202310950872.3

申请日：2023-07-28

Applicant: 无锡华润上华科技有限公司

Inventor： 金华俊 ,  宋亮 ,  刘新新 ,  袁玫 ,  王亚南

IPC: H10D62/10 ,  H10D30/01 ,  H10D30/65

Abstract: 本申请涉及一种横向扩散金属氧化物半导体器件及其制备方法。该半导体器件的制备方法包括：提供衬底；于衬底内形成体区；于衬底上形成注入掩蔽结构，注入掩蔽结构覆盖于衬底的部分表面；其中，体区位于注入掩蔽结构在衬底上的正投影内；由体区至衬底边缘的方向，注入掩蔽结构沿第一方向的厚度递减；第一方向平行于衬底的厚度方向；于衬底内形成漂移区；漂移区与体区邻接，由体区至衬底边缘的方向，漂移区沿第一方向的深度递增。如此，一方面，有利于降低漂移区靠近沟道区一端的电场，提升器件的可靠性；另一方面，有利于降低Kirk效应，提升开态击穿电压。

公开(公告)号：CN118738081A

公开(公告)日：2024-10-01

申请号：CN202310316163.X

申请日：2023-03-28

Applicant: 无锡华润上华科技有限公司

Inventor： 李永顺 ,  金华俊 ,  宋亮 ,  王亚南 ,  张清清 ,  邵红 ,  张森

IPC: H01L29/06 ,  H01L21/762

Abstract: 本发明涉及一种具有隔离结构的半导体器件，及隔离结构的制造方法，所述半导体器件包括：衬底，具有第二导电类型；结隔离结构，包括第一埋藏区和与所述第一埋藏区直接接触的第二埋藏区，所述第一埋藏区位于所述衬底上且具有第一导电类型，所述第二埋藏区位于所述第一埋藏区上且具有第一导电类型，所述第二埋藏区的掺杂浓度小于所述第一埋藏区的掺杂浓度；第二导电类型区，位于所述第二埋藏区上；器件主体区，位于所述第二导电类型区中；其中，所述结隔离结构用于实现所述衬底与所述第二导电类型区之间的绝缘隔离。本发明在第一埋藏区和第二埋藏区的界面形成空穴阻挡层，能够阻止空穴穿过空穴阻挡层渡越到衬底形成衬底漏电，改善器件的闩锁效应。

公开(公告)号：CN118507506A

公开(公告)日：2024-08-16

申请号：CN202310119587.7

申请日：2023-02-15

Applicant: 无锡华润上华科技有限公司

Inventor： 罗琳 ,  宋亮 ,  金华俊 ,  安丽琪 ,  李永顺 ,  王亚南

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明涉及一种半导体器件及其制造方法，所述半导体器件包括：衬底；第一导电类型埋层，位于衬底中；器件主体部，位于第一导电类型埋层的上方；体引出结构，包括位于第一导电类型埋层上方、器件主体部的外侧的低阻结构，低阻结构为向下延伸的竖向结构，低阻结构包括金属和/或合金材料。本发明在bulk端设置金属结构作为低阻结构，使得空穴电流能够快速地从bulk端被吸收走，因此能减小漏电。且可以在低阻结构外壁形成一层第二导电类型的加浓区，使得电阻减小，电流路径缩短，空穴电流快速从bulk端被收走。进一步地，Iso端连接至高浓度的第一导电类型埋层，不仅形成横向的介质隔离，并且使底部埋层电势分布更均匀，减少了电流纵向的漏电。

公开(公告)号：CN116417499A

公开(公告)日：2023-07-11

申请号：CN202111674077.3

申请日：2021-12-31

Applicant: 无锡华润上华科技有限公司

Inventor： 金华俊 ,  宋亮 ,  李永顺 ,  袁玫 ,  王亚南 ,  罗琳 ,  张强

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明涉及一种半导体器件及其制备方法，通过在半导体器件的第一阱区之间插入第二阱区以提高器件的击穿电压，同时设置第二阱区上表面在器件导电沟道宽度方向上的尺寸小于其下表面在器件导电沟道宽度方向上的尺寸，以增大邻接的第一阱区上表面在器件导电沟道宽度方向上的尺寸，即增大器件导通时电流在漂移区上表面流经时的路径宽度，减小器件的导通电阻。最终实现在提升器件的击穿电压的同时有效减小器件的导通电阻。

公开(公告)号：CN117637840A

公开(公告)日：2024-03-01

申请号：CN202210976315.4

申请日：2022-08-15

Applicant: 无锡华润上华科技有限公司

Inventor： 安丽琪 ,  宋亮 ,  王琼 ,  王亚南

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 本申请涉及一种横向扩散金属氧化物半导体器件及其制备方法，该横向扩散金属氧化物半导体器件包括：衬底，设有沟槽；漂移区，位于衬底内；其中，沟槽围绕漂移区设置；介质层，位于衬底上，且围绕漂移区设置；其中，介质层覆盖第一侧壁的至少部分，以及与第一侧壁连接的部分底壁；栅极，围绕漂移区设置。其中，栅极覆盖介质层的部分表面，且向沟槽的底壁延伸以覆盖沟槽的部分底壁。本申请提供的横向扩散金属氧化物半导体器件，能够提高漂移区的临界击穿电场，从而可在降低导通电阻的同时灵活调整器件的击穿电压，尤其可在降低导通电阻的同时提高器件的击穿电压。

公开(公告)号：CN118472028A

公开(公告)日：2024-08-09

申请号：CN202310079802.5

申请日：2023-02-07

Applicant: 无锡华润上华科技有限公司

Inventor： 安丽琪 ,  宋亮 ,  李永顺 ,  王亚南 ,  罗琳 ,  叶帆

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明涉及一种具有隔离结构的半导体器件，包括：衬底，具有第二导电类型；第一导电埋层，具有第一导电类型，位于所述衬底中；所述第一导电类型和第二导电类型为相反的导电类型；第一极掺杂区，具有第一导电类型，位于所述第一导电埋层的上方；第二极掺杂区，具有第一导电类型，位于所述第一导电埋层的上方、所述第一极掺杂区的两侧；隔离结构，包括位于隔离槽侧壁的绝缘层，所述隔离槽从所述第二极掺杂区向下延伸至所述第一导电埋层，所述隔离槽中还设有与所述第一导电埋层电性连接的导电结构。本发明在第二极掺杂区的位置设置向下延伸至第一导电埋层的隔离槽，复用了第二极掺杂区的芯片区域，因此芯片的面积利用率较高。

公开(公告)号：CN118039553A

公开(公告)日：2024-05-14

申请号：CN202211424689.1

申请日：2022-11-14

Applicant: 无锡华润上华科技有限公司

Inventor： 王亚南 ,  宋亮 ,  安丽琪 ,  罗琳 ,  李永顺

IPC: H01L21/762 ,  H01L23/60

Abstract: 本发明涉及一种沟槽隔离结构及其制造方法、半导体结构，所述沟槽隔离结构的底部位于衬底中，所述沟槽隔离结构包括：设于沟槽内的绝缘材质，以及从所述沟槽的顶部延伸至底部的导电结构；其中，所述导电结构的底部与所述衬底电性连接，所述导电结构用于在工作时接地或连接低于阴极的电位。本发明设有从沟槽的顶部延伸至底部的导电结构，导电结构的底部电连接衬底、顶部引出接地，因此通过该导电结构可以收集空穴电流，阻止电流流向衬底，从而进一步加强沟槽隔离结构的电学隔离效果。